本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜，重点研究掺锌氧化铟(IZO)透明氧化物半导体薄膜;筛选合适的介质层材料，研 究和制备优质致密的透明介质层薄膜;研究制备掺钨氧化铟(IWO)高 迁移率 TCO 薄膜，使其与 TOS 薄膜具有良好的电接触特性;研究制 备采用上述透明导电氧化物电极、透明氧化物半导体沟道层和透明介 质层构成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各种工艺技术对 I-V 特

一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，属于晶体生长装置，克服使用现有泡生法装置需要人工干预完成放肩过程的问题。本发明包括炉体、坩埚、坩埚盖、炉盖和籽晶杆，炉体内敷设有侧壁保温层和底部保温层，围绕炉体内的坩埚设置有侧面加热器和底部加热器，并设置有侧反射屏、底部反射屏和上部反射屏；所述坩埚盖由顶部圆盘和下部圆柱连为一体构成，下部圆柱底端为内凹曲面；工作时，坩埚盖的内凹曲面与熔液接触，可以简化放肩过程，并抑制熔液自然对流和表面张

产品详细介绍 滤光片滤色片（尺寸要求可定制）带通滤光片 截止滤光片 干涉滤光片 激光滤光片 荧光滤光片红光蓝光绿光可见光滤光片325nm-1064nm 产品名称： CS式滤光片支架 产品名称： 滤光片支架产品名称： 滤光片支架产品名称： 滤光片轮产品名称： 滤光片固定轮产品名称： 滤光片轮 FR 65 产品名称： 滤光片轮 FR 40 产品名称： 真空紫外滤光片产品名称： 激光线滤光片产品名称： 荧光滤光片产品名称： 拉曼滤光片产品名称： 光通信薄膜滤光片产品名称： Andover公司系列滤光片 产品名称： 双滤光片盒产品名称： AB系列滤光片 产品名称： AB系列全自动滤光片轮 产品名称： 滤光片轮产品名称： LDP系列滤光片 滤光片包含波段325nm355nm375nm387nm473nm488nm491nm532nm561nm632.8nm647.1nm670.1nm780nm785nm808nm830nm976nm980nm1047.1nm1064nm

适用范围：     可用于农业、林业、环保、地质、化工、食品等部门以及高等院校、科研部门对植株、种子、饲料、食品、土壤、矿石等消化     仪器特点：*温度可控，样品还原性好。*加热体（模块）采用红外加热，石英管辐射，耐强酸强碱、防爆裂，寿命长，符合CE标准*炉孔温度和升温速率连可调，升温速度快且杜绝挂壁 *消化管受热面积大、温差小，样品消化一致性好，热效率高 *仪器具有过压、过流、过热等多重保护，实验操作安全可靠*采用双开关，电源和加热单独控制，便于安全参数设置，节约能源。*采用新一代数显控温仪，PID智能控制技术，控温精度高。 *仪器有不锈钢排污系统，使消化管内逸出的SO2等有害气体，通过排污管经抽吸泵从水中排入下水道，有效地抑制有害气体的外逸，消化管，消化架，冷却架。 *整机采用放腐蚀处理，避免实验过程中酸性液体对机器的腐蚀； *可选配：样品防爆器          液晶触摸屏（可存储实验方案5000组）          SF-100废气中和系统   技术参数：   型号 SKD-08S2 SKD-20S2 SKD-18S2 SKD-48S2 不锈钢排废系统 有 有 排废小漏斗 排废小漏斗 控制方式 数控（定时+64阶程序升温） 加热方式 红外加热，石英辐射 炉孔数量 8孔 20孔 18孔 48孔 控温范围 室温-680℃ 室温-680℃ 室温-680℃ 室温-680℃ 升温速度 10分钟（400℃） 20分钟（400℃） 15分钟（400℃） 25分钟（400℃） 双保温层 硅酸铝和空气双层保温 温度波动 ±1℃ 电压 AC220V 功率 1600W 1950W 1600W 1950W 消化管尺寸 42mm*300mm 42mm*300mm 25mm*300mm 25mm*300mm 选配   液晶触摸屏（可存储实验方案5000组）     液晶触摸屏（可存储实验方案5000组）    

