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一种基于忆阻器的带宽可调的滤波电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其 操作方法,该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器 的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性,将忆阻器的工 作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式,通过改变忆阻器的阻值 改变滤波电路的带宽。编程电路由忆阻器、四个 NMOS 管以及四个 PMOS 管构成,一阶有源滤波电路则由忆阻器、电容以及运算放大器 构成。本发明还公开了一种基于忆阻器的带宽可调的
华中科技大学 2021-04-14
一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法, 电路包括编码电路和检索电路;编码电路可以根据事件本身及其相关 特征对事件进行编码并存储于电路中,通过擦除信号对已存信息进行 擦除,并将产生的记忆痕迹信号作为下级电路的输入信号;检索电路 能够将记忆痕迹信号和检索信号相互匹配进而产生相应的情景记忆行 为;本发明可以根据施加的相关脉冲操作,模拟生物的情景记忆行为。 完成人:缪向水、许磊、李祎、段念 
华中科技大学 2021-04-14
废电路板破碎分离回收铜残余非金属粉催化热解的方法
本发明公开了一种废电路板破碎分离回收铜残余非金属粉催化热解的处理方法,该方法是在非金属粉中加入碱性废渣混合均匀得到混合物,然后对该混合物进行热解,从而实现非金属粉与碱性废渣的共热解;碱性废渣中含有金属氧化物,能够促进热解产物的催化,使得得到的热解产物中,热解气中的溴含量下降,而被固定在热解残渣中的溴元素含量升高,热解焦油内含碳数为 5~10 的轻质油比例提高。本发明通过对关键共热解反应的反应参数、条件以及该反应所对应的微观作用机理等进行改进,与现有技术相比能够有效解决热解产物中的热解油以重质焦油为主 。
华中科技大学 2021-04-14
一种基于 FPGA 的模拟位同步时钟信号传输及提取电路系统
本实用新型涉及通信工程技术,具体涉及一种基于 FPGA 的模拟位同步时钟信号传输及提取电路系 统,包括 CLK 时钟信号,还包括 m 序列信号产生系统,模拟信道传输系统,位同步时钟提取系统;所 述 m 序列信号产生系统接 CLK 时钟信号,所述 m 序列信号产生系统、模拟信道传输系统和位同步时钟 提取系统依次连接。该提取电路系统适用时钟频率范围 1Hz~1MHz,频率精确度达到 10-5 数量级,检测 速度快(小于 3 秒),运行稳定,人机交互
武汉大学 2021-04-14
一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法, 可编程模拟电路包括:阻变元件、第一电阻、第二电阻、N 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管;第一电阻的一端作为可编程模拟电路的第一端口,阻 变元件的一端与第一电阻的另一端连接,阻变元件的另一端作为可编 程模拟电路的第二端口;N 型 MOS 管的漏极和 P 型 MOS 管的漏极均 连接至阻变元件的另一端,N 型 MOS 管的源极和 P 型 MOS 管的源极 均
华中科技大学 2021-04-14
表征太赫兹量子级联激光器多模效应的电路建模仿真方法
本发明涉及一种表征太赫兹量子级联激光器多模效应的电路建模仿真方法,首先建立表征 THzQCL 有源层内部载流子输运特性的多模速率方程组;接着建立表征ThzQCL内部多模态效应的物理方程模型; 然后通过变量代换和化简得到相应的等效电路模型;建立表征 THzQCL 输入端电气特性的等效电路模型; 建立表征 THzQCL 输出端光功率特性的等效电路模型;最后建立电路宏模型,包括一个电气端口和一个 光功率输出端口,基于电路宏模型进行光电性能仿真和输出光谱性能测试。本发明可测试温度对 THzQCL 各种光电性能的影响;可支持实现对 THzQCL 光电性能和输出多模效应的模拟和仿真。 
武汉大学 2021-04-13
3000型电工模拟数字电路三合一实验室设备
产品详细介绍1、实车动感模拟器(迈腾车型)系统组成:  实车动感模拟器(迈腾车型)由迈腾真车模拟驾驶舱、实车动感模拟器模拟驾驶软件、六自由度运动平台、计算机控制系统硬件、信号调理单元、系统控制软件等组成。更多产品:4D动感汽车模拟驾驶器、动感模拟器、整车改装模拟器、飞行模拟器、摩托车模拟驾驶器参考网址:http://www.bjzgjy.com/cn/          http://www.simulator.cc/                                                                 销售热线:010-67886161   010-67886262
北京紫光基业科教设备制造有限公司 2021-08-23
电工模拟数字电路电气控制四合一实验室设备
