PureForce ROE系列高纯水机技术特点 A：采用抛弃式一体化过滤柱，操作简单 B：模块化设计理念 C：具有自动判别和提示预处理柱，反渗透膜，微滤，紫外灯管等失效功能 D：采用CPU自动控制技术，智能判断及其的配置 E：操作面板简洁，大型液晶显示屏，可显示水箱液位等相关信息 F：0.01常数电阻率传感器，带温度自动补偿功能 G：内置一键消毒功能组件，可快速对RO膜及内管路清洗消毒 H：EDI模块，内置于主机，节省空间 I：标配与主机同一品牌的内置60L多功能纯水水箱 J:具有定量取水 K:具有密码设置功能，防止非相关人员的误操作 L:具有更换耗材时系统排空及更换耗材次数的记录功能

Analytical(理化分析低TOC)、Life Science(生命科学)、AnaIysis(基础分析) 水箱配备：配40L/80L/120L/300L标准水箱 产水量：5/10/20/40/80/100/120L/H 产水水质： 纯水：电导率2-10μs/cm@25℃(源水TDS<200ppm)符合中国实验室用水规格GB/T6682-2008三级水标 超纯水：电阻率16-18.2MΩ.cm@25℃； 适用范围： 各级常规实验室如区县疾控中心、质检所、药检所、环监站、企化实验室及各种高端精密仪器用水。 外形尺寸： 台式：360*520*540（长*宽*高）  立式：650*650*1100（长*宽*高）

产品详细介绍紫外灯管UV-A313 荧光紫外灯光源，是模拟自然阳光中的紫外光辐射。 ⒈荧光紫外灯管功率：40W ⒉荧光紫外灯管长度：1120㎜ ⒊荧光紫外灯管辐照度范围：≤50w/m2 ⒋荧光紫外紫外波长：290nm～400nm ①UV-A 340灯管的发光光谱能量主要集中在340nm的波长处 ②UV-B313灯管的发光光谱能量主要集中在313nm的波长处 ⒌①荧光紫外灯：发射400nm以下紫外光的能量至少占总输出光能80﹪的荧光灯。 ②Ⅰ型荧光紫外灯：发射300nm以上的光能低于总输出光能2﹪的一种荧光紫外灯。通常称为UV-A灯。（UV-A313、UV-A340、UV-A351、UV-A355、UV-A365） ③Ⅱ型荧光紫外灯：发射300nm以下的光能大于总输出光能10﹪的一种荧光紫外灯。通常称为UV-B灯。 ⒍①大多数试验场合推荐采用Ⅰ型灯，它是模拟夏天中午日光照射后的情况。这种灯在340nm处有一个发射峰。 ②另一种常用的Ⅰ型灯在351nm处有发射峰，多数用于模拟日光透过窗玻璃后的情况。 ⒎国产灯管的有效使用寿命在500小时左右（进口灯管寿命1600～1800小时） 灯管规格： （国产型）灯管长度：1120㎜ 直径：26mm （进口型）灯管长度：1120㎜ 直径：38mm

产品详细介绍结构：钢木结构 材质：台面为富美家/威盛亚防火板贴面,二次成型,基材25mm厚。侧山为18mm厚双贴面三聚氰胺浸渍板,铝合金边条镶边。 立腿：采用40*60方钢经焊接，抛丸除锈，静电喷涂处理.上带玻璃挡板。

产品详细介绍 产品概述：           东方中原P01系列压感交互电子白板专为行业应用和中高级教育培训而设计的大尺寸交互式触摸系统，支持完美的点压触感和书写手感，可用手指或任何钝物进行书写，经久耐用；只需要将P01电子白板连接上计算机和投影仪，您就可以用手指在投影画面上进行任意书写，轻松操作电脑，彻底让您摆脱教学、会议以及培训等场合往返于电脑和投影幕的不便。   产品特点：     板体工艺：高强度、低反射复合材料，高抗磨损、防炫目、防反光，可使用标准清洁剂    外观：边框用太空银亚光铝制材料，唯美大方；高品质铝蜂窝背板，使用寿命长   性能：平均定位精度小于1mm，分辨率和书写跟踪速度均已达到行业领先水平   使用维护：采用USB线通讯，即插即用；安装方式多样，装卸维护简便。      

产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

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主要功能：实现单频和双频的大功率太赫兹波输出。 ？ 应用领域：在主动探测、雷达、通信、材料的线性和非线性特性、高密度等离子体特性研究、增强核磁共振技术和放射性材料遥测等方面具有极其重要应用前景。 ？ 特色及先进性：在双电子注同轴腔回旋管中，一根电子注工作在基波，另外一根电子注工作在高次谐波，利用两个电子注与电磁波间的非线性耦合，实现双频大功率太赫兹波输出。 ？ 技术指标：工作频率110/220GHz；输出功率：20kW。