产品详细介绍面积测量器

产品概述： 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 磁光克尔效应测量系统 磁光克尔效应装置是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计，是研究磁性薄膜、磁性微结构的理想测量工具。旋转磁光克尔效应（RotMOKE）是在磁光克尔效应测量基础上的一种类似于转矩测量各向异性的实验方法，可以定量的得到样品的磁各向异性的值。但由于电磁铁磁场大小的限制，只适合于测量磁各向异性的易轴在膜面内而且矫顽场不太大的磁性薄膜材料。结合源表可以进行样品的磁输运性能测量。RotMOKE具有以下特点：测量精度高、测量时间短；非接触式测量，是一种无损测量；测量范围为一个点，可以测量同一样品不同部位的磁化情况；可以产生平滑、稳定的受控磁场，并且磁场平滑过零。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 应用领域： 磁光克尔效应测量系统广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学、磁性薄膜、磁性随机存储器、GMR/TMR等磁学领域。 可测试材料：记录磁头，磁性薄膜，特殊磁介质，磁场传感器 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 产品特点： 1·测量灵敏度高，稳定性好，噪音低 2·非接触式测量，是一种无损测量 3·可以测量同一样品厚度不等的楔形磁性薄膜 4·可以将样品放到真空中原位测量 5·可以测量同一样品不同部位的磁化情况 6·纵向、横向和极向克尔效应测试 7·三百六十度电动旋转样品，可测试样品各向异性 8·手动左右和上下位移样品，可测试样品表面不同点的克尔效应 9·样品座有电接口，可加入磁电耦合测试。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 技术指标: 1· 样品尺寸：大Φ10mm的圆 2· 克尔角分辨率（δ）：0.001度； 3·椭偏率分辨率（ε）：0.1%； 4·小光斑（Φ）：10微米； 5· 大磁场：单维0.26特斯拉； 6· 样品电动角度步进0.1度，手动位移步进10微米； 7·噪音：1%。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 技术参数： 1·光学平台：    刚性隔震，不锈钢贴面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm阵距，150mm台板厚度，带脚轮。台面平整度0.1/1000mm，平台载荷300Kg，固有频率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。 2·矢量电磁铁： 锦正茂二维矢量电磁铁，每维大磁场0.26T，极面直径30mm，磁场间隙40mm，中心10mm正方体内均匀区1%。 3·电磁铁电源： 锦正茂单相双极性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，稳定性50ppm/h，对应小分辨率0.1Gauss。 4·激光器： Newport    632.8nm，2mW，2%稳定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通过聚焦透镜光斑小为10μm的圆。 5·起偏/检偏器：格兰-汤普森棱镜，外径25.4mm，通光孔径10mm，消光比<5*10^-5，角度范围14~16°，波长范围350~2300nm。 6·聚焦透镜：K9双凸，设计波长633nm，外径25.4mm，焦距150mm，焦距误差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。 7·四分之一波片：Ø25.4mm，波长632.8nm，投射波前畸变λ/8，相位延迟精度λ/100。 8·光电传感器：15mm²感应面积，0.21A/W响应度，暗电流1nA，对430~900nm波长光敏感，分流电阻200Mohm。 9·电流放大器：1pA/V大增益，1MHz带宽，大输入±5mA，大输出±5V，增益精度为输出的±0.05% 10·高精度电压表：六位半，小分辨率0.1μV，90天准确度达到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second 11·手动位移和电动旋转样品杆：   XYZ三维位移，XY行程25mm，Z行程13mm，转动360度，样品座为直径11mm的圆，上有电接头。 12·计算机：联想商用，集成多串口卡。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！

电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）博士生张净植在2018年国际固态电路会议（ISSCC）上发表研究成果，提出了一种“基于强耦合变压器的电流提升技术”，初步实现了用一款芯片覆盖多个频段，让5G通信“全球通”变成了可能。2015年，张净植的导师康凯正承担国家5G技术方面的一个重大专项，他有机会参与其中，负责频率源方面的部分研究任务。而正是这次研究，让他将目光锁定在了5G芯片上。张净植发现，目前不同国家划分的应用于5G通信的频段各不相同。比如，中国用的是24.75GHz~27.5GHz和37GHz~42.5GHz频段，美国用的是27.5GHz~28.35GHz、37GHz~38.6GHz和38.6GHz~40GHz频段，欧洲用的是24.25GHz~27.5GHz频段，日韩则采用26.5GHz~29.5GHz。也就是说，如果5G手机的芯片不支持这么多不同频段，出国后就无法正常通信了。相对于当前使用的4G技术，5G技术在吞吐率、时延、连接数量、能耗等方面有一个质的飞跃，就像美国运营商Sprint新任总裁和即将上任的CEO迈克尔·康贝斯在今年的摩根大通全球技术、媒体和通信会议上所说的，如今的4G网速平均只有30MB/秒，而5G提供的网速将是它的15倍。因此，学界和业界都对5G给予厚望。张净植的研究成果，就是两方小小的“通用芯片”：大的芯片只有910微米×920微米（1微米=10-6米），小的芯片为700微米×670微米，面积都小于1平方毫米，大小相当于一根绣花针的横截面。但这种小芯片却具有“兼容并蓄”的“宽广胸襟”，极大地提升了注入锁定倍频器的工作带宽，即“基于CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺的超宽带注入锁定倍频器”，简而言之，就是为了解决5G芯片在不同电磁频段“水土不服”的难题而专门设计的。在与业界最先进技术的比较中，该技术在仅消耗两倍功耗的情况下，将工作带宽提升了5.2倍，同时还解决了毫米波频段中“低相位噪声信号源的大带宽设计”难题，为毫米波领域超宽带低相位噪声信号源设计提供了一个可行方案，对5G通信的高频段多频带应用有着实际意义。左边是差分输出芯片，是核心电路的验证模块；右边是正交输出芯片，是完整的、可以用于5G系统的芯片。原文：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2018/5/412885.shtm

