本项目是通过控制液相还原条件下银纳米晶的成核和生长速度，可以得到单分散的、高结晶性的单晶银纳米粉；通过引入银纳米晶核，控制溶液相中均相成核和晶体的各向异性生长，可以制备单分散的、高结晶性的银微米粉，进而制得太阳能电池正面银浆。

产品详细介绍1.概述JM3840动静态应变测试分析系统(http://www.yzjmtest.com/comp/1-JM3840.htm)是一款支持静态和低速动态应变测试的高性能的动静态应变测试分析系统(或称准动态应变测试分析系统)，8点/台，200Hz/点，适合于低速(准动态)的应变测试场合，我们的动静态应变测试分析系统稳定性好，抗干扰能力强，广泛应用于桥梁、建筑物、飞机、船舶、车辆、起重机械状态测试。该动静态应变测试分析系统不仅能进行动态应变测试，还可以直接配接拾振器进行振动测试，给桥梁检测带来很大的方便。2.主要技术指标及性能2.1 量程：0 ～ ±20000με2.2 分辨率：1με2.3 采样速率：最高400Hz，多档可设置2.4 幅频特性：分析带宽内优于±0.2dB2.5 平衡方式：初读数平衡2.6 平衡范围：0 ～±19999με2.7 测点数：8点/台2.8 应变片阻值：60 ～ 1000Ω2.9 桥路形式：全桥、半桥、1/4桥（公共补偿，两片可选）2.10 采样方式：同步并行采集2.11 测量误差：±0.3% FS±2με2.12 系统支持设备数：不低于100台2.13 供桥电压：DC2V2.14 供电电源： AC220V/外接DC12～40V/系统DC12～40V3.系统软件功能全汉化的WINDOWS应用软件，方便直观的应变、应力、桥式传感器、拾振器等测试的参数设置功能。自动平衡、手动采样、连续采样]、定时采样等采样方式。经典的静态应变测试和动态测试分析的完美结合，可动态对测点参数及采集参数进行设置，具有丰富的数据表格及图形显示方式。可在线或事后进行应变、时域、频域、和幅域分析。软件支持Office直接调用的数据格式和开放的二次分析数据接口。扬州晶明科技有限公司扬州晶明测试技术有限公司地址: 江苏扬州市维扬路25号公司主页 http://www.yzjmtest.com公司邮箱 tech@yzjmtest.com电话     0514-87850416,87867922,82960507传真     0514-82960507联系人   唐先生手机     15952768463个人邮箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com 

