本实用新型公开了一种铁磁性细长构件轴力检测装置，包括磁化器和磁感应强度测量装置，所述磁化器上固定安装有基座，所述基座上固定安装有多个磁敏感元件，所述多个磁敏感元件排列在一条直线上，该多个磁敏感元件分布在磁化器同一侧或左右对称分布在磁化器的两侧，位于磁化器同一侧的相邻两个磁敏感元件间距相等，每个磁敏感元件分别通过导线连接有一插座，磁感应强度测量装置上连接有能插接到插座上的插头，所述磁感应强度测量装置上连接有数据计算装置。本检测装置现场安装检测操作方便，可方便地实现铁磁性细长构件轴力的检测。

本发明公开了一种导磁构件超强磁化漏磁检测方法及装置。该方法采用单一穿过式磁化线圈对导磁构件进行局部单一轴向超强磁化，激发出其上纵、横向伤的泄漏磁场并利用磁敏元件阵列加以拾取，实现其上纵、横向伤的全面检出；再通过信号求和比较法进行纵、横向伤检出信号区分并对其进行信号幅值补偿，实现同损伤当量的纵、横向伤等信号幅值与灵敏度的统一判断。装置包括穿过式线圈、磁敏组件，信号识别补偿组件和数据采集卡。本发明将传统的检测方法进行简化与统一，降低成本；实现导磁构件与检测单元之间简单的直进式相对扫查运动，完成高速高效地

本实用新型公开了一种管外漏磁检测装置的爬行单元，该爬行单元包括主动 V 型轮、减速器、从动 V 型轮、衔铁和永磁体，其中主动 V 型轮连接在主动轮支架的下方，并且该主动轮轴端同轴安装有第一链轮随其同步转动；减速器直接固定在主动轮支架的上方且其输出轴端安装有第二链轮；主动轮支架的水平侧还设置有从动轮支架，从动 V 型轮通过从动轮轴连接在从动轮支架的下方；此外，在主动 V 型轮与从动 V 型轮之间还设置有衔铁，并且该衔铁的下部两侧左右对称地安装有极性相反的两个永磁体。通过本实用新型，能够很好地适应工业现

本发明公开了一种芯片位置和倾角检测装置，包括光源组件、光路传输组件、摄像组件以及自准直仪，其中光源组件由分别对应于芯片和基板的第一、第二光源构成；光路传输组件由第一、第二和第三半透半反棱镜以及第一、第二反射镜共同构成，由此在同一光路系统中实现对芯片和基板位置的检测；摄像组件由具备不同视野的第一和第二摄像单元构成，其中第一摄像单元用于采集芯片或基板的大视野图像，根据 MARK 点实现初步定位，第二摄像单元用于采集其具体位置图像；自准直仪用于获取代表芯片水平倾角信息的法线倾斜量。本发明还公开了相应的检测

本发明涉及电力检测技术领域，公开了一种电力工程用的安全检测装置，包括电力安全检测装置、支撑腿、气体泄露检测机构、电力数据检测机构和冷却除尘机构，支撑腿的上端连接有伸缩柱，伸缩柱安装于电力安全检测装置的底部，支撑腿的底部固定设有底座，气体泄露检测机构转动连接于电力安全检测装置的右侧上端，电力数据检测机构固定分布于电力安全检测装置的左侧上端，冷却除尘机构设于电力安全检测装置的左侧下端。本发明适应不同工作环境的需求，实现了三维空间内的灵活调节准确检测气体泄露，实现了检测线路自动收放，确保了检测线路与电力工程设备之间的稳定连接检测，既能预防过热故障进行吹风冷却，又能吸风除尘。

本发明涉及果蔬检测设备技术领域，公开了一种便携式果蔬内部腐烂变质检测装置及其检测方法，包括：箱体，在所述箱体的内部构造有容纳空间；设置在所述容纳空间中并用于照射待测果蔬的光照结构；设置在所述箱体的内部并能够沿所述箱体的纵向进行上下往复运动的果蔬支撑结构；设置在所述箱体的内部并位于所述果蔬支撑结构的下方的光谱传导器件，用于传导待测果蔬中的光谱信号；设置

半焦是利用低变质非炼焦煤低温干馏所制得的固体产物，以其固定碳含量高（ >82% ）、电阻率高、化学活性高、灰分低（ <6% ）、低铝、低硫（ <0.3% ）、低磷等特性，已逐步取代冶金焦而广泛应用于电石、铁合金、碳化硅等产品的生产。在半焦生产过程中，约有 10% 的半焦焦粉因粒度小，不符合生产工艺要求而未能加以利用。本项目 通过在半焦焦末中添加金属、金属化合物或非金属及其化合物并进行中低温热处理，在比通常石墨化所必要的温度更低时进行石墨化，并且因为金属或非金属粒子与碳原子的结合可同时实现功能化石墨粉的制备。可作为功能材料、添加剂、电极材料、贮氢材料等，广泛应用于国防和民用领域，成为现代工业及高、新、尖技术发展必不可少的非金属材料。