"不用互感器，导线直接测量交流的电流表：利用了ø2的导线，加以放大，使其用0.06米的长度，就能获得其量值；从而，找到了导线直测交流电流。 "

超薄铜箱是电子、通信、航天等产业的关键材料，而大电流电解电源是超薄铜箔高效高质生产的关键装备，对电流纹波、稳定性、功耗等技术指标要求极高，实现难度大。罗安院士发明的多高频变压器PWM全控变换电解电源技术，解决了大电流、低纹波、低功耗铜箔电解的难题。他发明的铜箔电解电源结构及控制方法，实现了IGBT的零电压开通与关断， 工作频率达20kHz，电源模块电流突破50kA，研制出了高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备。他发明的多电源模块阻抗匹配自动均流控制方法，突破了多电源模块并联静动态均流的国际难题，均流误差≤0.5%。 高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备与国际知名DYNAPOWER 公司产品相比，电流纹波由2%下降到0.5%，电耗降低12% ，独占了铜箔生产用大电流整流电源市场，广泛应用于电镀、电解、表面处理等领域，市场占有率在50%以上。

本发明公开了一种用于电流体喷印的同轴喷嘴，包括外喷嘴和 内喷嘴，外喷嘴底部设有轴孔，轴孔套接有连接座，连接座上设有轴 向台阶孔，台阶孔内套接内喷嘴底座，外喷嘴靠近喷口的一侧的内筒还套接有对中支架，内喷针的一端固定在内喷嘴底座上，另一端穿过 对中支架的定位通孔固定，连接座的外壁上还套接有压电陶瓷驱动器， 压电陶瓷驱动器与外喷筒固定连接。本发明提供的电流体喷印的同轴 喷嘴，内外喷嘴的相对高度可通过压电陶瓷驱动装置精密调节，实现 内外层不同溶液的相对流量的精密控制，以及对同轴纺丝的各层壳结 构厚度的更精确控制，并通过对中支架的设置提高内外喷嘴的同轴对 中精度。

本发明公开了一种用于电流体喷印的同轴喷嘴，包括外喷嘴和内喷嘴，外喷嘴底部设有轴孔，轴孔套接有连接座，连接座上设有轴向台阶孔，台阶孔内套接内喷嘴底座，外喷嘴靠近喷口的一侧的内筒还套接有对中支架，内喷针的一端固定在内喷嘴底座上，另一端穿过对中支架的定位通孔固定，连接座的外壁上还套接有压电陶瓷驱动器，压电陶瓷驱动器与外喷筒固定连接。本发明提供的电流体喷印的同轴喷嘴，内外喷嘴的相对高度可通过压电陶瓷驱动装置精密调节，实现内外层不同溶液的相对流量的精密控制，以及对同轴纺丝的各层“壳”结构厚度的更精确控制，并通

本发明公开了一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路。构建 了两个工作于饱和区的 MOS 管，使流过这两个 MOS 管的电流相等且 由其栅源电压的绝对值之差得到，并利用该电流产生基准电流或基准 电压。在这两个 MOS 管的导电类型相同时，通过调整其尺寸，将其栅 源电压的绝对值之差转化为其阈值电压的绝对值之差；在这两个 MOS 管的导电类型相反时，通过调整其尺寸，使输出的基准电压对温度的 导数为 0。本发明能有效消除

一种双霍尔元件电流传感器，属于电流传感装置，解决现有双霍尔元件电流传感器的铁心中气隙较大，导致漏磁较多、测量精度较低的问题，同时，减少外界噪声、磁场和静电等干扰，用于测量交流电流或者直流电流。本实用新型包括绝缘外壳、开口环状铁芯和两个霍尔元件，开口环状铁芯位于绝缘外壳的环形腔体内，两个霍尔元件位于开口环状铁芯的同一气隙中与磁力线垂直的同一截面内；所述绝缘外壳上设有接线端子，所述两个霍尔元件分别与接线端子电气连接；所述绝缘外壳和开口环状铁芯之间设置有磁屏蔽环。本实用新型中两个霍尔元件的放置方式减少了开