本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述 吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友 好，稳定等优点。

厚板焊接作为我国核电、船舶、石化等领域重大装备的关键制造技术，对低热输入、高效率、高质量的新型焊接方法升级需求极其迫切。窄间隙焊接技术因采用窄且深的坡口，在厚板焊接时具有效率高、填充量少、热输入小、变形小等优势，在提高焊接效率和焊接质量等方面具有重要应用前景。目前，该类技术在国外核电、船舶等行业广泛应用，技术较为成熟。而我国窄间隙焊接技术研究起步较晚，在大厚板核心焊接设备、工艺及材料均受制于人，尤其针对我国国防重点企业，存在“卡脖子”风险。高端焊接装备依赖于进口，价格高昂。国外主要生产厂家包括法国宝利苏迪、日本日立公司、美国电弧机器等，国内生产厂家华恒、唐山开元等依赖于国外企业的专利授权。 国际和国内现有技术一般采用钨极摆动、陶瓷片约束、横向交变磁场等控制电弧周期性地在两侧壁之间燃烧，存在装置复杂、母材被磁化或间隙较大等缺点。为解决窄间隙焊接侧壁熔合的难题，课题组另辟蹊径，创新性地提出了一种具有完全自主知识产权的“厚板超窄间隙旋转电弧焊接技术及成套装备”新技术。该技术突破了现有窄间隙钨极氩弧焊接（NG-GTAW，narrow-gap gas tungsten arc welding）工艺的局限性，已实现壁厚50 mm超窄间隙焊接，能够更为可靠、简便地解决侧壁未熔合缺陷问题。相对于国内外的现有技术，该技术形成的旋转电弧能够有效改善电弧热量及压力的均匀性，在保证熔敷金属质量均匀的同时避免熔深过大，具备高质量、高效率的突出优势，达到国际先进水平，已在国防、核电、QT等工业领域推广应用。同时，研究团队自主设计研发了面向核电、石化、船舶等装备的大厚板非轴对称旋转钨极超窄间隙GTAW成套装备（图1），可实现板厚超过150 mm、窄间隙5 mm——9 mm的厚壁材料高质量自动化焊接。 图1 大厚板非轴对称旋转钨极超窄间隙GTAW成套装备 该设备特别适用于厚壁不锈钢焊接、钛合金、980高强钢、9Ni钢等特种材料，在核电、军工、石化等领域具有广泛的应用前景。目前处于国际先进水平的宝利苏迪公司生产的单套设备售价高达380万元，国产设备售价也达到150——200万元水平。而自主设计研发的设备单套成本仅约30万元，能够产生巨大的经济效益。

成果简介：车辆遥控技术在军事和民用场合有着广泛的应用，遥控车辆在战争、防暴、安全领域应用可以有效地减少人员伤亡，如遥控式防爆机器人、三防遥控机器人、遥控军事试验车等；在民用工程作业中，遥控车辆可以使人脱离危险恶劣的工作环境，提高安全性和舒适度，如遥控压路车、遥控危险试验车辆等。可提高工作效率，有效地减少操作人员的疲劳程度。主要功能和技术指标：远距离控制车辆作业，使其在规定的路径上按操作人员的指令或预设指令行驶；控制车辆完成作业动作；在遥控地点得到车辆本身信息和作业场景信息；在条件和配置许可的条件下

成果简介：增强现实(Augmented Reality，简称 AR)是近年来国外众多知名 大学和研究机构的研究热点之一。该技术借助计算机图形技术和可视化技术产生现实环境中不存在的虚拟对象，并通过传感技术将虚拟对象准确“放置” 在真实环境中，借助显示设备将虚拟对象与真实环境融为一体，并呈现给使 用者一个感官效果真实的新环境。因此增强现实系统具有虚实结合、实时交 互、三维注册的新特点。 项目来源：国家 863 

主要作了以下几方面探索： 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面，长期从事纳米光电器件的研究与开发，已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件，测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次；发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中，观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用，并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内，使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布，进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰，这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象，是自旋相关的界面散射的实验证据；另外，我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化，其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应，这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次，利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测，观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况，为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应，导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论，我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷，由此形成强钉扎中心，使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次，通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析，观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