本发明公开了一种 SnS2/SnS 异质结薄膜太阳能电池的一次性制 备方法，该方法包括以下步骤：基片预处理，混合原料备用，真空获 得与基片加热，氩气等离子体清洗腔体和基片，等离子体增强化学气 相沉积法沉积异质结，真空退火冷却，制备 SnS2/SnS 异质结薄膜太阳 能电池，本方法中通过设置混合原料的比例，并设定反应源加热温度 数值 T 与反应沉积时间数值 t 的关系，就能在一次实验过程中先后沉 积出质量比较优异 SnS2 和 SnS 薄膜，从而直接一次性制备出太阳能电 池的核心部件 p-n 结，大大

本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池用导电碳浆，其包括有机 溶剂、粘结剂和导电填料，还包括无机添加剂，所述无机添加剂为 ZrO2 或 NiO 粉末，所述粘结剂占导电碳浆质量百分比为 6％～15％，所述 导电填料占导电碳浆质量百分比为 14％～20％，所述无机添加剂占导 电碳浆质量百分比为 3％～5％。还公开了一种钙钛矿太阳能电池用碳 对电极，采用如上所述的导电碳浆以丝网印刷方式制备获得。并公开 了一种钙钛矿太阳能电池，包括如上所述的碳对电极。还公开了一种 制备上述导电碳浆的方法。本发明导电碳浆不仅不会腐

《科学》报道材料学院周欢萍团队和张艳锋团队在钙钛矿太阳能电池的重要进展。

成功开发出了在正常太阳能辐射强度条件下能满足全天供热的锅炉-太阳能耦合工作的技术，保证了系统连续稳定运行；开发出了高效太阳能集热阵列（增加基于涂料分解反射聚光效应的高效集热器技术）；研发出一套具有一定生产能力和深入实验、改造能力的金属网基波纹管结构的相变蓄热样机；提高系统单位安装面积的集热量，保证全天候预热软水出水温度80-95℃并可产生不同温度蒸汽；开发出相应的锅炉结构、管线改造技术，精简锅炉结构；设备使用寿命20年。 首次将太阳能光热技术全天候昼夜应用于高能耗、高污染行业，例如：石化行业、皮革行业、印染行业；开发基于涂料分解反射的聚光技术及相关高效集热器技术高效太阳能集热装置，强化提高单位面积的产热量，适应工业化安装需求；将太阳能装置与锅炉耦合，不需要对厂区原来的设备进行大面积改装；使用自然对流+强制循环系统，满足部分行业（如石化行业）的生产要求；国内外首次开发就金属网基波纹管相变储热、换热装置，提高系统效率，改善太阳能的不稳定性，保证装置连续运作，符合大型工业的需求；可连续自动运行，节省人力，提高效率具有较好的经济性，前期投入可在5-8年内回收

该系统通过单片机对太阳能电池板进行跟踪控制,太阳能电池板转换的电能通过控制充 电控制器转换成 12V 电压,对能量进行存储、负载的使用和跟踪系统的工作。 该系统能够自动跟踪太阳运行轨迹，并且具有较强的抗伪光源，云层变化和其他干扰的 影响。在太阳能源利用领域具有较强的推广价值。 

EV-400高真空金属有机蒸发镀膜机 真空腔室：前开门真空腔体，方便取放基片、更换钨舟、添加蒸发材料以及真空室的日常维护保养； 真空系统：国产分子泵作为主抽泵，真空极限优于5.0✕10-5Pa（经烘烤除气后）；另可选进口磁悬浮分子泵或是低温泵作为主抽泵，真空极限优于3.0✕10-6Pa（经烘烤除气后）； 真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min； 蒸发源：4～6组欧美技术金属或是有机束源炉蒸发源可选，多源共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜，功能强大，性能稳定； 蒸发电源：真空专业蒸发电源，恒流/恒功率控制。电流、功率可预先设置，可实现一键启动和停止的自动控制功能； 基片台：最大120mm基片/15～25mmITO/FTO玻璃25片，可定制一体化高精度刻蚀掩膜板；基片台公转，转速0～20r/min连续可调； 基片台功能：衬底可选择加热（室温～300℃可调可控）或水冷，基片台可选升降，源基距最大350mm； 溅射电源：直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选； 膜厚监控仪：可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪； 可镀材料：可沉积金属（Au、Ag、Al、Ca、Cu、Mg、Fe、Cr、Ti、Ni等）、非金属、化合物（MoO3、LiF等）及有机材料，可拓展沉积单层膜、多层膜及混合膜； 控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空。

太阳能水蒸发技术是指利用太阳能从液态水中提取水蒸气，该技术可以用于污水处理和海水淡化，为发展环保、廉价的淡水生产技术提供了基础。

近期，西湖大学人工光合作用与太阳能燃料中心孙立成实验室在探索这一未解之谜的过程中取得进展。

对于空穴传输材料而言，最常见的小分子掺杂是双三氟甲烷磺酰亚胺锂和4-叔丁基吡啶。这两种掺杂的引入虽然可以提升性能，但是双三氟甲烷磺酰亚胺锂对于水较好的亲和力会使得器件的稳定性大幅下降。Solar RRL发表的成果中，许宗祥课题组找到了一种新型p型掺杂有机小分子Zn(C6F5)2来提高P3HT的载流子提取与传输性能，并进一步提升了其器件稳定性。

HMDS真空预处理烘箱产品用途:该产品主要用于半导体行业，HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。     一、产品规格： 型号：BD/HMDS-6090   内形尺寸：450×450×450     型号：BD/HMDS-6210   内形尺寸：560×640×600   二、 技术参数： 1、控温范围：RT+10～250℃  2、温度分辨率：0.1℃     3、温度波动度：±1℃ 4、达到真空度：小于133Pa 5、真空度：100Pa～100000Pa 6、定时范围：1～9999min 7、工作室材料：316L 8、样品架：2块、3块 9、真空泵：4L/S 10、电源电压：220V/50Hz、380V/50Hz三相五线制 11、总功率：3000W、4500W 三、产品特点： 1、外壳采用冷轧钢板制造，表面静电喷塑。内胆、样品机、连接管路均采用优质不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。 2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。 3、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。 四、HMDS预处理系统操作流程： 1、首先确定烘箱工作温度； 2、预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充入氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分; 3、再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应; 4、当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。 五、控制系统： 1、7.0英寸维纶彩色触摸屏，三菱PLC控制器； 2、富士微电脑双数显温度PID控制器，控温精确可靠； 六、保护系统： 1、漏电保护； 2、超温保护； 3、缺液保护；              七、设备使用条件： 1、环境温度：5℃～＋28℃（24小时内平均温度≤28℃） 2、环境湿度：≤85%R.H 3、操作环境需要室内通风良好,机器放置前后左右各80公分不可放置东西; 八、HMDS真空预处理烘箱服务承诺： 保修十二个月，免费送货上门,在对该设备安装调试结束后,在用户现场对相关技术人员免费做相应的操作培训,人数不限。