目前,国内各类学校电工、模拟、数字电路、电气控制实验大多是分体的,也有部分学校根据教学要求自制各种形式的实验设备,由于加工量少,受自身加工能力的限制,加工工艺粗糙,功能不全,满足不了实验要求,也容易发生人身及设备事故,且实验元器件繁多难购置、难以管理,很难开出实验大纲规定的实验。基此,我厂吸取德国及国内同类产品的优点,结合我国高教,职教教学大纲要求而研制本系列产品。   本系列产品的特点: 实验台具有较完善的安全保护措施,较齐全的功能。实验操作桌中央配有通用电路插扳,电路插板注塑而成,表面均布有九孔成一组相互联通的插孔,元件盒在其上任意拼插成实验电路;元件盒盒体透明,直观性好,盒盖印有永不褪色元件符号,线条清晰美观。盒体与盒盖采用较科学的压卡式结构,维修、更换元件拆装方便。元器件放置在实验操作桌下边左右柜内,实验时取存方便,大大提高了管理水平,规划化程度,大大减轻了教师实验准备工作。 适用范围: 适用于高等院校及要求较高的中专、技校、职业学校,可完成电工学、电工原理、电路分析、模拟电子技术、数字电路,电气控制设备等课程实验。该设备是现有实验室设备的更新换代或新建、扩建实验室的理想产品,它的配备是学校上水平、上等级的重要标志。 本系列设备实验台和实验操作桌结构和功能相同: 1、实验台构成与性能: 1.1. 电源及参数 1.1.1 输入电源:三相四线电源,输入时指示灯亮(SBK-528模电、数电实验室成套设备为单相三线输入) 1.1.2 电源输出:有保险丝和漏电保护开关二级保护功能。 A组:单、三相可调交流电源,提供三相0~430V连续可调的交流电源,同时可得到0~240V单相可调电源(配有一台1.5KVA的三相自耦调压器,配有三只指针式交流电压表,指示调压器输出电压)。注:SB-2003B模电、数电实验室成套设备无三相调压输出,改为一台0.5KVA单相0-250V输出。 B组:低压交流电压3-24V分七档可调,最大输出电流1.5A,电流表指示。 C组:低压直流稳压电源,电压5V,电流0.5A,电流表指示。 D组:双路恒流稳压电源,二路输出电压均为0~30V,由多圈电位器连续调节,具有预设式限流过载保护功能,输出最大电流为1.5A,每路电源输出有0.5级数字电流表、电压表指示。电压稳压度
芜湖中方科教设备有限公司 2021-08-23
TX-2003B型数字电路电子二合一实验室设备
本设备适用于高等院校及要求较高的中专、技校、职业学校,可完成电工学、电工原理、电路分析、模拟电子技术、教字电路,电气控制设备等课程实验。该设备是现有实验室设备的更新换代或新建、扩建实验室的理想产品,它的配备是学校上水平、上等级的重要标志。   一、用途、特点:    目前,国内各类学校电工、模拟、数字电路、电气控制实验大多是分体的,也有部分学校根据教学要求自制各种形式的实验设备,由于工量少,受自身加工能力的限制,加工工艺粗糙,功能不全,满足不了实验要求,也容易发生人身及设备事故,且实验元器件繁多难购置、难以管理,很难开出实验大纲规定的实验。基此,我厂吸取德国及国内同类产品的优点,结合我国高教,职教教学大纲要求而研制本系列产品。   实验台具有较完善的安全保护措施,较齐全的功能。实验操作桌中央配有通用电路插扳,电路插板注塑而成,表面均布有九孔成一组相互联通的插孔,元件盒在其上任意拼插成实验电路;元件盒盒体透明,直观性好,盒盖印有永不褪色元件符号,线条清晰美观。盒体与盒盖采用较科学的压卡式结构,维修、更换元件拆装方便。元器件放置在实验操作桌下边左右柜内,实验时取存方便,大大提高了管理水平,规划化程度,大大减轻了教师实验准备工作。   二、结构与配备 1、实验台桌:见彩图,一台二座,台桌外形尺寸:160X70X8Ocm。台桌中央配置通用电路板。每张台桌配一粒胶皮板,以保护通用电路板及桌面(如需要在其上放置电机、焊接等)。台桌下都是元件储存柜,放置元器件。 2、实验台:共12台,每张学生实验操作桌上配置l台 3、示教台:1台示教台,分别控制12台学生的电源,通用电路板演示屏立在实验台上,尺寸150X7Ocm,用于讲解、演示。 4、器材配备: 39只指针式1.5级直流电流表、13只MF500万用表,13只数字万用表.25套电烙铁和烙铁架、13套剥线钳、尖嘴钳、螺丝刀等工具,13套实验所需的电阻.电位器.电感、电容.集成电路.变压器.条形磁铁.逻辑电平开关、逻辑电平显示 .91只集成座等元件单元盒(元件已装在单元盒内),25张塑料凳。 5·用户自备器材:双踪示波器(型号不限),功率表、滑线变阻器、毫伏表 三、实验项目:   实验内容1、模拟部分实验 1·二极管的正、反相特性     2·晶体三极管的输入、输出特性  3·晶体管共射极单管放大器    4·两级阻客搞合放大电路     5·负反馈对放大器性能的影响   6·场效应管放大器        7·差动放大电路         8·运算放大器指标测试      9·集成运算放大器的基本应用(多种模拟运算电路)  10·集成运算放大器非线性应用(多种波形发生器)  11· 变压器耦合推挽功率放大器 12·OTL功率放大器 13· 集成功率放大器 14·单相桥式整流电路 15·串联型晶体管直流稳压电源(设计性实验) 16·集成直流穗压电源 17·单结晶体管特性 18·单结晶体管触发电路 19·晶闸管简单测试 20·晶闸管可控整流电路 利用上述20项实验元器件还可完成下面实验项目 l·电压负反馈偏置电路       2·分压式电流负反债偏置电路    3·用二极管穗定工作点       4·共基极放大电路         5·共集电极放大电路        6·共源极基本放大电路  7·场效应管共漏极电路 8·场效应管共栅极电路 9·单管阻客放大电路 10·变压器耦合放大电路 11·甲类功率放大电路 12·串联电流负反馈电路 