大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段

本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。

强度和韧性的“倒置关系”是材料研究领域长期存在的难题。大量的实验表明，随着金属材料内部晶粒尺寸的降低，在强度获得提升的同时，韧性将大打折扣。目前，广泛采用的高强材料韧化策略有：（1）改变组分，通过引入和调整材料的多种主要元素，同时激活多种塑性变形机制，高熵合金材料就是采用这种思路；（2）改变微结构，在材料内部引入一种或多种梯度分布的微结构，避免由于特征长度突变带来的性能突变，有效克服金属材料强度和韧性的失配问题，这种材料被称为梯度纳米结构材料。 图1 梯度结构金属材料的类型（摘自：李毅，梯度结构金属材料研究进展，中国材料进展，2016, 35: 658-665）人工制备的梯度纳米金属结构主要包括以下几种：梯度晶粒，梯度位错，梯度孪晶，梯度固溶物，梯度相，以及包含两种以上的梯度混合结构。在已经发展成熟的金属材料内部引入梯度纳米结构，可以进一步提高其强韧性匹配能力。例如，通过表面研磨处理（SMAT）在孪晶诱发塑性（TWIP）钢表面引入大量的塑性变形，使其表面晶粒细化，随着深度的增加，晶粒细化的程度逐渐降低，同时塑性变形也会导致位错演化和孪晶的产生，因此在TWIP钢内部形成了包含梯度晶粒，梯度位错和梯度孪晶的梯度混合结构。这种梯度纳米结构TWIP钢的强度可以提升50%，断裂应变仅从60%下降到52%，具有更高的强韧性匹配能力。目前，关于梯度纳米结构TWIP钢的研究集中于实验，反映物理机制的本构模型研究还鲜见报道。西南交通大学力学与工程学院张旭教授与德国马普钢铁所、中国钢铁研究总院等机构开展合作，指导博士生陆晓翀发展出考虑位错滑移和变形孪晶等物理机制的微结构尺寸相关晶体塑性本构模型。依托DAMASK平台将该模型移植有限元，并对梯度纳米结构TWIP钢的单轴拉伸变形行为展开模拟，揭示了其微结构演化与宏观性能之间的关系，量化了不同梯度结构对材料强韧性的贡献。相关研究工作已在金属材料与固体力学交叉领域顶级期刊《International Journal of Plasticity》上在线发表，论文题目为Crystal plasticity finite element analysis of gradient nanostructured TWIP steel。 论文链接： https://doi.org/10.1016/j.ijplas.2020.102703作者首先使用不同晶粒尺寸Fe-15Mn-2Al-2Si-0.7C (wt.%) TWIP钢的单拉实验数据验证该模型的合理性，结果表明该模型对不同尺寸下的应力应变响应和应变强化行为都可以较好地描述，特别是细晶TWIP钢硬化率曲线中的up-turn效应。通过对内变量演化的分析及对比性模拟，作者发现这种up-turn效应源自于细晶中显著的背应力。 图2 对比不同晶粒尺寸TWIP钢的单拉实验和模拟结果由于梯度纳米结构TWIP钢的微结构十分复杂，晶粒数目众多，通过采用三维均匀化方法，建立了宏观试样尺寸的有限元模型。通过对每层单元赋予不同的晶粒尺寸，初始位错密度和孪晶体积分数，离散地描述材料内部微结构的梯度分布，并通过梯度网格划分方法进一步减少单元数目。对于材料表层微结构变化剧烈的区域，采用密度较高的网格，以保证更加精确地描述微结构的梯度变化。 图3三维均匀化方法示意图作者利用发展的晶体塑性模型，对均匀和梯度纳米结构的Fe-10Mn-0.5C-3Ni (wt.%) TWIP钢的单拉变形行为进行模拟。结果表明，在合理描述均匀结构TWIP钢应力-应变响应的基础上，通过引入微结构的梯度分布，无需修改任何参数就可以较好地描述梯度纳米结构TWIP钢的单拉力学行为。通过对比变形云图，作者发现均匀和梯度纳米结构TWIP钢的表面都会变的粗糙不平，但梯度纳米结构的表面粗糙度更加明显，产生的应变局域化形成了两个凹陷区，且凹陷区在垂直于平面方向也会发生收缩。随着深度的增加，收缩程度逐渐降低。通过对比性模拟，作者发现表面凹陷区的出现就是梯度纳米结构TWIP钢韧性略微下降的原因。而应变局域化的产生与表面纳米层晶粒的应变强化能力有关，提高表面纳米晶的硬化能力，就可以抑制表面凹陷区的出现和韧性的下降。此外，作者通过分析不同层位错密度的演化，进一步证实了上述观点。作者还通过对比性模拟量化了不同梯度结构对材料强韧性的贡献。结果表明：强度的提升源于梯度位错结构，梯度晶粒和梯度孪晶结构有助于保持材料的应变强化能力。 图4 均匀结构和梯度纳米结构TWIP钢的模拟结果对比分析。