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SEM-5704 仿真辐射实验仪
仪器概述 仿真辐射实验仪,是按物理原理和真实测量数据,利用纯电子信号传输通讯技术,高度仿真地呈现核辐射现象的效果。此设备让学生无需使用真实放射源,就能做到跟真实一样的核辐射实验。   仪器特点 不须用真实的放射源,就能进行传统的核辐射实验,得出所有核辐射现象的结果。不会受到任何核辐射的伤害和心理威胁。不需顾虑使用放射源带来的安全责任,省去处理放射源的行政和技术程序。本机适用于大中小学各阶段教授核辐射物理现象的需要,也能对修读核技术及放射医疗相关专业的学生作模拟训练之用,以减少学员在训练过程中受到的辐射剂量。仿真探测器有声响效果,模仿盖革弥勒计数器的功能。模拟本底辐射量可按使用当地实际情况而改动。仿放射源的核辐射特性可按需要定制。设备有透明大前门,方便观测。可采用手动方式,SD记忆卡等方法采集数据。   实验内容与典型实验数据 1.本底辐射 模拟检测本底辐射。如在香港地区,本底辐射是1- 2次每秒。   2. 平方反比定律 辐射强度随放射源与探测器之间的距离的平方值呈线性衰减。用实测数据,在适当的图表分析中,演示了核辐射的平方反比特性。   3. 同位素半衰期 放射源的放射强度随时间呈指数衰减。实测数据在适当的图表分析中,得出放射源的半衰期为182.4 s。 4. 辐射强度在物质中的指数吸收 辐射强度随在物质中传播的距离呈指数衰减,实测数据在适当的图表分析中,得出线性吸收系数 m= 8.4 cm-1。 5. 核辐射的随机性 实测数据在图表演示了计数率随机起伏所得出的统计分布。 6. 分辨核辐射种类α ,β及γ 配有未标定的仿放射源,学生可按使用不同吸收片材料及其厚度后所得的计数率,和测出的行程等数据,尝试分辨出仿放射源是放出 α、β粒子或γ射线。   部件列表 描述 数量 仿真辐射实验仪主机 1 仿辐射源样品,包含仿短半衰期γ-源, 仿长半衰期β-源, 仿长半衰期 γ-源, 未标定仿辐射源 3种 1套 吸收片样品, 包含铝吸收片0.08cm, 铝吸收片0.15cm, 铝吸收片0.25cm, 铝吸收片0.5cm 1套 镊子 1 电源线 1 使用手册 1 光盘(含使用手册及Excel 数据记录模板) 1
上海科铭仪器有限公司 2021-12-22
COD·氨氮双参数测定仪
北京连华永兴科技发展有限公司 2022-07-01
机械混沌实验仪 COC-JXHD
实验内容 1、线性扭摆的自由振荡—摆轮振幅与系统固有周期 T0 的对应值的测量; 2、线性扭摆阻尼系数 β 的测定; 3、平衡状态时,非线性扭摆偏转角度的测量与调节; 4、观察非线性扭摆的多态共存现象; 5、观察非线性扭摆的混沌运动状态:单吸引子和双吸引子状态; 6、调节驱动频率,观察系统通过倍周期分岔走向混沌的过程; 7、测量非线性扭摆的幅度特性曲线。
成都华芯众合电子科技有限公司 2022-06-18
热电综合实验仪 COC-RD
实验内容 1、掌握热电效应理论背景知识,Seebeck 效应、 Peltier 效应、Thomson 效应; 2、热电实验参数测量及温差发电演示实验; 3、Peltier 效应及制冷效率测量实验; 4、不同金属材料 Seebeck 系数实验。
成都华芯众合电子科技有限公司 2022-06-18
R-3001电动升降旋转蒸发仪
郑州长城科工贸有限公司 2022-11-04
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
一种基于电子信息技术的标签检测设备
成果描述:本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析:本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
一种基于电子信息技术的自动冲模装置
成果描述:本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析:本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
磁流体热磁对流在电子器件散热中的应用
项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件,应用磁流体的热磁对流效应,把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2.温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3.磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术,提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展,达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明,散热效果好,能达到电子器件冷却要求,满足工业生产的需求,在生产过程中无污染,无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中,具有较好的经济效益和社会效益。
南京工程学院 2021-04-11
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