本发明公开了一种真空触发开关，包括密闭壳体；密闭壳体的 两端分别设有阴极和阳极，阴极包括阴极导杆、阴极触头和阴极触头 片，阳极包括阳极导杆、阳极触头和阳极触头片；阴极导杆和阳极导 杆均为中空的圆筒形，其上有螺旋状开槽；阴极触头和阳极触头均为 杯状结构，杯壁为圆筒形，杯底中心开有圆孔，杯壁上有螺旋状开槽； 阴极导杆和阳极导杆分别与阴极触头和阳极触头的杯底同轴紧密连 接，阴极触头和阳极触头的杯口分别与阴极触头片和阳极触头片紧密 连接。该开关避免了由于电弧集聚所带来的电极烧蚀问题，能有效阻止电弧中的金属等

本发明公开了一种触发型多棒极真空触发开关，包括密闭壳体； 密闭壳体由绝缘外壳及设置在绝缘外壳两端的阴极法兰和阳极法兰构 成；密闭壳体的两端分别设有阴极和阳极，阴极和阳极结构相同，均 包括电极底柱、电极平台和设置于电极平台上的多个棒状电极，阴极 的棒状电极与阳极的棒状电极相向延伸且相互交错排列，相邻棒状电 极的间隙宽度相等，且该间隙宽度与棒状电极顶端到相对的电极平台 的间隙宽度相等；阴极和阳极中分别设有阴极触发结构和阳极触发结 构。该开关可以保证无论主间隙的电压为何种极性，都能够稳定触发， 能满足电力

本发明公开了一种激光触发真空开关及其触发系统装置。激光 触发真空开关包括密闭壳体、第一电极主件、第二电极主件。第一电 极主件包括燃弧电极、第一电极法兰、第一电极平台、聚焦镜。第二 电极主件包括燃弧电极、第二电极法兰、第二电极平台、靶电极。触 发系统装置主要包括计算机、转换器、开关电路板、激光器和激光触 发真空开关。激光触发真空开关的工作电压高达 30kV，工作电流高达 500kA，不存在以往电脉冲触发高压隔离困难、触发稳定性差、使用寿 命短等问题，能有效降低激光触发能量，改善开关器件的延时与抖动。触

本发明公开了一种沿面击穿型两对棒极结构触发真空开关；触 发真空开关采用三段式结构，包括上段波纹状陶瓷外壳，下段波纹状 陶瓷外壳，中段金属屏蔽罩，设置在金属屏蔽罩内的上电极和下电极， 触发电极，上电极金属连杆，上电极法兰盘，下电极金属连杆以及下 电极法兰盘；上电极法兰盘与上段波纹状陶瓷外壳连接，下电极法兰 盘与下段波纹状陶瓷外壳连接，再与金属屏蔽罩共同构成密闭壳体； 通过上段波纹状陶瓷外壳连接上电极法兰盘，以及通过下段波纹状陶 瓷外壳连接下电极法兰盘能有效提高上电极法兰盘与下电极法兰盘之 间的爬电距离

VKV 型真空有载分接开关(以下简称分接开关）是一种典型的复合式分接开关，它把切换开关和分接选择器的功能合二为一，分接开关借助于开关头部法兰安装于变压器箱盖上。分接开关上还可加装转换选择器，有载分接开关不带转换选择器时，分接工作位置最多为12 个，带转换选择器时，分接工作位置最多为23 个。 VKV 型真空有载分接开关适用于设备最高电压40.5～126kV，最大额定通过电流600A，频率为50Hz～60Hz，三相接法为D接或Y接中性点调压的电力或工业变压器，在带负载的情况下变换变压器接头，来改变变压器的输出电压，以达到输出端电压稳定在规定范围之内;或根据载荷要求来达到增加或减少输出电压，以实现调整线路上的电压的目的。

本发明涉及半导体开关领域，提供了一种反向开关晶体管的触 发电路，包括预充电路、主电路、恒流充电电路和触发控制电路；主 电路包括 RSD 开关和主电容 C0；预充电路用于为 RSD 开关的导通提 供所需要的预充电流，恒流充电电路用于为主电路和预充电路充电， 当充电电压达到预设的电压阈值时，通过触发控制电路发出信号给预 充电路，预充电路发出预充电流给主电路中的 RSD 开关，RSD 开关导 通后主电路中的主电容 C0 放