13·串联电压负反馈电路 14·并联电压负反馈电路 15·串联型晶体管直流稳压电源(设计性实验) 16·共基共射极放大电路 17·自举射极输出电路  18·NPN一PNP直接耦合放大电路 19·用负反馈消除自激根箔 20·晶体管开关作用 21·变压器反馈式振荡电路 22·电容三点式振荡电路 23·电感三点式振荡电路 24·差动放大电路的基本形式 25·长尾式差动放大电路 26·双电源长尾式差动放大电路 27·运放用作交流比例放大 28·反相输入保护措施 29·同相输入保护措施 30·电源极性错接的保护 31·RC高通电路 32·利用三极管来保护器件 33·差动输入运算电路 34·快速积分电路 35·模拟一阶微分方程电路 36·模拟二阶微分方程电路 37·基本对数运算电路 38·实用微分电路 39·反对数放大基本电路 40·简单的过零比较电路   41·利用二级管作为上限检测幅度选择电路 42·下限幅度选择电路 43·RC无源网络的低通滤波电路 44·同相输入一阶低通滤波电路 45·反相输入一阶低通滤波电路 46·简单的二阶RC滤波电路 47·典型二阶RC有源低通滤波电路 48.典型二阶高通有源滤波电路 49·基本带通滤波电路 50·典型带通滤波电路 51·矩型波振荡电路 52·宽度可调的矩形波发生器 53·幅频可调的锯齿波发生器 54·单相半波整流电路 55·单相全波整流电路 56·电容滤波电路 57·电容滤波带电阻负载 58·RC滤波电路 59·基本LC滤波电路 60·二倍压整流电路 61·三倍压整流电路 62·基本稳压电路 63.基本调整管稳压电路 64·具有放大环节的稳压电路 65·单相半波可控硅整流 66·电子调压电路 67·电子催眠器一一趣味性实验一 68·电子门铃电路一一趣味性实验二 69·电子报警电路一一趣味性实验三 15·并联电流负反馈电路 2、数字部分实验 l·TTL集成迈林门的参数测试 2.CMOS逻辑门的参数测试 3.TTL集成电极开路门与三态输出门的应用 4·与、非·或、与非门电路实验 5·半加器电路实验 6·全加器电路实验 7.RS触发器实验 8.D触发器实验 9.JK触发器实验 IO·T触发器实验 11.JK型触发器转换成D触发器 12·D型触发器转换成JK触发器 l3。计数器实验 14·MSI移位寄存器及其应用 15·译码器及其变换方式 16·MSI数据选择器及逻辑设计 17·微分型单稳态电路  18·环形多谐振薄器  19·利用门电路构成编码器,分配器、选择器 20·组合电路的设计之一一一编码转换  21.组合电路的设计之二一一显示电路 22·同步时序电路的设计 23·计算机时序电路的设计 24·集成定时器测试及应用 25·CMOS集成A/D、D/A转换电路实验 26·二极管非门·或非门电路 27·三极管非门、与非门、或非门电路 28·异步十进制减法计数器 29·异步十进制加法计数器 30·综合能力培训实验一一电子秒表
芜湖中方科教设备有限公司 2021-08-23
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途: Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性 好等优点,在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来 说,靶材是至关重要的,它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻 温度系数(Temperature Coefficient of Resistance, TCR)等性能。电阻温度系数 (TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一,较大的 TCR 在温度变化时 会造成电阻值漂移,从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜 电阻器用高阻靶材,其性能不能满足低 TCR(≤25ppm/℃)要求。 技术原理与工艺流程简介: 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度 系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为 兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻 靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜 稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量 的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。 技术指标如下: 温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后 ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域: 集成电路、电子元器件 合作方式及条件:具体面议 2 半导体微环激光器 3 基光电集成电路 4 无线网络与应用:协作无线网络 5 移动通信—LTE 技术
天津大学 2021-04-11
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