产品详细介绍1.概述扬州晶明科技有限公司(http://www.yzjmtest.com/comp/3-JM5930.htm)生产的JM5930动态信号测试分析系统采用USB2.0接口，集信号调理、数据采集、信号分析与输出于一体的高性能、多功能系统。配接相应的传感器，可测量力、压力、加速度、速度、位移、应变、温度等各种工程量，构成振动冲击信号测试分析系统、动态应变测试分析系统，可直接替代进口设备，广泛应用于航空、航天、军工、高校、研究所、计量院、工矿企业等单位，作为检测计量系统。    扬州晶明科技有限公司扬州晶明测试技术有限公司地址: 江苏扬州市维扬路25号公司主页 http://www.yzjmtest.com公司邮箱 sale@yzjmtest.com电话     0514-87850416,87867922,82960507传真     0514-82960507联系人   唐先生手机     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com 个人邮箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com  2.系统特点2.1 高精度2.2 系统采用模块化设计，具有较高的可靠性及可维护性2.3 采用多种创新性设计，具有较高的性能2.4 系统具有较强的兼容性和工程适应性2.5 全电子化、程控化设计2.6 系统具有较强的可扩充性3.系统组成3.1 采集器主机3.2 调理单元3.3 系统软件4.主要性能指标4.1 通道数：16/84.2 AD位数：24 bits4.3 采样方式：并行同步采样4.4 采样速率：最高96KHz/CH，多档可设置4.5 精度：优于0.3%4.6 数据接口：USB2.04.7 采样触发方式：手动触发、定时触发、内触发（信号触发）、外触发4.8 采样长度：取决于设置或硬盘容量4.9 自动识别所配调理单元，并完成相关调理控制功能4.10 采用过采样技术，大大降低了对前置滤波器的要求，提升了系统的可靠性及精度4.11 在45%采样率以下平坦度优于0.02dB，55%以上衰减率大于120dB4.12 配套功能完善的采集控制软件 5、 JM3822应变调理模块性能参数本公司的应变模块可以配接绝大多数的信号输入,如上图所示5.1 通道数：25.2 信号输入类型：DC_STRAIN、AC_STRAIN、IEPE、DCV、ACV可选5.3 增益：应变（DC_STRAIN、AC_STRAIN）（V/V）： 100、300、1000、3000、10000、30000可设置IEPE、DCV、ACV增益（V/V）：1、3、10、30、100、300可设置5.4 应变测量范围： 0～±50000με5.5 应变适用桥路电阻： 50～10000Ω5.6 应变供桥电压：2V、3V、5V、10V可设置精度：0.2%电流：30mA max电平：输出对地对称5.7 自动平衡范围：应变：约8000μεIEPE、DCV、ACV：约±1Vp5.8 自动平衡时间：<1秒5.9 应变测量共模抑制比:≥80dB(DC～50HZ)5.10 精度应变：±0.5%±2μεIEPE、DCV、ACV：<±0.3%±2mV5.11 线性度：0.05%FS5.12 应变测量噪声：<1μεRMS RTI（输入短路、最大增益时）5.13 应变测量稳定度：温漂：零点：±2μVVTI/ /℃ 灵敏度：±0.02%FS/℃ 时漂：零点：±0.1%FS/ 2h（输入短路）灵敏度：±0.1%FS/ 2h 5.14 最大带宽（保证最大带宽点衰减率不大于-4dB）：DC_STRAIN、DCV：DC～100kHzAC_STRAIN、IEPE、ACV：0.3Hz～100kHz5.15 滤波器截止频率（-3±1dB，100kHz点-1dB ～ -4dB）： 30、100、300、1k、3k、10k、30k、100k Hz衰减率：约-12dB/oct5.16 输出：±5Vp/5mA5.17 过载指示：±4.7V±0.2V6、 JM5862电荷调理模块性能参数6.1 通道数：26.2 信号输入类型：Q、IEPE、DCV、ACV可选6.3 增益电荷（mV/pC）：0.1、0.3、1、3、10、30、100、300、1000、3000可设置IEPE、DCV、ACV增益（V/V）：1、3、10、30、100、300可设置6.4 IEPE工作电压：24V工作电流：约4mA6.5 积分、一次积分、二次积分可设置 6.6 精度：不积分：0.5%积分：3%6.7 最大带宽（保证最大带宽点衰减率不大于-4dB）：DCV：DC～100kHzQ、IEPE、ACV：0.3Hz～100kHz6.8 滤波器截止频率（-3±1dB，100kHz点-1dB ～ -4dB）： 30、100、300、1k、3k、10k、30k、100k Hz衰减率：约-12dB/oct6.9 电荷输入噪声（输入端旋接金属保护帽）：<3μV(最大增益折合至输入)6.10 输出电压：±5Vp/5mA6.11 过载指示：±4.7V±0.2V7、 JM5902转速模块性能参数7.1 配接电涡流传感器7.2 通道数:27.4 频率范围：DC～5KHz（±0.5dB）7.5 初始位置调零7.6 精度误差：＜1%7.7 输出：±5Vp8、数据采集分析软件8.1、信号调理、数据采集与信号分析功能一体化，方便使用。8.2、结构化的项目管理功能，直观明了。8.3、数据预处理：数据编辑和截取、选抽、去零点、数据平滑、趋势消除、微分积分、数字滤波等。8.4、时域分析：单踪时域分析（包括时域的特征统计）、利萨如图分析、自相关分析和互相关分析。8.5、频域分析：付里叶分析、功率谱分析、功率谱密度分析、频响函数分析、互谱分析、相干分析、脉冲响应函8数、冲击响应谱、倒频谱分析、最大熵分析等。8.6、提供了与office软件的接口功能：将数据文件转换成文本文件（.txt文件），Excel表格文件（.xls文件），及与功能强大的分析处理软件Matlab的数据格式转换功能。8.7、叶片疲劳分析软件。9、模态分析软件9.1、模态试验测量的数据可以直接用来进行模态分析，也可以将其它类型的数据（转为标准的UFF格式）导入项目进行模态分析。9.2、包括试验模态分析（EMA)和运行状态模态分析(OMA)。9.3、模态测试与分析软件特点：（1）方便的建模功能：有常见的线、面、圆、长方体、圆柱、球形模型等自动创建功能，并可由它们组合成需要的模型，并支持模型的编辑与修改。（2）多批次测量的数据可以对单批或其中几批数据进行分析以确认试验的有效性。（3）支持各种频谱分析功能，如频响的幅频、相频，实频、虚频，奈奎斯特图、脉冲响应函数，信号的自谱、互谱分析等功能。（4）模态识别：不仅能用于输入输出可测情况的传统试验模态分析(EMA)，而且还具有环境激励、仅有响应测量的运行模态分析(OMA)功能。（5）时域ODS和频域ODS：时域ODS用于观察机械结构在各时间点上的振动状态；频域ODS用于观测机械结构在各频率点上的运行状态振型，还可用于区分同一频率点在不同模态空间上的强迫振动振型。（6）模态参数列表和振型动画显示。（7）可方便地生成报告：识别所得模态参数输出方便，各种曲线存储为BMP或JPG文件，振型动画也可直接输出成AVI文件，方便生成多媒体试验报告。扬州晶明科技有限公司扬州晶明测试技术有限公司地址: 江苏扬州市维扬路25号公司主页 http://www.yzjmtest.com公司邮箱 sale@yzjmtest.com电话     0514-878504160514-8785041687867922,82960507传真     0514-82960507 0514-82960507联系人   唐先生手机     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com个人邮箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com 

CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积，等。

CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。 

CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。

一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法，工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理；钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内，在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃～850℃后即刻停止加热，使其随炉冷却至500℃～600℃保温3分钟～5分钟，然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100％，结晶性能好，表面均方根粗糙度较低，而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。

声表面波瓦斯传感器具有体积小、灵敏度高、工作稳定、生产成本低、易于集成化和无线化等独特优点，能够有效解决热催化式瓦斯传感器的零点漂移、定期维护难和维护费用高等问题，并且能弥补光学瓦斯传感器的占用空间大、传感占距长和传感分析复杂等不足，能有效提高煤矿瓦斯检测和预警技术，保证煤矿安全。成果获 2012 西安市科学技术奖三等奖；获批国家实用新型专利 1 项。

本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域，涉及一种Fe2O3纳米薄膜卷曲管的制备方法，利用电子束沉积镀膜技术和纳米膜卷曲技术，先制备单质Fe的纳米膜卷曲管结构，然后在空气气氛下退火得到Fe2O3纳米膜卷曲管；其制备工艺简单，操作方便，原理科学，无污染，环境友好，能够有效控制卷曲管的管壁厚度，制备的纳米膜卷曲管长度能达到几百微米。本发明在新能源、气敏、催化、等领域具有重要用途。

本发明公开了一种基于金属纳尖阵电极的电调透射光薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳尖高密度排布构成的一层纳米厚度的金属纳尖阵阴极和一层纳米厚度的平面阳极，该阳极由透光的纳米厚度的金属氧化物导电膜制成，阴阳电极间填充有由纳米厚度的透明光学介质材料制成的电隔离膜；在加电态下，金属纳尖阵阴极上可自由移动的电子被电极间所激励的电场驱控，向纳尖顶聚集，纳尖底部及相邻尖端间的平坦区域上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数自由电