本发动机实训台是本公司采用丰田凌志ES300电控发动机自动空调为适应汽车教学需求而研制的，该实训台由电控发动机自动空调（八成新）、操作显示面板及发动机彩色原理图电脑控制柜、可移动式台架(万向脚轮)、汽油供给系统(脚踏式油门踏板)、冷却系统(自动电子风扇)、启动系统、发电系统、排放系统、发动机传感、器执行器、原车仪表、原车电脑、具有发动机运转及显示、自动空调操作显示面板、（水温.燃油.机油.充电.转速.车速）真空显示表、燃油压力显示表、A134高压、低压指针试压力表、电压检测表（检测任意路传感器、执行器工作信号、工作电压）、故障设置区可设置32路故障（老师设置任一路线路故障）、故障排除区（学生通过各种仪器、仪表、或读取故障码）在面板上用专用排故线连接排除故障、故障分析、传感器信号模拟等多项功能、具结构紧凑、操作方便、安全可靠、教学直观、是汽车发动机实物教学不可缺少的实验室设备之一。 技术性能： 1、主要参数值： ●发动机V型6缸水冷电喷发动机            排量3.0L ●自动空调总成                            ES300 ●可移动台架(分体式+安全不锈钢防护拦)     1700×1000×1800mm ●汽油箱容量                              10L ●润滑液容量                              4.5L ●自动空调制冷剂                          A134/2kg ●蓄电池容量                              12V42AH ●冷却液容量                              12L ●设备重量（不含油液）                    380Kg

一、简介  本启动系统示教板是本公司采用现有的本田车系统为适应汽车教学需求而研制的，该示教板由启动机总成、拆件、结构为一体、操作显示面板电气原理及电控柜、可移动支架等组成、具有结构紧凑、操作方便、安全可靠、教学直观，具有启动系统运转及显示功能。是汽车实物教学不可缺少的实验室设备之一。 二、技术性能：主要参数值 ●启动系统工作电压  12v  500W ●最大电流               100A ●主电源      交流220v、50Hz ●设备重量               50Kg ●外形尺寸  1000×500×1500mm

产品详细介绍   高温试验箱价格高温试验箱厂家首选北京雅士林,专业提供各式试验箱.雅士林品牌高温试验箱技术资料请参阅：高温试验箱用于对电子电工、汽车摩托、航空航天、橡胶、塑胶、金属、船舶兵器、高等院校、科研单位等相关产品的零部件及材料在高温恒温变化的情况下,检验其各项性能指标。严格按GB/T2423.2-2008高温老化试验方法制造。 高温试验箱规格型号:型号         工作室尺寸D×W×H   外型尺寸D×W×HYSL-GW-100   450×450×500mm     1100×650×1000mmYSL-GW-225   500×600×750mm     1150×800×1300mmYSL-GW-500   800×700×900mm     1350×1000×1450mmYSL-GW-010   1000×1000×1000mm  1650×1200×1550mm 一、高温箱技术参数：温度范围: RT＋10℃～250℃、300℃、400℃ 抗制精度: ±1％（满量程） 恒温波动度: ±1℃ 温度分辨率: 0.1℃温度均匀度: ±2℃％ 二、高温试验箱箱体结构:箱体内胆均采用不锈钢板氩弧焊制作而成；箱体外胆采优质钢板喷塑处理，造型美观新颖；热风循环系统由能在高温下连续运转的风机和特殊风道组成，工作室内温度均匀；独立限温报警系统，超过限制温度即自动中断，保证实验安全运行不发生意外。 三、高温箱控制器:温度控制采用全进口触摸按键式仪表，操作设定简单；资料及试验条件输入后，控制器具有锁定功能，避免人为触摸而改变温度值；具有P.I.D自动演算的功能，可将温度变化条件立即修正，使温度控制更为精确稳定； 四、高温箱使用条件:1、安装场地地面平整，通风良好设备周围无强烈振动设备周围无强电磁场影响设备周围无易燃、易爆、腐蚀性物质和粉尘设备周围留有适当的使用及维护空间，2、供电条件电源要求：AC380V±10%  50±0.5Hz  三相五线制预装功率：总功率+2.0KW要求用户在安装现场为设备配置相应容量的空气或动力开关，并且此开关必须是独立供本设备使用（建议电源开关容量：32A）3、环境条件环境温度：5℃～＋30℃（24小时内平均温度≤30℃）环境湿度：≤85%RH4、其它注意事项试验过程中打开试验箱的门，会造成箱内的温、湿度波动；在试验过程中如果多次打开门或长时间敞开门或试验样品散发湿汽，可能会造成制冷系统换热器结冰而无法正常工作 高温试验箱售后服务1、安装调试：我司负责免费送货至客户指在地点, 并派专业技术人员免费安装调试，培训2～5名操作员到会操作为止。2、阳光售后服务承诺：公司产品均保修一年，终身维护。若产品出现问题，在接到报修电话15分钟响应，48小时内由我司专业维修人员上门处理。

XM-920A牙齿病变系列模型   XM-920A牙齿病变系列模型由健康牙、龋齿、作好充填准备的牙齿、已充填的牙齿以及用合金充填修补的牙齿等5个部件组成，并显示龋齿与牙髓炎等病理过程以及临床治疗方法。 尺寸：自然大，6×11×2.5cm 材质：PVC材料

产品详细介绍紫外灯管UV-A313 荧光紫外灯光源，是模拟自然阳光中的紫外光辐射。 ⒈荧光紫外灯管功率：40W ⒉荧光紫外灯管长度：1120㎜ ⒊荧光紫外灯管辐照度范围：≤50w/m2 ⒋荧光紫外紫外波长：290nm～400nm ①UV-A 340灯管的发光光谱能量主要集中在340nm的波长处 ②UV-B313灯管的发光光谱能量主要集中在313nm的波长处 ⒌①荧光紫外灯：发射400nm以下紫外光的能量至少占总输出光能80﹪的荧光灯。 ②Ⅰ型荧光紫外灯：发射300nm以上的光能低于总输出光能2﹪的一种荧光紫外灯。通常称为UV-A灯。（UV-A313、UV-A340、UV-A351、UV-A355、UV-A365） ③Ⅱ型荧光紫外灯：发射300nm以下的光能大于总输出光能10﹪的一种荧光紫外灯。通常称为UV-B灯。 ⒍①大多数试验场合推荐采用Ⅰ型灯，它是模拟夏天中午日光照射后的情况。这种灯在340nm处有一个发射峰。 ②另一种常用的Ⅰ型灯在351nm处有发射峰，多数用于模拟日光透过窗玻璃后的情况。 ⒎国产灯管的有效使用寿命在500小时左右（进口灯管寿命1600～1800小时） 灯管规格： （国产型）灯管长度：1120㎜ 直径：26mm （进口型）灯管长度：1120㎜ 直径：38mm

产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。