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XM-518肺泡放大模型
XM-518肺泡放大模型
XM-518肺泡放大模型示细末支气管分支、呼吸性细支气管、肺泡管、肺泡囊、肺泡，一侧肺泡管做纵断面，示肺泡囊、肺泡结节、肺泡膈的剖面结构，另一侧肺泡囊示其横断面的结构，并显示支气管动静脉、肺动静脉、毛细血管网、肺膜、平滑肌、弹性纤维和网状纤维。
尺寸：放大，26×15×35cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-610小脑放大模型
XM-610小脑放大模型
XM-610小脑放大模型放大4倍，可拆分为2部件，显示小脑的外形和内部结构，小脑水平切面可显示小脑内部结构，包括小脑中央核（顶核、球状核、栓状核和齿状核）等结构。
尺寸：放大4倍，40×23×16.5cm
材质：玻璃钢材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-617脑干放大模型
XM-617脑干放大模型
XM-617脑干放大模型放大3倍，置于底座上，显示脑干的外形和十二对脑神经在脑干的部位，并示延髓、脑桥、中脑三部分，上接间脑。
尺寸：放大3倍，17×15×33cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-611丘脑放大模型
XM-611丘脑放大模型（7部件）
XM-611丘脑放大模型放大5倍，可拆分为7部件，由丘脑前核内侧核、丘脑外侧核的背侧核团和腹侧核团、腹后内侧核以及丘脑枕等组成，多个功能区域用不同颜色表示，并显示丘脑各核团形态结构，共有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。
尺寸：放大5倍，18×13×13cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-840皮肤放大模型
XM-840皮肤放大模型
XM-840皮肤放大模型显示了不同层面的人类皮肤层次及毛发结构，展示了毛发、毛囊、脂腺、汗腺、皮肤感受器、神经和血管，置于基板上，放大70倍。
尺寸：放大约70倍，23×22×11cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
数模混合集成电路设计产品
模数转换器（ADC）芯片，是绝大多数电子系统中必不可少接口部件，进行了高速ADC结构、高性能运算放大器、高速采样保持、高精度基准电压源等方面的研究与设计，已经完成了10位40MSPS的高速高精度ADC芯片的色伙计与流片。
东南大学
2021-04-10
高频高功率密度GaN栅驱动电路
作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。
电子科技大学
2021-04-10
印刷电路板换热器关键技术
技术创新性和领先性 （1）构建了基于元胞自动机方法的蚀刻模型，并结合浸没蚀刻和喷淋蚀刻 实验，揭示了蚀刻时间、蚀刻液成分及浓度、温度、线宽等因素对印刷电路板换 热器换热板蚀刻速率、侧蚀、表面粗糙度等蚀刻质量和表面形貌的影响机理，建 立了在特定蚀刻液下蚀刻速率随各因素变化的半经验公式，掌握了可控的印刷电 路板换热器换热板蚀刻工艺。 （2）构建了基于分子动力学方法的扩散焊接模型，并结合宏观扩散焊接和 拉伸实验，揭示了压力、温度和表面粗糙度等参数对印刷电路板换热器模块的扩 散层厚度、焊接强度的影响机理，掌握了印刷电路板换热器换热芯体的扩散焊工 艺。 （3）研究了印刷电路板换热器内超临界二氧化碳、高温氦气等介质的传热 和阻力特性，掌握了印刷电路板式换热器的热力设计和结构设计方法，具备自主 研发新型高效印刷电路板换热器的能力。 图 1 多种结构的印刷电路板换热器换热板 图 2 扩散焊获得的印刷电路板换热器芯体和焊缝金相组织 （2）技术成熟度 相关成果荣获 2016 年舰船热能动力技术学术会议优秀论文二等奖、2015 年 第三届节能控排传热进展国际会议最佳论文奖和 2015 年中国工程热物理学会传
西安交通大学
2021-04-10
一种双钳位取电电路
本实用新型涉及一种双钳位取电电路，由二极管D1、共模电感L1、稳压二极管Z、电阻R、三极管Q及电容C构成，其二极管D1依次与共模电感L1、第三三极管Q3串联，第三三极管Q3的输出端连接第一电容C1、第二电容C2，其第一电容C1与第二电容C2之间为并联，其二极管D1与共模电感L1之间连接一保险丝F1，本实用新型的有益效果为：通过该取电电路，使得输出电压范围在18～36V之间，为后续的DC-DC芯片提供稳定范围的电压，减少因电源的波动造成系统的不稳定以及系统芯片的烧毁。
安徽建筑大学
2021-01-12
全透明薄膜晶体管及其电路
薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。
大连理工大学
2021-04-13