|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
多元氧化物纳米薄膜及薄膜晶体管
北京工业大学
2021-04-14
一种泡生法蓝宝石晶体生长炉
一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，属于晶体生长装置，克服使用现有泡生法装置需要人工干预完成放肩过程的问题。本发明包括炉体、坩埚、坩埚盖、炉盖和籽晶杆，炉体内敷设有侧壁保温层和底部保温层，围绕炉体内的坩埚设置有侧面加热器和底部加热器，并设置有侧反射屏、底部反射屏和上部反射屏；所述坩埚盖由顶部圆盘和下部圆柱连为一体构成，下部圆柱底端为内凹曲面；工作时，坩埚盖的内凹曲面与熔液接触，可以简化放肩过程，并抑制熔液自然对流和表面张
华中科技大学
2021-04-14
二氧化碳晶体结构模型
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
二氧化碳晶体结构模型
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
供应各种窗片棱镜晶体等（定制）//长春博盛量子
产品详细介绍 滤光片滤色片（尺寸要求可定制）带通滤光片 截止滤光片 干涉滤光片 激光滤光片 荧光滤光片红光蓝光绿光可见光滤光片325nm-1064nm 产品名称： CS式滤光片支架 产品名称： 滤光片支架产品名称： 滤光片支架产品名称： 滤光片轮产品名称： 滤光片固定轮产品名称： 滤光片轮 FR 65 产品名称： 滤光片轮 FR 40 产品名称： 真空紫外滤光片产品名称： 激光线滤光片产品名称： 荧光滤光片产品名称： 拉曼滤光片产品名称： 光通信薄膜滤光片产品名称： Andover公司系列滤光片 产品名称： 双滤光片盒产品名称： AB系列滤光片 产品名称： AB系列全自动滤光片轮 产品名称： 滤光片轮产品名称： LDP系列滤光片 滤光片包含波段325nm355nm375nm387nm473nm488nm491nm532nm561nm632.8nm647.1nm670.1nm780nm785nm808nm830nm976nm980nm1047.1nm1064nm
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
三维高分辨电阻率勘探及直接成像技术
项目简介用直流电阻率法的单极-偶极装置在全测区形成相互交错的正交观测系统；应用该三 维高分辨电阻率勘探及直接成像方法可以克服现有二维高分辨电阻率勘探方法由于旁侧 效应引起的洞道定位不准，和洞道形状不确定的问题。较一般的三维高密度电阻率勘探 对地下洞道的敏感性高，真正实现了对地下分析分辨单元的多次覆盖测量。 性能指标 具有较强的抗干扰和剔除静态偏移的能力，易于实现测区的滚动测量和无缝衔接。 三
江苏大学
2021-04-14
一种皮肤电阻变异性在线监测仪
成果创新点 可用于医疗监测、运动状态评估、测谎仪等。 对皮肤电阻进行检测，可帮助了解自身的自主神经健 康状况，及时治疗。运动员可以通过皮肤电阻变异性检测 装置了解自身交感神经的活跃度，从而了解自身状况是否 适合运动、剧烈运动后是否得到充分休息。当人说谎时， 交感神经活跃度会不自主地提高，造成皮肤电阻下降，这 些数据可以在仪器上直观地呈现。 相对目前主流侵入性检测，本技术无需 24 小时动态
中国科学技术大学
2021-04-14
一种皮肤电阻变异性在线监测仪
可用于医疗监测、运动状态评估、测谎仪等。
对皮肤电阻进行检测，可帮助了解自身的自主神经健康状况，及时治疗。运动员可以通过皮肤电阻变异性检测装置了解自身交感神经的活跃度，从而了解自身状况是否适合运动、剧烈运动后是否得到充分休息。当人说谎时，交感神经活跃度会不自主地提高，造成皮肤电阻下降，这些数据可以在仪器上直观地呈现。相对目前主流侵入性检测，本技术无需24 小时动态连续检测，无需限制测试者的活动；设备简单，容易测量。采样频率为 10Hz，远大于市面上其他的皮肤电阻采集器，可连续工作达 5 小时。数据无线传输，受测者在测试过程中可从事的活动类型不再受限；数据采集中不需变换档位，数据采集连贯无跳变。装置嵌入分析程序，无需专业医护人员，即可直观了解自主神经系统的健康情况。
中国科学技术大学
2023-05-17
一种双地网接地电阻的测量方法
本新技术成果（发明专利：201010238708.2）针对高土壤电阻率地区采用外引地网来降低接地电阻时因主网和辅网相隔离较远的难以测量的现实问题，基于原创性且国际先进水平的理论成果，自主研发一种双地网接地系统接地电阻的测量方法。该方法计算简便，物理意义明显，克服工程应用中测量双地网布线麻烦的难点。目前，该测量方法已经得到了广泛的验证，显示出明显的效果。 该测量方法具有国际先进水平，可控性强、准确度高，填补了可信性自动验证的空白，有着广阔的应用领域。
西南交通大学
2016-06-27
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10