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一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学
2021-04-11
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
网格状CuxS/Cu2o0,x=1.75~2复合类金字塔薄膜的制备方法
一种网格状CuxS/Cu2O，x＝1.75～2复合类金字塔薄膜的制备方法，具体作法是：将方块面电阻为10-14欧的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、异丙醇溶剂超声洗净，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO为工作电极，铂片为对电极，采用电压法沉积；沉积后取出FTO，清洗烘干得Cu2O类金字塔薄膜的FTO；再将其放入Na2S溶液中处理，清洗烘干即在FTO上得网格状CuxS/Cu2O复合类金字塔薄膜。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；制得物对太阳光吸收波长范围宽，作为太阳能电池材料具有应用前景；可作为模版和反应介质直接合成其它具有窄禁带宽度的类金字塔形化合物，作为太阳能电池材料。
西南交通大学
2016-10-20
一种钛基底上制备有机分子杂化TiO2纳米复合薄膜的方法
一种钛基底上制备有机分子杂化TiO2纳米复合薄膜的方法，其主要步骤是：A、将纯钛片两次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂层模板；B、将没食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再将涂层模板在混合溶液中浸3-5h，取出超声清洗三遍，得有机分子层模板；C、将0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按体积比1:1混合成混合液；再调节PH值至2.7-2.9；D、将有机分子层模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴锅中浸泡10-40h，即得。该法在钛基底上制备得到的TiO2薄膜的结合力高、分布均匀、光电转换效率高，生物相容性好。
西南交通大学
2016-10-25
一种剑麻玻璃纤维复合增强有机硅改性的酚醛模塑料及其制备方法
本发明公开了一种剑麻玻璃纤维复合增强有机硅改性的酚醛模塑料，该酚醛模塑料的组成为：35-70％的有机硅改性热塑性酚醛树脂，5-45％的玻纤和剑麻混合纤维，5-45％的填充料，0.5-3％的脱模剂，0.25-1.5％的着色剂，2-10％的固化剂。本发明还提供了该剑麻玻璃纤维复合增强有机硅改性的酚醛模塑料制备方法，由上述组份经混炼，粉碎或造粒等工序制备而成。采用该方法制备的酚醛模塑料储存时间长，不易受潮，耐候性能优良，相对密度小，生产成本低，固化后的材料韧性和耐热性能优异。利用该有机硅改性酚醛模塑料制成的塑料件具有储存时间长，韧性好，相对密度小和耐热性能优异的特点。
浙江大学
2021-04-11
基于硅基微机械悬臂梁Ｔ型结直接加热式毫米波信号检测器
本发明的基于硅基微机械悬臂梁Ｔ型结直接加热式毫米波信号检测器，由悬臂梁耦合结构、Ｔ型结、直接加热式微波功率传感器和开关构成。悬臂梁耦合结构包括两组悬臂梁，每组悬臂梁由两个对称的悬臂梁构成，两个悬臂梁之间ＣＰＷ传输线的电长度在所测信号频率范围内的中心频率３５ＧＨｚ处为λ／４。功率通过第一直接加热式微波功率传感器进行检测；频率检测通过利用直接加热式微波功率传感器测量两路在中心频率处相位差为９０度的耦合信号的合成功率实现；相位检测通过将两路在中心频率处相位差为９０度的耦合信号，分别同两路等分后的参考信号合
东南大学
2021-04-14
硅基质表面油水浸润性光控可逆转换的 SiO2/TiO2复合涂层
本成果来自国家科技计划项目，获国家发明专利授权。该发明获得的光控油水浸润性可逆转换的SiO2/TiO2复合涂层在功能纳米界面材料研究领域具有重要意义。这项研究成果在基因传输、无损失液体输送、微流体、生物芯片、药物缓释、石油化工、建筑材料等领域具有极为广阔的应用前景。
西南交通大学
2016-06-24
DT640硅二极管温度计温度传感器低温测量仪器
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-04-11
DT640硅二极管温度计温度传感器低温测量仪器
北京锦正茂科技有限公司
2022-03-21