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HZK series using new numberic mainboard: multiple mainboard technology, higher integration project. HZK series balance has many different application, multiple intelligent anti-shock technology, temperature compensation with whole range, multipoint linearity calibration and so on. Highly compatible software program widely satisfy user’s advanced request of high precision balance. Main Specification Item No. HZK-FA110s HZK-FA210s HZK-FA300s Weighing Range 110g 210g 300g Readability 0.1mg 0.1mg 0.1mg Repeatability ±0.1mg ±0.2mg Linearity ±0.2mg Work Temp 18°C – 23°C, 80%RH Pan Size Ø90mm Housing（L×W×H） 345×223×331   Main Characteristic Sensor Structure Super Monoblock Sensor Calibration Way Automatic intelligent internal CAL Anti-vibration Level Six level anti-vibration adjustable function Housing Aluminum Base+ABS Top Shell+Anti-static Glass  Display VATN Backlit LCD Display Stable time 3-10s Adjustable Unit g, mg, ct, oz, ozl, dwt, GN, lb, N, dr, tlT, tls, tlH, T(Tola), T/A/R(tola/anna/rati), /A/R（tola/Mna/rati）, ms（Mesghal）, bat, /lb（Parts per pound）,kg，20units selectable Interface RS232/USB Weighing Mode Lock Weighing Mode Lock Automatically Underhook Fit with Underhook Power AC adaptor   Application Mode Percentage Weighing Peak Holding Function Density Weighing Computing Function Dynamic Weighing High Low Limit Alarm Counting Function Gross/Net/Tare Weight Weighing Accumulating Function  

本成果获发明专利授权。在多年新型多孔铁合金材料研究的基础上，以自制的纳米铁合金粉末为原料，通过与美国圣地亚哥州立大学粉末技术实验室合作，成功的制备了具有微纳米多孔结构的块体铁合金材料，该合金不但具有高的孔隙率、大的比表面积、还表现出了优异的力学和减震性能，通过对对工艺的控制可以实现10%～50%孔隙率的超细晶多孔铁合金的制备，当孔隙率在50%左右时，压缩强度依然可以达到600 MPa以上，比目前市场上销售的高致密普通粉末冶金制品的强度高200 MPa左右。在轴承、齿轮、减震垫板、能量吸收装置等关键零部件上有很好的应用前景，潜在的应用价值和市场空间非常巨大。部分研究成果得到了世界著名粉末冶金专家Randall M. German教授的高度评价。

目前在工业上广泛采用的CVD技术制备硅膜，工艺和设备复杂，成本高，且在安全和环保环节上投入巨大。我们在国内首创出了微晶硅薄膜的PVD法沉积工艺，在温度低于300度的条件下，在单晶硅片和普通玻璃片上制备出不同结晶度的微晶硅薄膜和纳米结构硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生长的微晶硅薄膜，并实现了控制工艺的稳定性和可重复性。利用磁控溅射技术成功实现微晶硅薄膜的制备是一项重大突破，从根本上克服了现有技术的缺点，具有绿色、高效、简单等优点。目前需要合作伙伴，把该实验室技术放大到工业规模。

本发明公开了一种通过施加低电平脉冲实现微纳尺寸 GST 相变 材料非晶化率连续变化的控制方法，包括控制非晶化率连续单调增大 和连续单调减小的操作，通过利用两个或两个以上的连续脉冲的幅值、 宽度和间隔等三个参量综合自适应变化精确控制焦耳热产生，继而实 现 GST 相变材料晶化率的连续变化，具体包括步骤：对相变存储单元 施加具有一定参量的两个或两个以上的连续脉冲；在连续脉冲的作用 下，相变材料获得一定的热量，使部分相变材