高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
高效硅异质结SHJSHJ太阳电池技术
北京工业大学 2021-04-14
超薄晶硅纳米线太阳能电池
常州大学 2021-04-14
聚硅硫酸铝铁高效絮凝剂
研究内容 :该产品是一种高效、价廉、无毒、低铝、适应性广且制造 方便的新型无机净水剂 —聚硅硫酸铝铁高效净水剂。 利用该产品处理靛蓝印染废水、造纸中段废水、废纸造纸脱墨废水, 处理效果佳, COD 去除率、 BOD 去除率均在 90%以上,色度脱除率也在 96%以上,基本达到国家排放标准,这样的处理效果可实现废水不经生化 处理,简化废水处理工艺,降低废水处理费用。净水效果远优于目前市场 上可获得的无机型净水剂,净水剂
南昌大学 2021-04-14
硅热法高性能镁制备工艺过程优化
项目研究内容: 镁及镁合金是迄今在工程中应用的最轻金属结构材 料,其比强度高、且具有优良的消震吸湿和电磁干扰屏蔽性能。镁的深加 工和镁合金的推广应用都离不开质优价廉的镁。 硅热法是一套复杂而高效 的工艺,本项目通过全面研究还原过程, 严格控制煅烧质量、 配料及制团, 在大量的皮江法炼镁硅热还原工艺参数与生产效率和出镁率关系的试验 基础上,利用人工神经网络和遗传算法等人工智能技术优化工艺过程,达
南昌大学 2021-04-14
有机硅高沸物催化裂解歧化研究
项目研究背景: 有机硅材料兼具有机硅聚合物和无机聚合物的特性, 因而具有优良的介电性、耐高温特性、生理惰性、防潮、绝缘、耐气候老 化等优异性能,被广泛应用在航空航天、军用技术、电子电气工业、纺织 造纸、建筑工业、化学工业、金属和油漆工业、医药医疗等领域,被形象 的誉为 “工业味精 ”。近年来,我国有机硅产品的消费量呈逐年上升的趋势, 有机硅材料被列为国家重点贵发展的产业之一。 技术原理: 主要对有机硅高沸物和低沸物裂
南昌大学 2021-04-14
一种有机硅消泡剂及其制备方法
本发明的任务在于提供一种有机硅消泡剂及其制备方法,该有机硅消泡剂在具有强消泡和强抑泡能力的同时,还具有较好的稳定性、良好的抗稀释能力、较广的pH和温度适用范围。本发明所述有机硅消泡剂包括蒸馏水、二甲基硅油、二氧化硅、乳化剂、助乳化剂和稳定剂。该产品应用于聚氯乙烯等行业的氯乙烯等的聚合反应中,产品成本低,工艺简单,无污染,技术成熟后有较好的经济效益和社会效益。
青岛大学 2021-04-13
KS-5炉前快速碳硅分析仪
产品详细介绍KS-5炉前快速碳硅分析仪KS-5型炉前快速碳硅分析仪产品简介:   KS-5型炉前快速碳硅分析仪是我公司与高等院校联合开发的炉前快速分析仪,与传统的实验室分析方法相比,不仅可以快速测定常规的碳硅含量,还可以测试强度、硬度、伸厂率等,有效提高了工作效率,并降低了检测成本与时间。  KS-5炉前快速碳硅分析仪主要技术参数:1.测量范围:碳当量:3.2~4.8±2% 碳含量:2.8~4.2±0.08% 硅含量:0.9~3.0±0.2% 2.测量时间:3-5分钟  KS-5炉前快速碳硅分析仪主要特点:1.型号是KS-1及KS-2型炉前快速碳硅仪更高一级的产品。 2.内置铸造功能数据库,适用于铸铁、球铁生产的炉前元素的控制,可迅速测定出碳硅元素的含量及碳当量,并根据测定结果及时进行配料的调整。大大提高了成品率,减少了铁水在炉中的时间,缓解炉工的工作量。 3.常规的检测仪器从铁水到测出试棒的强度、硬度等数据要12小时左右,而智能分析仪内置数据库可直接从铁水中测量出抗拉强度及硬度值。通常拉力机、硬度计、碳硅仪、温度计、车床、刨床 加一起得出的测定结果现在一台智能分析仪就能解决。 4.中央处理器控制,可直接指导配料,所测数据及提示均为19寸液晶大屏幕显示,并可自动打印成检测报告。 5.可直接查找到所生产铸件牌号及各元素的含量范围,简单易查。 6.即买即用,无需任何辅助设备,不需专业化验人员,只需炉工自行操作。7.操作界面人性化设计,仪器结果设计符合人体生理曲线,人员站立触摸式操作,舒适、快捷、方便、美观。 8.可直接显示非合金铸造C%,S%,CEL,SC,△T,△TM等数据。
南京第四分析仪器有限公司 2021-08-23
中国科大实现高效的高维量子隐形传态
