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碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料
碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料耐腐蚀、耐高温、耐磨损、韧性高,能够广泛用于能源、交通、化工等领域的关键部件,比如摩擦制动材料、耐化学腐蚀叶片等。
东南大学 2025-02-08
长寿命磷酸盐钠离子电池正极材料
        研发团队针对NASICON型结构钠离子电池正极材料面临的瓶颈问题,通过新颖的合成方法和材料晶体结构设计理念,成功开发了具有自主知识产权的长寿命、高功率和低成本的钠离子电池及其超稳定的正极材料。材料合成方法简单,反应条件温和,不需要特殊设备,目前已完成实验室中试,具备了公斤级的制备能力。成果具有高的振实密度,可实现高体积能量密度,具有非常优秀的实用化潜力。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
高性能低膨胀铝基复合材料及构件
卫星在轨运行和返回过程中需经历极端高低温环境,构件尺寸的稳定是保证卫星在轨高精度、返回高安全、任务高可靠的关键。针对卫星搭载的某宽带微波载荷与卫星本体材料之间热膨胀系数不匹配极易导致的载荷在轨及返回过程中载荷接收精度不稳定、信息传输不连续等问题。我校陈骏教授团队以原创的负热膨胀技术研发了具有轻质、热膨胀系数低、力学性能优异、尺寸稳定性好的高性能低膨胀铝基复合材料,并研制了系列关键连接内置件、环件等高性能低膨胀构件,首次将负热膨胀技术应用到我国的卫星上,填补了高性能低膨胀金属构件在工程应用领域的空白。该技术使得某宽带微波载荷与卫星本体之间热膨胀匹配性增强、界面应力大幅度减小,保证了卫星在轨与返回过程中信号高精度传输与接收,助力卫星成功返回。 图1 实践十九号卫星成功返回(图片来源国家航天局) 图2 高性能低膨胀铝基复合材料及构件应用于全球首颗可重复使用返回式技术试验卫星(图片来源央视新闻频道)
北京科技大学 2025-05-21
科技部等九部门印发《科技支撑碳达峰碳中和实施方案(2022—2030年)》
加强科技支撑碳达峰碳中和涉及基础研究、技术研发、应用示范、成果推广、人才培养、国际合作等多个方面,《实施方案》提出了10项具体行动。
科技部 2022-08-18
一种钙钛矿太阳能电池用导电碳浆、碳对电极、电池及制备方 法
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池用导电碳浆,其包括有机 溶剂、粘结剂和导电填料,还包括无机添加剂,所述无机添加剂为 ZrO2 或 NiO 粉末,所述粘结剂占导电碳浆质量百分比为 6%~15%,所述 导电填料占导电碳浆质量百分比为 14%~20%,所述无机添加剂占导 电碳浆质量百分比为 3%~5%。还公开了一种钙钛矿太阳能电池用碳 对电极,采用如上所述的导电碳浆以丝网印刷方式制备获得。并公开 了一种钙钛矿太阳能电池,包括如上所述的碳对电极。还公开了一种 制备上述导电碳浆的方法。本发明导电碳浆不仅不会腐
华中科技大学 2021-04-14
一种荧光硅纳米点及其制备方法与应用
本发明公开了一种荧光硅纳米点(SiNDs),它是由硅烷和孟加拉玫瑰红以水热法一步制备得到的。与现有技术相比,本发明所制备的SiNDs具有超高的荧光量子产率(100%),且能实现对哺乳动物细胞溶酶体的长时间特异成像。此外,该SiNDs的溶酶体成像效果不受细胞清洗、固定和透化等影响,具有耐清洗、耐固定和耐透化的优点。同时,该SiNDs还具有制备成本低、合成方法简单、水分散性好、荧光发射峰宽窄、光稳定性好、细胞相容性好、细胞光毒性低等优点,有望成为新型的溶酶体荧光探针。
东南大学 2021-04-11
低成本为中品位硅钙质胶磷矿选矿工艺
 20世纪八十年代,采用正反浮选技术富集中低品位硅钙质磷块岩技术,在降低磷矿中MgO含量方面取得突破性进展。而这一当时鉴定为“国际先进”得技术因直接经济效益不显著未能生产。故全面大幅度降低选矿成本是使正浮选技术转化为生产力的关键。本项目针对这一问题,提出了一套完整的选矿工艺。
武汉工程大学 2021-04-11
硅谐振微传感器频率特性测试仪
该仪器主要用于测量谐振微传感器(也适用于所有谐振式传感器)的动力学特性:谐振频率,微振幅,品质因数、幅频特性、相频特性等;它也是实现闭环自激系统以及研制和开发各种谐振式微传感器,如微加速度计和微陀螺等不可缺少的测试设备;本仪器的若干新技术也可直接应用于其他需要进行微弱信号检测和处理的场合。适用于从事自动化、测控技术、传感器、仪器仪表等科研院所、企业和高等院校的科研和教学方面的应用。测试仪的创新点为:综合应用了多项新技术,研制过程中发展了弱信号相关检测技术,超低频、低噪声恒流源技术。
北京航空航天大学 2021-04-13
一种基于硅基液晶的波长分辨监测方法
本发明公开了一种基于硅基液晶的波长分辨监测方法。基于硅 基液晶在同样的偏置电压下,对不同波长入射光有不同的相位调制的 特性,对在硅基液晶波长工作范围内的光信号实现分析与监测,并能 在入射光波长未知的条件下,对该波长进行测量,并能随着相位调制 精度的提高,提高波长的分辨精度。本发明元件少,系统结构简单紧 凑,对光路的准直要求不高,无需苛刻光路的耦合与复杂操作就能进 行波长的分辨,并且有着与入射光偏振态无关的特性,在分辨出波长 的同时,还能对入射光束的偏振态进行测量,适用范围更广。 
华中科技大学 2021-04-14
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互连技术可以有效的解决集成电路进一步发展的尺寸限制同时可以极大的提高芯片间信息传输的速度和频率。Si基光子集成是实现集成电路光互联的核心技术和重要研究方向。然而,Si因为其间接带系的特性很难作为发光材料使得Si基光源的缺失成为制约Si基光子芯片的瓶颈,而传统Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs,InP等由于优良的光电转换效率已经在光电子器件领域得到广泛的应用。因此,Si基与Ⅲ-Ⅴ的集成是实现Si基光子芯片的一种理想途径。
南京大学 2021-04-14
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