产品详细介绍产品用途：该产品是针对各种材质表面处理,包含五金、电镀、电子产品、电子零部件、汽车零部件、摩托车、五金洁具、螺丝、弹簧、磁性材料、有机及无机皮膜、阳极处理、防锈等行业品质检测及测试其制品的耐腐蚀性。    一、产品规格： 型号 YWS-150   内形尺寸D×W×H  450×600×400:mm   型号 YWS-250   内形尺寸D×W×H  600×900×500:mm   型号 YWS-750   内形尺寸D×W×H  750×1100×500:mm  型号 YWS-010   内形尺寸D×W×H  850×1300×600:mm 型号 YWS-015   内形尺寸D×W×H  850×1600×600:mm   型号 YWS-020   内形尺寸D×W×H  900×2000×600:mm  二、技术参数：  1.温度范围：RT+10℃～55℃     2.温度波动度：≤±0.5℃          3.温度均匀度：≤±2℃  4.温度偏差：≤±1.5℃     5.空气压力：0.2～0.4Mpa  6.喷雾压力：0.05～0.17Mpa/cm2  7.盐雾沉降量：1～2mL/80cm2.h  8.停喷周期时间：0～99M、H  9.时间设定范围：0～9999M、H 10.喷雾方式：气动式、连续、间断喷雾可随意调节 11.试样架：试样架可满足15℃～30℃倾斜试验 12.电源要求：AC220V/50HZ、AC380V/50HZ  三、试验方法：中性盐雾试验（NSS试验）、盐雾试验（SS试验）、醋酸盐雾试验（ASS试验）、铜加速醋酸盐雾试验（CASS试验）等盐雾试验方法； 四、箱体材质：  1.箱体及内胆均采用进口PVC高强度耐腐蚀塑料板,表面光洁平整,并耐老化、耐腐蚀；易清洗、无泄露；  2.箱盖采用进口PVC透明塑板,便于试验时观测试验样品受试状况,箱盖与箱体采用水密封，从而防止盐雾外泄；  3.超大盐水箱设计,杜绝因缺少盐水而中断试验；  4.加热为内胆水槽式加温加湿方式,升温快、温湿度分布均匀；  5.全塑结构盐雾试验箱更能满足长期强酸、强盐雾试验而不产生任何损伤； 五、控制系统：  1.温度控制采用高精度智能型双数显温控仪表,控制精确、平稳、长期运转不漂移;  2.传感器选用PT100测试传感器;  3.时间继电器1s~9999h可调,双位时间继电器0.1~99小时可任意设定喷停时间;  4.执行元器件均采用施耐德交流接触器、小型继电器、固态继电器;  5.气路系统：稳定可靠的气路元器件; 六、加热系统：  1.箱内试验温度为水套式加热,加热器件采用U型钛合金高速加温电热管,内置镍铬合金远红外发热芯体升温快,温度分布均匀,且比起玻璃钢箱体夹套式加热功耗节省约二分之一,完全独立系统不影响盐雾试验及控制线路；  2.温度控制输出功率均由微电脑演算,以达高精度及高效率之用电效益,低水位保护（防止无水干烧）; 七、喷雾系统：  1.喷雾采用塔式喷雾器（塔尖高度可调节）、导向盐雾、雾粒细小、自然沉降、喷嘴无盐结晶、沉降量可调；  2.喷雾气体进行两级稳压调压,同期予以油污过滤、气体湿化预热；  3.雾化盐水储存为内置隐藏式且储存容量大,盐水配有预热功能；  4.盐水雾化前配备石英盐水过滤元件,避免喷嘴杂质堵塞而终止试验；  5.试验箱所有管道均采用加厚型氟硅橡胶管,十年内可保持不老化及龟裂；  6.盐水箱具有高低水位显示； 八、保护系统：  1.无熔丝保护开关   2.箱体超温保护  3.箱体低水位保护  4.饱和器低水位保护  5.饱和器超温保护  6.盐水低水位提示  7.盐水高水位提示  8.试验结束指示  9.压缩气体两级稳压调压保护 10.过载、漏电具有自动关机等保护                 九、设备使用条件：  1.环境温度：5℃～＋28℃（24小时内平均温度≤28℃）  2.环境湿度：≤85%R.H  3.操作环境需要室内通风良好,机器放置前后左右各80公分不可放置东西; 十、符合标准：严格参照GB/T2423.17-2008、GB/T10587-2006、GJB150.9-86、GJB150.11-86、GB/T10125-1997、GB/T5170.8-1996、DIN50021、ISO1456-74、ISO3768-78、ASTM B117-73等试验方法设计制造； 十一、服务承诺：免费送货上门,在对该设备安装调试结束后,在用户现场对相关技术人员免费做相应的操作培训,人数不限。 北京中科环试仪器有限公司 电话: 010-81290307 传真: 010-81283287 手机: 13671371697 联系人：唐治刚 http://www.zkhs17.com E-mail:zkhs@zkhs17.com  