量子隐形传态是建立远距离量子网络的关键技术之一。相比二维系统,高维量子网络具有更高的信道容量、更高的安全性等优点,受到人们的广泛关注。如何实现高效的高维量子隐形传态,从而实现高效的高维量子网络是当前量子信息领域的研究热点之一。 为了实现高维量子通信,李传锋、柳必恒等人从2016年开始采用光子的路径自由度编码,解决了路径比特的相干性问题[PRL 117, 220402 (2016)],制备出了高保真度的三维纠缠态[PRL 117, 170403(2016)];解决路径维度扩展问题,实现了32维量子纠缠态[PRL 125, 080503 (2020)];解决路径自由度的传输问题,实现了高维量子纠缠态在11公里光纤中的有效传输[Optica 7, 738 (2020)]等。研究组从2017年起开始了高维量子隐形传态的实验研究。然而理论研究表明,在线性光学体系中,必须采用辅助粒子才能实现高维量子隐形传态。 为了实现高维量子隐形传态,研究组首先巧妙的提出了纠缠辅助的方式,利用log2d-1个辅助纠缠光子对就可以高效的实现d维的量子隐形传态,从而解决了资源消耗问题。然后实验上利用主动反馈技术实现路径间的相位锁定,干涉可见度在45小时内保持在0.98的水平,从而利用六光子系统实现了三维的量子隐形传态。研究组对三维量子隐形传态过程做了过程层析,保真度达到0.596,以7个标准差超过了经典极限值1/3,证实了三维量子隐形传态过程的量子特性。高效的高维量子隐形传态的实现为构建高效的高维量子网络打下坚实的基础。
中国科学技术大学 2021-02-01
中国科大实现高效的高维量子隐形传态
项目成果/简介:量子隐形传态是建立远距离量子网络的关键技术之一。相比二维系统,高维量子网络具有更高的信道容量、更高的安全性等优点,受到人们的广泛关注。如何实现高效的高维量子隐形传态,从而实现高效的高维量子网络是当前量子信息领域的研究热点之一。 为了实现高维量子通信,李传锋、柳必恒等人从2016年开始采用光子的路径自由度编码,解决了路径比特的相干性问题[PRL 117, 220402 (2016)],制备出了高保真度的三维纠缠态[PRL 117, 170403(2016)];解决路径维度扩展问题,实现了32维量子纠缠态[PRL 125, 080503 (2020)];解决路径自由度的传输问题,实现了高维量子纠缠态在11公里光纤中的有效传输[Optica 7, 738 (2020)]等。研究组从2017年起开始了高维量子隐形传态的实验研究。然而理论研究表明,在线性光学体系中,必须采用辅助粒子才能实现高维量子隐形传态。 为了实现高维量子隐形传态,研究组首先巧妙的提出了纠缠辅助的方式,利用log2d-1个辅助纠缠光子对就可以高效的实现d维的量子隐形传态,从而解决了资源消耗问题。然后实验上利用主动反馈技术实现路径间的相位锁定,干涉可见度在45小时内保持在0.98的水平,从而利用六光子系统实现了三维的量子隐形传态。研究组对三维量子隐形传态过程做了过程层析,保真度达到0.596,以7个标准差超过了经典极限值1/3,证实了三维量子隐形传态过程的量子特性。高效的高维量子隐形传态的实现为构建高效的高维量子网络打下坚实的基础。
中国科学技术大学 2021-04-11
福大新型量子点复合材料研究成果
项目成果/简介:福州大学至诚学院孙磊教授为第一作者、物信学院陈恩果副教授为通讯作者、郭太良研究员为第三作者,在材料工程领域国际权威期刊《陶瓷国际》(英文刊名:《Ceramics International》)上发表的题为“Al2O3过渡层优化对ZnO量子点与CuO纳米线复合结构的场发射增强作用”(英文题为“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”)的论文。 本论文研究ZnO QDs 与传统一维氧化物CuO纳米线(CuO NWs)异质结构,以一维氧化物纳米棒为基体为 ZnO QDs 提供良好的定向电荷传输,同时 ZnO QDs 的表面改性又能改善基体的场发射性能,提出了详细的电势叠加效应和形成机制。鉴于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈现孤岛状分布且生长密度低,通过表面改性工程利用原子层沉积(ALD)工艺先在 CuO NWs 基体上沉积 Al2O3 薄膜,均匀的 Al2O3 薄膜为 ZnO QDs 的生长提供了良好的成核表面,同时可以降低基体表面的电子势垒高度。这种金属氧化物异质结构在很多应用中都具有重要的意义,特别是由于表面积大大增加,异质结密度提高,具有固有光捕获效应等优点。研究成果为改善单一纳米材料器件的场发射性能提供了有效途径,也为制备新型结构的场发射器件奠定理论基础。
福州大学 2021-04-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 24 25 26
  • ...
  • 100 101 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1