北京科技大学特种陶瓷研究室开发出一种自蔓延反应烧结氮化硅/氮化硼复相可加工陶瓷材料，其应用前景极其广阔。 Si和N2合成Si3N4反应的绝热燃烧温度高，体积有所增加，生成棒状的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反应烧结氮化硅多孔陶瓷的强度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但烧结性能差。本项目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，当加工时，弱界面上会形成微裂纹，并沿弱界面发生偏转，耗散裂纹扩展的能量使裂纹扩展终止；当载荷继续上升时，在下层的弱结合界面处将产生新的临界裂纹再扩展；如此反复，使裂纹成为跳跃式阶梯状扩展，断裂渐次发生而非瞬间脆断，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本项目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉为原料的普通烧结工艺节约了原料成本。产品的基本工艺为自蔓延高温合成（燃烧合成）工艺，在气体高压反应器中进行，烧结所需要的能量完全由原料自身放热提供，与其他制备方法（常压烧结、热压烧结、反应烧结）相比较，不需要高温烧结炉长时间烧结，大大节省了能源。本项目工艺简单，烧结速度快，效率高。可制作复杂形状一维，二维的大尺寸陶瓷材料。抗弯强度已做到188MPa，材料可加工性能优良。 已获中国发明专利《ZL 200610089013.6自蔓延反应烧结Si3N4/BN复相可加工陶瓷的方法》。

产品详细介绍 TST5915动态信号测试分析系统 产品介绍 1.采用标准便携式进口机箱，全屏蔽机箱结构设计，有效的提高了现场抗干扰能力。 2. 每通道独立16位Σ-△A／D转换器，以及每通道独立的高性能浮点DSP，构成实时数字滤波+模拟滤波的高性能抗混滤波器。 3.采用DDS高精度频率合成技术，保证了所有通道并行同步采集。 4.采用DMA数据传输技术，保证了数据的实时传输、实时显示、实时分析、实时存盘。 5. 系统配置了多种前置信号调理器（ICP、应变、电荷等），实现了多种信号的同时测量。 6.单台计算机最多可控制512个通道进行同步实时采集,多台计算机通过网络连接，可扩展到4096通道。 7.多通道并行同步采集，每通道采样频率最高达到128K。 8.采用进口雷莫接插件，更好的保证了小信号的可靠传输。 9.采用Q-FAN智能温度控制系统，最大程度上减少了温度对测量结果的影响。 10.提供LABVIEW、VC、VB、CVI等开发平台的接口程序，方便用户二次开发。 11.提供多通道转速测量模块，方便用户对旋转机械运行状态进行监控以及故障诊断。 12.功能丰富的控制分析软件，以及模态分析软件，用户可以很方便的对采集数据进行操作和处理。 13.符合GB6587.1-86-11使用条件。 详细技术指标： 1.仪器接口：USB2.0、1394高速数据传输接口 2.扩展方式：并行 3.同步方式：同步时钟发生器 4.连续采样频率：      8通道同步采集，每通道最高采样频率128K;    16 通道同步采集，每通道最高采样频率51.2K;    32 通道同步采集，每通道最高采样频率25.6K;    64 通道同步采集，每通道最高采样频率12.8K;   128通道同步采集，每通道最高采样频率5.12K;   256通道同步采集，每通道最高采样频率2.56K;   512通道同步采集，每通道最高采样频率1.28K。 5.定制采样频率：用户在满足最高采样频率的条件下，可定制任意采样频率。 6.满度值: ±20mV、±50mV、±100mV、±200mV、±500mV、±1V、±2V、±5V、±10V、±20V;   7.线性度: 满度的0.05％; 8.失真度: 不大于0.5％; 9.系统准确度: 小于0.5％(F.S)(预热半小时后测量);  10.系统稳定度: 0.05％/h)(预热半小时后测量); 11.最大分析频宽: DC～50kHz; 12.输入方式：AC、DC、ICP、GND; 13.滤波器：      a.模拟滤波器：截止频率为 10、30、100 、300、1k、3k、10k 、PASS(Hz)八档分档切换；      b.DSP数字滤波器：截止频率为采样速率的1/2.56倍；      c.平坦度(分析频率范围内):小于0.05dB;       d.阻带衰减:-150dB/oct; 14.白噪声: 不大于5μVrms; 15.共模抑制: 大于100dB; 16.共模电压(DC或AC峰值): 小于±10V、DC～60Hz ; 17. 时间漂移: 小于3μV/小时； 18. 温度漂移: 小于1μV/℃； 19.A／D分辨率: 16位; 20.输入阻抗: 10MΩ或40PF; 21.触发方式：手动触发、外触发、信号触发;  22. 电源： AC220V（±10%）50HZ（±1 HZ）或DC  12V 23.使用环境： 适用于GB6587.1-86-Ⅱ组条件; 24.外形尺寸:   317mm（长）×236mm（宽）×88mm（高）(八通道);       317mm（长）×236mm（宽）×133mm（高）(十六通道);       317mm（长）×487m（宽）×133mm（高）(三十二通道)。  