本项目采用真空熔铸方法，解决了 Cu-Cr 合金铸造产生的成分偏析及组织不 均匀问题，得到的显微组织细化、成分均匀化，尤其是合金中 Cr 粒子的细化问 题，大幅度提高耐电压强度，同时又能保持铜的高导电性，触头的小型化才有实 现的可能。本方法还能回收利用生产废料，因此生产工艺更为环保。而且生产成 本大大降低，性能还有所提高。本项目制备的触头材料,性能与国内外同类产品 相比,在导电性,均匀性,组织细化等多方面全面领先。

随着集成电路工艺的进步，MOS管的特征尺寸越来越小，电路的工作电压也不断下降，栅氧化层的厚度也越来越薄，在这种趋势下，将可控硅ESD防护器件的触发电压降低到可观的电压值内，使用高性能的ESD防护器件来泄放静电电荷以保护栅极氧化层显得十分重要。本发明涉及可用于65nm半导体工艺的静电保护（ESD）器件，特别涉及低电压触发的SCR器件。    本发明提供一种采用新型技术减小器件的ESD触发电压的PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件。本发明采用PMOS进行触发NMOS导通，NMOS的导通电流触发SCR晶闸管，从而减小SCR器件的ESD触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间，PMOS首先被触发导通，PMOS开通之后，触发NMOS导通，NMOS导通后，其导通电流触发晶闸管SCR导通。晶闸管电流（SCR current）导通大部分ESD 电流，从而实验了ESD保护。

01. 成果简介  实时以太网是未来工业控制系统网络技术的发展方向。目前，实时网络技术中的最先进的技术之一为时间触发以太网（Time Triggered Ethernet）技术。时间触发以太网将时间触发技术的确定性、容错机制和实时性能同普通以太网的灵活性、动态性能以及“尽力而为”相结合，为同步的、高度可靠嵌入式计算与网络、容错设计提供支持。时间触发以太网起源于奥地利的维也纳技术大学，在工业控制、汽车电子、航空航天等领域得到了广泛的应用。  本团队研发了具有完全自主知识产权的时间触发以太网系统，系统性掌握了时间触发网络核心技术，具体包括高精度高可靠时间同步技术、基于全局时间的确定性调度技术、基于冗余链路的数据可靠性传输技术、基于线性规划的数据流规划技术和面向动态需求的快速数据流规划技术。形成了时间触发以太网交换芯片、接口芯片、交换机、终端接口卡和终端设备等原型产品，以及设计/部署/管理软件工具集。与同类产品相比，具有自主化、实时性、确定性、高可靠等技术优势。如下图所示，时间触发以太网为信息应用和控制应用提供了统一传输通道，同时保证了服务质量。图1. 时间触发以太网原理  根据工业通信和工业物联网解决方案独立供应商HMS Networks发布的2019工业网络市场份额报告显示，越来越多的工业设备正不断连接到工业网络，2019年新连接节点数预期可增长10%。其中，工业以太网的市场份额持续快速增长，而现场总线2019年将首次出现下降。工业以太网现占据新安装节点的59%（去年是52%），而现场总线占据35%（去年是42%）。根据当前的发展趋势，工业实时以太网市场将保持较快增长，本成果技术具有良好的产业化前景。02. 应用前景 本成果技术作为底层通信网技术，可被应用于汽车电子、航空航天、船舶装备、轨道交通、工业自动化等领域。03. 知识产权 已申请发明专利1项。04. 团队介绍 团队负责人为赵曦滨副教授、博士生导师，清华大学信息系统安全教育部重点实验室副主任，清华大学-中车四方所智能装备工业物联网联合研究中心副主任，中国自动化学会高级会员，中国自动化学会智能制造专委会委员。长期从事企业信息化、工业网络、工业网络安全、智能制造等理论与实践工作。近年来，作为负责人和主要成员主持参与了省部级以上项目等20余项，其中国家级项目（863、973和自然科学基金）19项，省部级科研项目7项，全国博士后基金项目1项。在国内外重要期刊上发表学术论文70余篇，其中SCI/EI收录60余篇，合作专著1部，申报发明专利30余项，其中已获授权5项。团队成员还包括万海副研究员。05. 合作方式 投融资。06. 联系方式 邮箱：wanhai@tsinghua.edu.cn、liuyi2017@tsinghua.edu.cn

该产品由我扬州大学以张瑞宏教授为首的团队经过十年的努力，攻克了许多技术难关，已完成了中试。 2005 年最终实现关键工艺上有所突破，特别是侧边封头工艺及一次性封接法在世界上处于领先地位，可大大简化生产工艺，大大降低生产成本。目前，根据扬州大学的生产工艺生产的真空平板玻璃可将其成本控制在 100 元/m2 左右。