本发明公开了一种缺陷态结构声学超材料板，包括弹性薄膜，两块复合材料板以及若干个质量片，其中，两块所述复合材料板分别粘接于弹性薄膜上下两侧，所述复合材料板上设置有周期性排列的开口，若干个所述质量片分别设置于开口处的弹性薄膜上，所述质量片在分布中具有缺陷态结构。本发明提供的缺陷态结构声学超材料板，结构简单，设计性好，所使用基础材料皆为常规材料，易于批量化加工、生产，值得在业内推广。

本发明公开了一种芯片连晶缺陷识别方法，该发明主要用于在 芯片制造过程中识别含连晶缺陷的不合格芯片；包括三个步骤：步骤 一，对采集到的芯片图片进行模板匹配，定位出芯片的位置，根据芯 片的位置，对图片进行截取；步骤二，对截取获得的图片进行预处理， 增大芯片基体与背景的差别；步骤三、对经过预处理的图片进行分割， 获取 blob 块，对 blob 块进行特征分析：首先以面积为基准判断出是否 含连晶缺陷；对面积正常的 blob 块，获取其 blob 块最小外接矩形的中 心点以及四边中点的位置，以中心点以及四边

石墨烯作为化工新材料是目前的研究热点，其规模化制备是难点。超重力旋转床作为一种新型反应器，在化工过程强化等领域具有总要的应用，且无明显放大效应。以超重力旋转床作为石墨（氧化石墨）剥离和还原的反应器制备石墨烯，具有效率高、产品质量及应用性能好等特点。目前已达到中试水平。 本技术属于石墨烯制备技术领域，具体涉及到用超重力法以石墨为原料制 备高性能石墨烯的方法。石墨烯是目前发现的唯一存在的二维自由态原子晶体，是构成石墨、碳纳 米管、富勒烯等碳材料的基本结构单元，具有优良的导电性、导热性、高强度、 高透明度和超大的比表面积及良好的生物相容性，在复合材料、电子器件、电 能储存装置、生物传感器、催化剂载体等领域具有良好的应用效果及前景，是 目前最热研究领域之一，也有大量的潜在需求。实现其高性能低成本规模化制 备是其应用的前提和保障，因此更是人们关注和研究的焦点。 现有的石墨烯制备方法很多，如：机械剥离、化学气相沉积、液相剥离法、 化学氧化-剥离-还原、碳纳米管切割以及完全有机合成等。在这些方法中，机 械剥离法虽然能得到高性能的石墨烯，但产量很小，主要用于科学研究；化学 气相沉积法虽然可合成量较大的产品，但设备复杂且成本较高，限制了其应用； 完全有机合成法得不到大面积的石墨烯片。低成本剥离法和化学氧化-剥离-还 原法通常以廉价的石墨为原料，在低温常压下进行制备，其成本较低且易放大规模，是石墨烯规模合成的重点研究方向。 目前用于剥离的装置主要有超声波清洗器、微波炉、球磨机、超临界装置 等。在这些装置中，超声波清洗器虽然使用的最多，但其剥离时间长、产率低、 对石墨烯片的晶体完整性和结构破坏大，影响其导电性和其他应用性能；微波炉剥离利用微 波炉加热集中、功率大的特点，加热使石墨或预氧化石墨迅速膨胀，达到剥离 的效果，该方法过程较为剧烈，产物损失不可控，而且所得到的石墨烯缺陷较多；球磨机制备出来的石墨烯片小；超临界装置制备成本高、需要反复多次剥离才能达到较好的效果， 不适于规模化连续生产)。所以如何找到一种可以大规模剥离且对石墨烯性能影响小的剥离方 法和装置是本领域需要解决的一个问题。 超重力技术是利用比地球重力加速度大得多的超重力环境对传质、传热过 程和微观混合过程进行强化的新技术，在地球上通过旋转产生模拟的超重力环 境而获得。它能够大幅度提高反应的转化率和选择性，显著地缩小反应器的体 积，简化工艺、流程，实现过程的高效节能，减少污染排放。在超重力旋转床 内气体呈连续相均匀分布，液体被分散成大量的液滴、液丝和液膜，具有极大 的比表面积。研究表明：在超重力环境下相间传质速率比传统塔器提高1～3 个数量级，微观混合和传质过程得到极大强化。超重力过程强化技术已被大量 用作需要对相间传递过程进行强化的多相过程，和需要对相内或拟均相内微观 混合强化的混合与反应过程，并达到了工业化水平或中试水平。目前还没有出 现过将超重力技术应用在石墨领域的例子。 本项目要解决的技术问题是提供一种超重力法制备石墨烯的方法；通过对 石墨进行预处理，使石墨的层间距增大，之后在超重力旋转床中剥离预处理石 墨，得到石墨烯；该制备方法简单易行，低成本、高产量，适合大规模生产， 具有广泛的应用前景，该方法制备的石墨烯具有很高的导电率和极少的缺陷。 本发明提供一种超重力法制备石墨烯的方法，包括以下步骤： 1）以石墨为原料，对石墨进行预处理，使石墨的层间距增大，得到预处 理石墨； 2）在超重力旋转床中剥离预处理石墨，得到石墨烯。