产品详细介绍绝缘电阻表

产品详细介绍

项目成果/简介:福州大学化学学院/能源与环境光催化国家重点实验室创新团队的研究论文“Molecular-level insights on the reactive facet of carbon nitride single crystals photocatalysing overall water splitting”在国际顶级刊物《Nature Catalysis》在线发表。 氢气由于其能量密度高，燃烧后生成水清洁无污染，是未来能源的理想载体。太阳能光催化分解水制氢气被认为是获取氢能源的理想途径之一。开发高效廉价的光催化剂是光解水技术的核心。近年来，氮化碳光催化剂由于其制备工艺简单，价格低廉，无毒无污染等优点，受到了广泛的关注。 该工作以具有高结晶度的氮化碳光催化剂polytriazine imides（PTI）单晶为模型，研究了其在光催化全解水反应中的活性面。光催化全解水实验表明，PTI的性能与其{10-10}/{0001}晶面的面积比呈近似线性关系，进一步证实了{10-10}晶面是光催化反应的活性面。此外，{10-10}晶面比例最大的光催化剂在全解水中的产氢与产氧速率分别达到了１８６μmol／h和９１μmol／h，在３６５ｎｍ单色光照下的量子效率达到了８％，高于之前报道的结果。该论文从分子尺度上研究了氮化碳光催化剂的反应活性面，为高性能氮化碳光催化剂的发展提供了重要的研究基础。

福州大学化学学院/能源与环境光催化国家重点实验室创新团队的研究论文“Molecular-level insights on the reactive facet of carbon nitride single crystals photocatalysing overall water splitting”在国际顶级刊物《Nature Catalysis》在线发表。 氢气由于其能量密度高，燃烧后生成水清洁无污染，是未来能源的理想载体。太阳能光催化分解水制氢气被认为是获取氢能源的理想途径之一。开发高效廉价的光催化剂是光解水技术的核心。近年来，氮化碳光催化剂由于其制备工艺简单，价格低廉，无毒无污染等优点，受到了广泛的关注。 该工作以具有高结晶度的氮化碳光催化剂polytriazine imides（PTI）单晶为模型，研究了其在光催化全解水反应中的活性面。光催化全解水实验表明，PTI的性能与其{10-10}/{0001}晶面的面积比呈近似线性关系，进一步证实了{10-10}晶面是光催化反应的活性面。此外，{10-10}晶面比例最大的光催化剂在全解水中的产氢与产氧速率分别达到了１８６μmol／h和９１μmol／h，在３６５ｎｍ单色光照下的量子效率达到了８％，高于之前报道的结果。该论文从分子尺度上研究了氮化碳光催化剂的反应活性面，为高性能氮化碳光催化剂的发展提供了重要的研究基础。

1.项目简介：本设计了一种制备结晶氮化碳薄膜的装置，设有脉冲电弧放电的机构及电路，该电路由高压和电弧产生电路组成；该机构包括基板和与之相连的电加热器，设有半密封箱体，基板、电加热器和电极位于半密封箱体腔内，基板位于电极的下方或四周，设有2条带有控制阀的管道，分别通氮气和溶液，其下端深入半密封箱体腔内，通溶液的管道下端出口处于电极的上方。该装置能高效率、高质量地制备出结晶氮化碳薄膜，能方便地将结晶氮化碳薄膜涂层制备到管径较小的管道内壁，从而有利于结晶氮化碳薄膜的推广应用。项目已获实用国家新型专利权。2.技术特点：该发明解决了氮化碳薄膜低温常压沉积的困难，而且提供了能高效率、高质量地制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置。与其它方法相比，该发明的显著特点是：在常压下合成的产品主要为结晶氮化碳薄膜；沉积速率快，在大气环境下产生稠密的含碳、氮等离子体，从而提高了生产效率，利于推广结晶氮化碳薄膜的应用。

已有样品/n中科院半导体所是国内最早开展 GaN 基电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、 示范和带动作用。经过尽二十年的自主创新，攻克了 2 英寸和3英寸蓝宝石、碳化硅和硅衬底上GaN 基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻 GaN 外延材料、高迁移率 GaN 外延材料、高迁移率 AlGaN/GaN 异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，设计并研制出了多种具有特色的 AlGaN/GaN 异质结构电子材料，并实现了批量供片。市场预期：该技术是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）