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XM-311A带数字标识颈前肌局解模型
XM-311A颈前肌局解模型（带数字标识）
XM-311A带数字标识颈前肌局解模型显示了人体颈前肌肉、血管、腺体等结构，带有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。
尺寸：自然大，33.5×23.5×12cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-402H冠状动脉粥硬化带血栓模型
XM-402H冠状动脉粥硬化带血栓模型
XM-402H冠状动脉粥硬化带血栓模型放大10倍，显示血管内凝血以及血栓在动脉斑块不同病理阶段，显示动脉狭窄对人体的危害。
尺寸：放大10倍，16×16×13cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-106人体骨骼带神经与血管模型
XM-106人体骨骼带神经与血管模型
XM-106人体骨骼带神经与血管模型（人体骨骼带心脏血管模型）显示男性全身骨骼的组成和形态外观，由男性全身散骨串制而成一整体骨架，成直立姿势，并显示人体全身主要血管和神经的行程及其分布概况，四肢大的关节部分均可活动，头颅含可活动的下巴、可移动的头颅盖，其中四肢骨和头颅骨可以灵活拆卸组装，整体固定在支架上，带底座，可灵活移动。
尺寸：高85cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
腰椎带尾椎骨模型（腰骶椎与脊神经模型
XM-134腰椎带尾椎骨模型
XM-134腰椎带尾椎骨模型（ 腰骶椎与脊神经模型
）由5节带椎间盘的腰椎、骶骨、尾骨、脊神经和脊椎组成。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
带警示透明洗胃机制模型透明洗胃模型XM-XW
XM-XW带警示透明洗胃机制模型
XM-XW带警示透明洗胃机制模型为成年人头颈及躯干上部，解剖结构精确，包括牙、舌、悬雍垂、气管、支气管、左右肺脏、食管、胃、膈、胆囊、胰腺、脾、十二指肠、结肠等结构，胸腹部外皮为透明外壳，便于观察内部解剖结构以及操作全过程。
功能特点：
■ 可实现洗胃时的多种体位：仰卧位、左侧卧位、坐位。
■ 瞳孔示教：瞳孔缩小与瞳孔散大直观对比。
■ 可进行鼻饲术、氧气吸入疗法、口腔护理、经口经鼻吸痰术、气管切开术后护理操作训练。
■ 可进行胃肠减压术、胃液采集术、十二指肠引流术、双气囊三腔管压迫术操作训练。
■ 仿真实大小的透明胃，可经口、鼻进行洗胃器洗胃、电动吸引器洗胃、胃管洗胃、洗胃机洗胃，可在操作时观察胃管进出胃腔的全过程，并能容纳300ml的液体。
■ 带有灯光警示系统，提示胆囊的不同解剖部位。
■ 模型使用完毕，消化道内残存液体可方便的从专用管道排出。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-631A带数字标识头面及颈部血管神经分布
XM-631A头面及颈部血管神经分布模型（带数字标识）
XM-631A带数字标识头面及颈部血管神经分布模型由3部分组成，显示头部主要神经，筛板、视神经、动眼神经、滑车神经、展神经、三叉神经、三叉神经节、眼神经、额神经、眶上神经、滑车上神经、泪腺神经、鼻睫神经、睫状神经节、上颌神经、眶下神经、翼腭神经、上牙槽神经、上牙神经丛、下颌神经、颊神经、下牙槽神经、下牙神经丛、颏神经、舌神经、耳颞神经、颞深神经、鼓索、耳大神经、翼腭神经节、岩大神经、岩深神经、腭大小神经等，并且展示了颈部的肌肉和主要动静脉的解剖，共有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-705B-1带数字标识肾与肾上腺模型
XM-705B-1肾与肾上腺模型（1.5倍，带数字标识）
XM-705B-1带数字标识肾与肾上腺模型可拆分为2部件，显示了肾剖面的肾皮质、肾髓质、肾小盏、肾大盏、肾盂、输尿管以及肾动脉、肾静脉等结构，共有11个部位数字指示标志及对应文字说明。
尺寸：放大1.5倍，11×11×23cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
带LCL输出滤波器的高速永磁电机控制
高速永磁电机由于电感非常小，在受限的逆变器开关频率下，电机电流纹波（主要为开关频率附近的谐波）较大，导致电机铁耗急剧上升，发热严重，缩短电机使用寿命。 本课题组针对高速永磁电机驱动中电流纹波大和共模电压的问题，对带LCL输出滤波器的高速永磁电机驱动进行了深入的研究，包括带有源阻尼的电流控制器设计、电容电压和转子位置观测。实验结果证明采用带LCL输出滤波器的高速永磁电机驱动，电机电流正弦度高，有效地降低铁耗，消除轴承漏电流。
东南大学
2021-04-11