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东北师范大学在忆阻材料与器件领域取得重要进展
忆阻器具有运行功耗低、读写速度快、集成密度高等优势，在信息存储、逻辑运算、类脑计算等领域有重要应用，被视为推进信息技术发展的一种变革性技术。
东北师范大学
2022-06-08
一种可调控的空间电磁感应透明超材料器件
本发明公开了一种可调控的空间电磁感应透明超材料器件。该 器件包括基板和位于基板上的能产生电磁感应透明现象的金属单元阵 列；所述金属单元阵列包括多个阵列分布的金属单元，所述金属单元 包括第一金属微结构和第二金属微结构，所述第一金属微结构包括第 一金属图形，所述第二金属微结构包括第二金属图形，所述第一金属 微结构和/或所述第二金属微结构还包括半导体元件。本发明能有效解 决现有技术中不能简单快速地对电磁感应透明超材料的工作
华中科技大学
2021-04-14
基于同质器件架构的感算存一体化神经形态硬件
该成果创新性地基于二维半导体的硅基同质器件，首次提出了类脑功能的“传感-计算-存储一体化”神经形态芯片架构，实现了光电传感、放大运算、信息存储功能的一体化集成，为突破冯·诺依曼瓶颈和实现类脑智能提供了一种全新思路。
缪向水教授团队，长期从事相变存储器芯片、存算一体忆阻器芯片技术研究。2018年出版了国内第一本忆阻器专著《忆阻器导论》，2019年团队93项三维相变存储器芯片专利许可给芯片公司并合作开发产品，并与行业龙头企业合作建立了联合实验室，推动存储器芯片技术的成果转化以及未来引领技术的探索。曾荣获国家科技进步奖2项、湖北省技术发明一等奖1项。
同质晶体管-存储器架构的原理及器件结构
缪向水团队长期从事相变存储器芯片、存算一体忆阻器芯片技术研究。2018年出版了国内第一本忆阻器专著《忆阻器导论》，2019年团队93项三维相变存储器芯片专利许可给芯片公司并合作开发产品，并与行业龙头企业合作建立了联合实验室，推动存储器芯片技术的成果转化以及未来引领技术的探索。曾荣获国家科技进步奖2项、湖北省技术发明一等奖1项。
华中科技大学
2022-08-12
一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法
本发明公开一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法。该水平极化翻转的铁电忆阻器件包括柔性衬底；二维铁电功能层，形成在所述柔性衬底上；第一平面电极和第二平面电极，形成在所述二维铁电功能层两侧；将所述第二平面电极接地，当未在所述第一平面电极施加电压时，二维铁电功能层中极化方向无序，器件处于常态；当在所述第一平面电极施加正电压时，所述二维铁电功能层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第一平面电极端朝向第二平面电极端，器件转变为低阻态；当在所述第一平面电极施加负电压时，铁电层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第二平面电极端朝向第一平面电极端，器件转变为高阻态。
复旦大学
2021-01-12
基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法。本发明通过原子级薄层沟道和栅叠层设计降低特征长度，从而促进器件尺寸微缩；该器件通过能带设计和范德华堆叠高质量界面降低隧穿势垒，实现十纳秒级编程/擦除速度和非易失特性；器件的短沟道通过垂直沉积和倾斜沉积两步法工艺实现，且沟道长度能够通过改变电极厚度和沉积角度来调控。本发明能在不使用先进光刻技术前提下，实现亚10nm沟道长度，突破硅基闪存器件的沟道长度微缩瓶颈，为新型高速非易失存储器的高密度集成提供新解决方案。
复旦大学
2021-01-12
一种宽谱段光电转换器件量子效率测试系统及方法
本发明公开了一种宽谱段光电转换器件量子效率测试系统及方法，包括：量子效率测试箱、电源箱、激光功率计、吉时利源表、控制驱动电路单片机、计算机等。本测试系统可同时测量待测器件的外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)、内量子效率(Internal Quantum Efficiency，IQE)及表面反射率(Reflectance，R)，不需要在测试前使用标准器件进行校准，可测试的光谱波段范围较宽，为300nm～2250nm，满足各类不同禁带光伏电池或光电转换器件的量子效率测量需求。
兰州大学
2021-01-12
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。
传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。
本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。
大连理工大学
2021-05-10
硅晶片线切割用6HSiC微粉材料的研究及产业化
关键工序生产的自动化 ① 粉碎（雷蒙磨）自动控制系统的研发 研制可对粉碎车间雷蒙磨振动下料、粉碎、气流粗分工况进行实时监测、自动优化控制的自动监控系统。将雷蒙磨因堵塞停机造成的故障次数比现阶段减少75%，且提高工效15%以上。 ② 气流分级自动控制系统的研发 研制气流分级机用自动控制系统，具备以下功能：可根据分级轮主机负载实时自动调节喂料速度、根据所设定的风压值自动调整变频器运行、根据生产工艺要求自动向企业综合信息平台实时发送生产工况参数。 ③ 提纯工序实时检测与信息管理系统的研发 开发可对提纯缸、脱水机、烘干炉等主要设备工况进行实时监控的智能化监控仪设备。 ④ 水力分级自动控制系统的研发 研发水力分级设备用自动控制系统，可根据工艺曲线要求自动控制水流量。采用水泵变频控制，变常规的高低液位控制为恒液位控制，液位控制精度达到0.3%；研制出料自动切换装置，实现出料无人值守。 ⑤ SiC冶炼炉在线自动测控装置的研发 研制SiC冶炼炉在线自动测控装置，可按冶炼工艺和炉温自动进行恒功率综合优化控制，炉温控制精度达到2.5级。成果已在工厂正常运行3年。获得4项发明专利授权，5项软件著作权授权 雷蒙磨粉碎自动检测方法及装置 专利号：ZL200810020792.3 一种提高碳化硅微粉水溢流分级效率的精密控制方法 专利号：ZL200910035173.6 一种燃煤锅炉能效监测方法 专利号：ZL201110091483.7 阵列式LED照明灯具的中心区域温度动态控制方法 专利号：ZL201210356239.3 一种经济型燃煤锅炉能效监测系统及方法 专利号：ZL201110292517.9 一种低冗余度高可靠性船舶发电机组智能测速装置 专利号：ZL201110058228.2一种手机可遥控的总线型区域供热计量管理系统 专利号：ZL201010134495.9
东南大学
2021-04-13
多晶硅生产冷氢化工艺加热合成反应关键技术装备
实现多晶硅生产冷氢化工艺过程工程化的关键加热系统装置；降低成本40%，减少能耗2/3。8000小时以上无故障稳定运行加热合成反应器关键技术。
常州大学
2021-04-14
一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法
本发明公开了一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法， 包括以下步骤：将硝酸银和柠檬酸溶于去离子水配制得到 A 溶液；将 瓜尔豆胶、抗坏血酸以及硝酸溶于去离子水中配制得到 B 溶液；在搅 拌的情况下，将 A 溶液逐渐滴加到 B 溶液，反应一段时间；静置，沉 淀得到银粉。本发明通过引入瓜尔豆胶为反应离子分散剂、柠檬酸为 粒子表面改性剂，在液相化学还原法下制备得到平均粒径 D50 为 1.0-3.0μm 的银粉，并兼顾
华中科技大学
2021-04-14