产品详细介绍 　　2015，沃柯雷克一代智能晨检机器人上市 　　至今，已在晨检机器人领域深耕5年，技术更成熟，累积晨检数据库资源更多，机器人经过不断的学习，分析能力更强。 　　产品从2015年至今已经过5代更新，平均每年更新一款新的晨检机器人，共计获得20多项专利;团队投入更多精力打磨产品，每一代都做到突破性的优化。 　　2020，我们更快、更强、更智能 　　3秒即可同步完成测温、手部、眼部、口部四大项目辅助晨检。 　　测得全：手口眼温，我们一个都不少 　　晨检界的 技术担当，学习委员;智能程度表现优异，手口眼温全部由机器自行完成 　　温度：高温提示、低烧预警 　　手部：红疹、外伤、黑点、疱疹、污渍 　　口部：红疹、疱疹、上颚发红、蛀牙、咽喉红肿 　　眼部：发红 　　测得准：定位式检测确保数据准确度 　　精准定位并准确获取口腔、额头等关键部位，确保晨检效果，通过《世界zui新医学信息文摘》论文验证 　　测得快：3秒晨检，一个动作一步完成 　　沃柯雷克是行业独有的一步式晨检，一个动作即可完成4大项目的筛查，比行业同业产品效率快3倍以上 　　沃柯雷克晨检机器人集合精确传感及人工智能先进技术为幼儿提供入园健康辅助晨检，只需3秒即可同步完成测温以及手部、眼部、口部的辅助晨检，提高晨检效率。由苏州沃柯雷克智能系统有限公司全自主研发、生产的服务于儿童卫生保健功能的人工智能装备。 　　他，够快 　　■处理器快内置I5 双核处理器高性能处理器，处理能力强，运算速度快，本地算法实时反馈结果，无网络传输延时; 　　■算法快加载『图澎思 』AI识别算法，专业的儿童晨检识别算法，数据分析速度快，百毫秒级处理效率，荣获多个专利; 　　■操作快小朋友只需做一个晨检动作，温度、口部、手部、眼部四大晨检项目全部同步完成，无需分解步骤，智能化程度高; 　　■更智能晨检项目全部由机器人完成，无需老师操作设备拍照或测量数据; 　　他，不只是快 　　■项目全晨检提示：温度异常、手口红疹、疱疹、眼睛发红等关怀提示：喉咙发红、蛀牙等 　　■应用广除了可以辅助晨检，还可以矫正视力，测量身高、体重、BMI(连接外置设备);离园比对照片，辅助考勤签到、接送抓拍;播放音乐故事，辅助教学(童趣版); 　　■数据准采用定位式晨检，所有晨检项目都精准定位在正确的晨检部位，如温度确保来源于额头眉心，口腔、手部可清晰采集，从而确保晨检结果的精准; 　　■更安全 　　√接触面采用抑菌环保材料√自动空气强排装置促使局部空气快速更新，配合44天长效抑菌产品√航空插头，24伏人体安全电压，确保电路安全 √防电磁干扰设计√无需布线插线，避免小朋友被电线绊倒√晨检结果由保健老师复核后实时反馈给家长，家长更安心 　　■更方便√特有保健老师操作侧屏，高清显示，老师复核时观看方便√断电、断网都能用，无需布线√万向轮设计，移动方便

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

成果描述：本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析：本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析：国内领先

成果描述：本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析：本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析：国内领先

项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件，应用磁流体的热磁对流效应，把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2．温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3．磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术，提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展，达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明，散热效果好，能达到电子器件冷却要求，满足工业生产的需求，在生产过程中无污染，无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中，具有较好的经济效益和社会效益。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

本成果以混合自适应 人工智能优化程序设计出亚波长单晶硅超构表面结构，实现了相位的精确控制并减小了单晶硅结构在可见 光的吸收。进一步，使用该结构实现了浸镜油浸没下数值孔径为1.48的高透过率超构光学透镜，在可见光 532纳米波长实现211纳米线宽的聚焦光斑，可大大提高共聚焦显微镜分辨率。此成果在2018年12月美国光 学学会旗下光学与光子学新闻（Optics & Photonics News）入选为本年度国际光学重要进展，并对该成果作 了整版报道。已申请国内发明专利一项。 本成果适用于显微显纳成像、激光光刻、光镊等光学聚焦应用相关领域。进一步扩展，可用于光学摄 像及显示技术中的微光学器件。已作为光学探针初步应用于共聚焦成像系统，目前正研制新一代技术拓展 于手机摄像、显示微光学等。

本发明公开了一种 RFID 电子标签在线检测方法，具体为：在 对工位进行RFID芯片封装过程中，实时建立该工位内的 RFID芯片ID 号与标签位置的映射关系；工位封装完成后，同时读取该工位内的所 有 RFID 芯片 ID，将读取的 RFID 芯片 ID 与该工位内的 RFID 标签 ID 与 RFID 标签位置的映射关系进行比对，确定读取缺失的 ID，其对应 的标签即为次品。本发明还提供了一种 RFID 电子标签在线检测装置， 包括 X 向进给机构、Y 向进给机构、读写器、处理器、打标机构、夹 持机构以及屏蔽罩。本发明能同时完成多个标签读写与标记功能，适 用于多行多列 RFID 标签在线检测，不仅能大幅提高检测效率，而且 自动化程度高、稳定、可靠。