磁性斯格明子是由拓扑保护的纳米涡旋磁结构，其微观的形成机制与非共线性作用（Dzyaloshinskii—Moriya Interaction）有关。该结构在物理上可以被看成一种受拓扑保护的磁准粒子，拥有很长的寿命，可被电流、热、光等条件所驱动。值得一提的是，其存在和消失的这两种状态可以被定义为磁存储中的“1”和“0”状态，使它成为一种颇具潜力的存储信息载体，在未来的自旋电子学和存储领域具有巨大的应用潜力。

工作的研究对象为无穷大固体表面以及在其上微纳尺度的悬臂。该研究发现，随着固体表面粗糙度增大，界面热阻呈指数化增大，同时测量获得的数据也更加弥散。单层石墨烯加入到固固界面之间能够有效降低界面热阻，同时测量的热阻弥散度也快速减小。结合计算模拟的结果，这里发现的奇特热阻的弥散现象（不确定性）可以解释为当悬臂和界面粗糙度的尺度可以比较时，每次悬臂与无穷大固体表面的接触面积将出现极大的差异。 单

无标题文档本发明涉及一种由电解含银萃取有机相来制备高纯银的方法。具体地说，是电解含银的萃取有机相和含电解质的水溶液两相组成的电解液以制备高纯银。用本发明可省去通常反萃取、还原等常用的化学沉积和提纯的步骤，可提高所得银的品质和回收率，并降低生产总成本。为改进或简化氰化—萃取法直接提取银及先后提取银、金的工艺的工业化提供了理论和实践基础。按照本发明所制备的银沉积率＞９６％。因此可广泛应用于制备高纯银的技术领域。

新型的无电解电容驱动器 100Hz机械频率实验波形 研究成果包括完整的空调压缩机驱动控制策略，核心包括机侧电流单电阻采样策略、q轴电流给定值计算、d轴电流给定值计算、谐振抑制以及无速度实现。其中，q轴电流给定值计算需要考虑逆变器输入层功率跟踪控制和转矩补偿；d轴电流给定值计算需要考虑电压约束和交叉弱磁调节；谐振抑制需要考虑主动阻尼控制和电流补偿；无速度实现需要考虑低速下的高频信号注入方法、中高速下的滑模观测器方法和二者的平滑切换。整个控制策略如下图所示。 图片系统控制策略框图 项目成果具有多个技术特点，包括LC谐振抑制技术、网侧电流谐波控制技术、功率稳定控制技术、高功率的系统稳定性控制、大电压跳变下系统稳定性控制等。相比于现有方案，所研发产品所需电抗小，LC谐振抑制良好，网侧电流谐波抑制性能优良，系统稳定性和功率稳定性优良，可以实现高功率运行，力矩补偿区电流稳定且低频运行效果好。

研究成果包括完整的空调压缩机驱动控制策略，核心包括机侧电流单电阻采样策略、q轴电流给定值计算、d轴电流给定值计算、谐振抑制以及无速度实现。其中，q轴电流给定值计算需要考虑逆变器输入层功率跟踪控制和转矩补偿；d轴电流给定值计算需要考虑电压约束和交叉弱磁调节；谐振抑制需要考虑主动阻尼控制和电流补偿；无速度实现需要考虑低速下的高频信号注入方法、中高速下的滑模观测器方法和二者的平滑切换。整个控制策略如下图所示。

本发明公开了一种粗糙粘结界面粗糙度的临界值计算方法，包含步骤如下：(1)将一种材料的粘结界面处理平整光滑，然后制作两种材料粘结在一起的轴向受拉试件；(2)测定平整光滑界面状态下两种材料粘结界面的轴向抗拉强度σj；(3)测量两种粘结材料的轴向抗拉强度σ1和σ2，选择两种材料中轴向抗拉强度最小者作为临界值σmin；(4)确定粗糙粘结界面局部凸凹部分的平均间距d；(5)建立粗糙界面的粘结强度σj,c与σj、粗糙界面局部凸凹高差平均值h及粗糙界面局部凸凹部分的间距平均值d的关系；(6)令σmin＝σj,c，求得界面局部凸凹部分的高度临界值hmin；(7)如果实测值h大于hmin，则不会发生粗糙粘结界面剥离破坏，如果实测值h小于hmin，则会发生粗糙粘结界面剥离破坏。

本发明公开了一种同质包套热等静压成形方法，该方法采用热 等静压(HIP)/激光选区熔化(SLM)3D 打印复合工艺。本发明提出采用 SLM 成形出同质包套来解决传统方法成形复杂形状异质包套生产周期 长、制造成本高、包套除去过程繁琐、连接界面发生扩散反应污染制 件等问题。同时将同质包套内侧表面(在热等静压中与粉末相接处的面) 设计成梯度多孔渐变结构，使得热等静压后连接界面处组织呈现出梯 度变化结构，从而克服了因 SLM

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

成果产品生物质热解-提质成套装备与技术，主要用于将生物质转化为高品质的液体燃料，替代石油作为车用燃油。工艺采用国内外首创自热式单床内循环串行床对生物质热解，耦联“分级转化”（酯化-加氢）技术对热解生物油提质。

"强直性脊柱炎（Ankylosing spondylitis, AS）是 一种常见的自身免疫性疾病，好发于青壮年，临床 主要表现为炎性腰背痛和脊柱强直。A S患病率较 高，在我国达0.2-0.54%，但由于对疾病认识不足， AS患者的平均诊断延迟时间和漏诊误诊率较高，导 致总体致残率高达4-31%。 近年来，已有许多学者对AS的发病机制进行深 入研究，但AS具体的发病机制尚不明确。由于发病 机制不清，包括非甾体类抗炎药、生物制剂等现有 的治疗手段均难以改善AS患者的整体预后情况，且 具有一定的副作用。随着疾病的进展，患者将逐渐 出现脊柱、关节畸形，严重影响患者的生活和劳动 能力，给患者带来了沉重的心理压力和经济负担。 间充质干细胞（mesenchymal stem cells, MSCs） 是人体内重要的多能干细胞，具有支持造血干细 胞、免疫调节和多向分化等功能，是维持机体正常 生长发育、免疫稳态的重要细胞。 针对我们的前期基础研究成果，既然AS患者体内MSCs存在功能异常，那么正常MSCs输注能否有效治 疗AS？近年来，由于具有强大的免疫调节能力、低免疫原性、易于培养扩增等特点，M