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一种加工硅通孔互连结构的工艺方法
本发明公开了一种加工硅通孔互连结构的工艺方法，步骤为：①在基板上刻蚀盲孔；②在基板上沉积一层图案化介电质层；③刻蚀图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁的介电材料，在基板上形成介电质孔；④在介电质孔上沉积一层导电材料，形成导电孔；⑤在导电层上再沉积一层图案化介电质层，填充导电孔；⑥刻蚀板背面，暴露出导电层，在导电层上形成焊料微凸点。图案化介电质层的材料优选聚对二甲苯。本发明简化了工艺步骤，减少工艺时间并降低了费用；使用二层图案化介电质层，降低了寄生电容，提升了互连电性能，适用于高速和
华中科技大学
2021-04-14
锗硅纳米低维结构的可控制备方法及产品
本发明公开了一种锗硅纳米低维结构可控制备方法及产品，该 方法具体为：(a)清洗硅衬底；(b)在硅衬底上外延生长锗硅合金形成外 延衬底；(c)涂敷电子抗蚀剂，通过电子束光刻技术在电子抗蚀剂上曝 光所需的锗硅纳米低维结构图形；(d)采用干法刻蚀将锗硅纳米低维结 构图形转移到外延衬底上得到样品；(e)去除样品上的电子抗蚀剂；(f) 高温环境下进行氧化和退火，使得氧气优先与硅反应形成氧化硅而锗 被析出；(g)在氮氢混合气氛下
华中科技大学
2021-04-14
一种基于硅基液晶的偏振检测系统及方法
本发明公开了一种基于硅基液晶的偏振检测系统及方法，所述 偏振检测系统包括检偏器、光探测器、硅基液晶驱动模块、控制单元 和用于相位调制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驱动模块的驱动下 对待测光进行相位调节，获取一系列偏振光，通过对这一系列偏振光 的分析获取待测光的偏振信息，包括竖直方向与水平方向的振幅及相 位差。本发明的系统在精确可编程控制下，进行偏振态检测与控制， 不受类似于波片的波长敏感性制约；且本发明采用硅基液晶进
华中科技大学
2021-04-14
耐超低温有机硅密封胶生产技术
航空航天器、飞机、导弹、火箭、超低温冷冻机、极寒冷地区工程机械和高速列车等设备，在极低温度条件下运行时，对密封材料要求很高，一旦出现密封效果不佳或不可靠情况，会出现严重后果，极端情况会造成机毁人亡等重特大事故，形成严重的财产和人员损失。密封材料大多采用有机高分子材料，在低温条件下，密封材料中分子热运动减少，分子链段会变得僵硬甚至冻住，使之失去弹性，导致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料应用于上述设备和地域时，必须采用特殊制备的耐低温硅橡胶才能保证安全及设备的稳定运行。这就要求密封材料必须具备
山东大学
2021-04-14
新一代硅烷法电子级晶体硅生产技术
上海交通大学
2021-04-13
微型皮拉尼计与体硅器件集成加工的方法
本发明公开了一种微型皮拉尼计的制备方法及其与体硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制备体硅器件所需的绝缘层及电路引线；在硅基片的背面或正面沉积一层绝缘隔热材料，刻蚀去除其四周部分得到绝缘隔热层；在绝缘隔热层上制备加热体和电极；在没有加热体的一面制备图形化的光刻胶掩膜；在有加热体的一面沉积金属膜；将金属膜粘贴在表面有氧化层的硅托片上；对有光刻胶掩膜的一面进行感应耦合等离子体干法刻蚀，刻穿硅基片；去除光刻胶掩膜和金属膜，得到集成结构。本发明能有效提高皮拉尼计的制备与其它工艺的兼容性，解决皮拉尼计与体硅器件集成封装工艺难度大，风险高，成本高且产量低的技术问题。
华中科技大学
2021-04-14
承建丙烯酸涂料，硅PU塑胶蓝、排、网、羽球场
产品详细介绍承建丙烯酸涂料，硅PU塑胶蓝、排、网、羽球场
广州市奥力生体育设施有限公司
2021-08-23
磁性载铁有序介孔碳及其制备方法和应用
本发明公开了一种磁性载铁有序介孔碳，以有序介孔碳为载体，载体通过硬模板法制备得到，磁性纳米粒子通过纳米共浇铸法负载在载体上；磁性纳米粒子主要由零价铁和铁的氧化物组成，铁元素的配量按每克介孔硅模板配1～1.5mmol计，介孔碳的孔径分布主要集中在5nm和3.8nm附近。本发明磁性载铁有序介孔碳的制备方法包括：将铁源物质、蔗糖溶于硫酸后，浸渍介孔硅模版，采用两段式热处理；再用含蔗糖的硫酸溶液二次浸渍，两段式热处理；最后进行恒温高温碳化，再使用热NaOH溶液脱出硅模板，干燥后即得到产品。本发明产品具有大比表面积和孔体积、适用范围广、理化性质稳定等特点，可用于去除水体中重金属六价铬离子。
湖南大学
2021-04-10
一种大管径、超长纳米碳管的制备方法
本发明公开了一种大管径、超长纳米碳管的制备方法，以碳水化合物为原料，在过渡金属盐存在下，与人工模板剂物理混合均匀，在惰性气氛中，先在400～650℃下保温0.5～2h，再升温至700～1200℃煅烧0.5～2h，得到大管径、超长纳米碳管；所述的人工模板剂为三聚氰胺、二氰二胺、尿素或单氰。本方法工艺简单、设备投入少、批次差异小，适合规模化生产；制备得到的纳米碳管的内径为50～100nm、长度为微米级，管壁由类石墨烯片层堆积而成，并且具有高的比表面积。
浙江大学
2021-04-11
晶体生长的石英坩埚镀碳膜方法与装置
一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜方法，工艺步骤为石英坩埚的处理、装炉、加热、 镀膜、膜层退火。石英坩埚的处理包括清洗与烘干，装炉是将清洗并烘干后的石英坩埚 与组成镀膜装置的部件进行组装，加热是将装有石英坩埚的沉淀室加热至1000℃～ 1060℃，然后在该温度保温并向石英坩埚和沉淀室内通高纯惰性气体排除残余空气，镀 膜是通惰性气体结束后，继续在1000℃～1060℃保温，并在此温度向石英坩埚内通甲烷 气体，使石英坩埚内壁上沉积符合要求厚度的碳膜，镀膜结束后，继续在1000℃～1060℃ 保温40分钟～60分钟，然后缓慢冷却至室温。镀碳膜装置包括加热炉、放置被镀膜石 英坩埚的沉淀室和供气控制器。
四川大学
2021-04-11