本发明公开了一种用于导航信号的 LDPC 码校验矩阵的构造方法，包括以下步骤： （1）获取待构造的 LDPC 码校验矩阵的子矩阵的大小 z*z，以及该 LDPC 码校验矩阵的基矩阵的大小 m*n； （2）根据步骤（1）获取的结果构造 m 个由 0、1 构成的长度为 nz 位的稀疏序列[S1，S2，…，Sm]，利用构造的 m 个稀疏序列得到 LDPC 校验矩阵 H。 本发明通过寻找稀疏序列的方法构造准循环校验矩阵 H，稀疏序列的后 M 位的产生方式决定了得到的校验矩阵具有近似下三角结构，使得基于 H 的编码算法更加简单。稀疏序列前 N-M 位的自身约束条件以及不同稀疏序列之间的互相关约束条件保证了校验矩阵 H 中不会出现长度为 4 的环，本方法能快速高效地构造出具有准循环特性和下三角构造的校验矩阵。

本发明公开了一种双通道欠采样线扫频脉冲信号的时延估计方法，采用双通道采样信号的分数阶傅里叶域互谱进行 Chirp 脉冲时延估计，可以有效消除低采样甚至是欠采样Chirp 信号，采用传统脉冲压缩以及基于分数阶傅里叶变换的时延估计算法时，因频域或变换域频谱产生混叠造成时延估计模糊问题，并且能够以较低采样率实现信号的时延估计，有效降低接收信号的采样率和后续信号处理的运算量，并且可以通过快速傅里叶变换算法实现，计算复杂度低；此外，由于分数阶傅里叶域滤波可以抑制某些在傅里叶域无法滤除的干扰和噪声，通过分数阶傅里叶域滤波的优势，有效抑制同频信号间的相互干扰；为线扫频脉冲体制雷达对目标回波信号进行检测与估计时提供了有效的工具。

产品详细介绍手机信号屏蔽器(又名手机******/隔断器/抑制器/截断器/隔离器/会议信息保密机)是是我厂采用国外先进技术，针对主要针对国内高考、成人高考、自学考试及各类大专院校在考试过程中，一些不法分子利用手机作弊的现状，且同时结合各类中级、高级中学学生利用手机在上课时间乱发短信的现状，以及政机关、企业各类大中小型会议室、音乐厅、影剧院等严肃的场所中手机所带来的烦恼和吵杂根据国内移动通信实际情况精心研制成功的高科技产品,它能在半径1—20米范围（50-250平方米）内隔断GSM/CDMA/DCS/PHS/3G手机信号,使手机无法打出和接听,但又不会干扰其它电子教学设备工作,手机离开隔断范围,即可恢复正常使用。还学校一份洁净，还会议一份宁净。 ※产品特点※ 1、  屏蔽GSM/CDMA/DCS/PHS/3G五路频段 2、  采用铝合金拉丝外壳，面板可以根据客户需要贴牌或丝印标志（免费提供丝印服务） 3、  发射功率4W，每根天线1W 4、  有效屏蔽距离1-20米可调（出厂前根据客户要求调试） 5、  对人体无任何损害   ※适用场所※ 1、  高考、成人高考、自学考试及各类大专院校 2、  党政机关、企业各类大中小型会议室、音乐厅、影剧院 3、  看守所、劳改队、大中小型监狱 4、  加油站、油库、油田、加气站等易燃易爆场所   ※售后服务※ 一年内包换、三年内包修   ※性能指标※     序号 技术标准 技术参数     1 CDMA/GSM频段发射频率 869-960MHz   2 DCS/PHS频段发射频率 1805-1920MHz   3 TD－SCDMA频段发射频率 2005-2035MHz   4 CDMA2000/WCDMA频段发射频率 2110-2170MHz   5 电源 电源输入AC160V-240V 输出DC 5V   6 尺寸 185mm(L)×137mm(W) ×60mm(H)   7 重量 约2000克   8 隔离范围 1-20米（约50-250平方米）   9 可作用手机类型 所有3G手机/139/138/137/136/135/133/131/130/小灵通等   10 使用环 境条件 温度 -10 to –55℃   相对湿度 ≤90%(RH)   大气压力 86-106kPa  

（专利号：ZL 201410286150.3） 简介：本发明公开了一种超级电容器用微孔炭/石墨烯复合电极材料的制备方法，属于炭材料制备技术领域。该方法是以煤沥青和氧化石墨为碳源，以氢氧化钾为活化剂，将煤沥青和氧化石墨湿法混合，干燥后再与氢氧化钾干法混合，将得到的混合物置于管式炉内，在氮气气氛下进行加热，制得超级电容器用微孔炭/石墨烯复合电极材料。本发明采用氢氧化钾同时活化煤沥青和氧化石墨制备超级电容器用微孔炭/石墨烯复合电极材料的方法，具有制备工艺简单，生产成本低廉，所制备的微孔炭/石墨烯复合电极材料在超级电容器中具有高比容和高倍率性能等优点。

2019 年 9 月，两个团队合作制备了倍率性能可与传统浆料涂覆正极相比的复合正极，为克服固态电池中电极-电解质接触差这一瓶颈提供了新思路。相关研究成果日前发表在国际材料学期刊《物质》上

本发明属于高分子取向测量的技术领域，具体涉及一种基于叉 指电极的高分子层内剪切取向测量方法，包括如下步骤：S1 将一对叉 指电极探头紧贴于待测材料表面；S2 设置叉指电极的探测深度并测试 待 测 材 料 在 不 同 深 度 位 置 上 两 个 方 向 的 电 容 信 号 大 小 <img file=""DDA0001338868720000011.GIF"" wi=""75"" he=""69"" />和<img

本发明公开了一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面纳尖簇线密集排布构成的一层图案化阳极和一层平面金属纳膜阴极/阳极，它们被分别制作在透光的纳米厚度的基膜/光学介质层的两个外表面上；在加电态下，图案化阳极中的金属平面纳尖与金属纳膜阴极/阳极间形成局域弯曲的锐化电场阵，阴极/阳极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的阵列化纳电场驱控，向各纳电场中电场强度最强部位聚集。本发明基于金属基平面纳尖簇电

本发明公开了一种基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面微纳线尖有序密集排布构成的一层图案化阴极和一层平面阳极，它们被分别制作在一层纳米厚度的透光基膜/电绝缘膜的上下表面；在加电态下，阴极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的电场驱控，向金属平面微纳线尖簇其各纳线尖顶聚集，纳线尖金属电连接线上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数电子被纳线尖顶抽走而减少甚至急剧降低。本发明基于金属平面微纳线尖

本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性

本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性