本发明公开了一种氧化石墨烯掺杂的分子印迹聚合物涂层搅拌棒及其制备方法与应用。氧化石墨烯掺杂的分子印迹聚合物涂层搅拌棒包括玻璃毛细管、铁芯和萃取涂层，铁芯置于两端熔封的玻璃毛细管内，萃取涂层涂为化学键合在玻璃毛细管表面的氧化石墨烯掺杂的普萘洛尔分子印迹聚合物涂层。通过将用氢氧化钠溶液活化的玻璃搅拌棒浸入有氧化石墨烯掺杂的分子印迹预聚液的模具中，反应完成后取出得到氧化石墨烯掺杂的分子印迹聚合物涂层搅拌棒。本发明的氧化石墨烯掺杂的分子印迹聚合物涂层

本发明公开了一种 GO-TiO2 复合材料及其制备方法和在分离/富集重金属离子中的应用。本发明在GO 上原位合成了纳米 TiO2，对二者的比例进行了优化使氧化石墨烯和 TiO2 质量比为 1∶1~9，制备了兼有 GO 和 TiO2 优良性能的 GO-TiO2 复合材料，并成功用于分离/富集环境水样和底泥中的重金属和稀土元素。本发明

本发明公开了一种功能化氧化石墨烯修饰聚合物凝胶电解质及其制备方法和应用。功能化氧化石墨烯是指氧化还原活性物质通过氢键分子间作用力、醚键、酯键或酰胺键化学键作用力、Π?Π堆积分子间作用力与氧化石墨烯连接而成。具有单层或多层结构的功能化氧化石墨烯排列在多羟基高分子聚合物基体内，形成三维多级层间结构的功能化氧化石墨烯修饰聚合物凝胶电解质。所述的多级层间结构

本发明公开了一种三维氮掺杂石墨烯复合材料及其制备方法和在电化学生物传感中的应用。本发明 借助三维氮掺杂石墨烯高比表面积、良好的生物相容性、高导电率的特性，构造三维氮掺杂石墨烯复合 材料，首先以泡沫材料为基底，在含惰性气体、氢气及碳源与氮源条件下，利用化学气相沉积方法（CVD 法），得到含基底的三维氮掺杂石墨烯；然后对三维氮掺杂石墨烯进行刻蚀、清洗处理得到三维氮掺杂 石墨烯复合材料。将三维氮掺杂石墨烯与酶/非酶材料进行复合，得到相应的三维氮掺杂石

本发明公开了一种纳米钯-石墨烯三维多孔复合电催化剂的制备 方法，包括：将泡沫镍依次采用冰醋酸、丙酮、乙醇和去离子水进行 清洗；制备质量浓度为 0.5mg/mL～10mg/mL 的氧化石墨烯水溶液，然 后将泡沫镍直接浸泡到其中静置反应，形成三维多孔结构的泡沫镍-石 墨烯产物；将泡沫镍-石墨烯产物直接浸泡在摩尔浓度为 0.05mmol/L～ 1mmol/L 的氯钯酸钾水溶液中，反应结束后取出即可生成具备三维多 孔结构并且

本发明公开了一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及 应用。所述复合膜，包括纳米石墨烯底层和纳米氢氧化钴表层，所述 纳米石墨烯底层厚度在 4000nm 至 6000nm 之间，所述纳米氢氧化钴表 层厚度在 50nm 至 100nm 之间，所述纳米氢氧化钴表层均匀沉积在所 述纳米石墨烯底层上。其制备方法，包括以下步骤：将氧化石墨烯均 匀分散于水中，涂敷在片状导电基底上，干燥得到纳米氧化石墨烯膜； 组建三电极体系采用

（专利号：ZL 201410081975.1） 简介：本发明公开一种超级电容器用中空球形多孔石墨烯的一步法制备方法，属于炭材料制备技术领域。该方法以可塑性的煤沥青为碳源，纳米氧化镁为导向模板，氢氧化钾为活化剂，三者干法研磨混合后的混合物转移至刚玉舟中，置于管式炉内在常压或负压的条件下进行加热，一步法制得超级电容器用中空球形多孔石墨烯材料。本发明直接以富含芳环、廉价的煤沥青为原料，大大简化了制备工艺，增加了操作安全性。本发明具有工艺简单、成

本发明公开了一种石墨烯-碳纳米管复合全碳超轻弹性气凝胶及其制备方法。它包括以下步骤：（1）将1重量份的氧化石墨烯分散于10~4000重量份的水中形成氧化石墨烯分散液；（2）将1重量份碳纳米管分散于5~4000重量份的氧化石墨烯分散液中，得到氧化石墨烯-碳纳米管分散液；（3）将氧化石墨烯-碳纳米管分散液进行冷冻干燥或超临界干燥，得到氧化石墨烯-碳纳米管复合气凝胶；（4）将氧化石墨烯-碳纳米管复合气凝胶采用化学还原法还原或高温热还原法还原，得到石墨烯-碳纳米管复合全碳超轻弹性气凝胶。本发明的工艺简单，过程绿色环保，所得到的全碳超轻气凝胶具有低密度、高导电率、高比表面积、弹性温度范围广等优点。

本发明公开了一种超高比表面积硫氮共掺杂多孔石墨烯的制备 方法及产品，该方法包括：选用含角蛋白的生物质材料为原材料，以 其同时作为固体碳、氮、硫原料，首先初步碳化，再通过碱性溶液减 压吸附，再经过高温活化处理，然后酸洗真空干燥得到石墨烯。利用 角蛋白特殊链状及环状结构，将生物质角蛋白直接转化为超高比表面 积的硫氮共掺杂多孔石墨烯。石墨烯的氮含量可高达 5.0at.％以上，硫 含量达 1.0at.％以上，比表面积高达 1

石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星，开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料，石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外，还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而，石墨烯作为一种典型的半金属材料，它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来，它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来，人们一直致力于解决这一关键问题，最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是，在打开石墨烯带隙的同时，保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试，至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径，寻找新的具有超高载流子迁移率（线性色散）的二维材料，如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等，它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是，迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到：钙钛矿材料具有多样的组成和结构，如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等，为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外，钙钛矿结构中阳（阴）离子价态的劈裂和置换，阳（阴）离子的混合等，为组分工程提供了更多的可能性，从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构（带隙和电子色散）及物理、化学性质，为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注：左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图，中图为它的三维线性色散能带图（带隙0.5 eV），右图为它的光吸收系数，并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近，他们在硫化物钙钛矿的研究中，意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料，它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散，直接的本征准粒子带隙0.5 eV，超小载流子有效质量0.04m0，室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1，光吸收系数高达105 cm-1（超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3）, 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路，并进一步促进半导体产业的发展。