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碳包覆金属硫化物电极材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种碳包覆金属硫化物电极材料及其制备方法和 应用。该电极材料由类半球双层结构颗粒组成,里层为金属硫化物, 外层为碳材料,金属硫化物的半球面被碳材料包覆,切面暴露;金属 硫化物的化学通式为 MSx,其中,M 为第四主族到第七主族金属元素 中的一种,1≤x≤3。该方法包括如下步骤:(1)将金属硫化物前驱 体覆盖在纳米线模板上,使之形成均匀整齐分散的纳米级产物;(2) 在金属硫化物表面覆盖一层均匀致密的碳材料薄
华中科技大学 2021-04-14
一种锗-碳氮纳米复合材料的制备方法及其应用
本发明公开了一种锗-碳氮纳米复合材料及其制备方法,先将氧 化锗纳米线均匀分散于液态有机酯,加入吡咯、聚乙酸乙烯酯以及氧 化性金属氯盐,搅拌充分反应生成氧化锗-碳氮复合前体;然后在还原 性气氛中 600℃~1000℃煅烧,得到锗-碳氮纳米复合电极材料;制备 所得的锗-碳氮纳米复合材料中,锗纳米粒子以一定的距离相互分隔, 分段填充于碳氮纳米管内部,形成豆荚状结构。通过本发明,制备了 一种可应用于锂离子电池的复合材料,材料
华中科技大学 2021-04-14
煤炭深加工制备高品质锂离子电池负极
二、项目简介兰炭也称半焦碳,以低变质煤为原料在隔绝空气的情况采用低温干馏技术生产的一种固体产品。它是一种较为硬而脆的煤种,在兰炭生产过程中,小于 3 mm的兰炭粉末约占总质量的 10%,这部分兰炭粉(半焦)是用廉价的末煤干馏而成,成本较块煤降低近 20%。因其粒度小,不符合生产工艺要求,只能被当作低级燃料廉价处理或被弃置于河道或地头。这不仅造成大量能源浪费,限制兰炭的经济效益,而且对环境造成严重污染。将兰炭经过改性后加工制作成高品质碳材料,如锂离子电池负极或者活性碳等,延长兰炭产业链,变废为宝。二、性能优势1.兰炭基负极材料电化学性能表 1 兰炭基负极材料电化学性能首次脱离容量市场定位库伦效率 0.5C/300 次循环 1C/300 次循环材料(%)(mAh/g)(mAh/g)(mAh/g)361兰炭负极高82.63373142.兰炭粉末制备人工石墨的优势:(((1)原始材料基本无成本,通常作为废料处理;2)催化剂有效催化兰炭石墨化,人工石墨品质高,催化剂成本低;3)人工石墨容量高,循环性能好,可作为高品质动力电池使用。国内某知名锂离子电池负极生产企业将容量大于 350mAh/g 的负
西安交通大学 2021-04-10
长寿命磷酸盐钠离子电池正极材料
        研发团队针对NASICON型结构钠离子电池正极材料面临的瓶颈问题,通过新颖的合成方法和材料晶体结构设计理念,成功开发了具有自主知识产权的长寿命、高功率和低成本的钠离子电池及其超稳定的正极材料。材料合成方法简单,反应条件温和,不需要特殊设备,目前已完成实验室中试,具备了公斤级的制备能力。成果具有高的振实密度,可实现高体积能量密度,具有非常优秀的实用化潜力。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
高性能低膨胀铝基复合材料及构件
卫星在轨运行和返回过程中需经历极端高低温环境,构件尺寸的稳定是保证卫星在轨高精度、返回高安全、任务高可靠的关键。针对卫星搭载的某宽带微波载荷与卫星本体材料之间热膨胀系数不匹配极易导致的载荷在轨及返回过程中载荷接收精度不稳定、信息传输不连续等问题。我校陈骏教授团队以原创的负热膨胀技术研发了具有轻质、热膨胀系数低、力学性能优异、尺寸稳定性好的高性能低膨胀铝基复合材料,并研制了系列关键连接内置件、环件等高性能低膨胀构件,首次将负热膨胀技术应用到我国的卫星上,填补了高性能低膨胀金属构件在工程应用领域的空白。该技术使得某宽带微波载荷与卫星本体之间热膨胀匹配性增强、界面应力大幅度减小,保证了卫星在轨与返回过程中信号高精度传输与接收,助力卫星成功返回。 图1 实践十九号卫星成功返回(图片来源国家航天局) 图2 高性能低膨胀铝基复合材料及构件应用于全球首颗可重复使用返回式技术试验卫星(图片来源央视新闻频道)
北京科技大学 2025-05-21
硅基拓扑光子学
研究团队利用能谷-赝自旋耦合原理,在绝缘层硅(SOI,silicon-on-insulator)上制备出能谷光子晶体平板。该拓扑光学结构具有~40nm的特征尺寸,其光子模式(因工作于光锥以下)能够较好地局域在平板内,抑制了平板外损耗。他们制备了直线形、Z形和Ω形等三种拓扑光学通道,测量出高透平顶透射光谱带,证实了近红外波段下拓扑保护的宽带抗散射传输。采用硅微盘技术产生相位涡旋源,无需低温和强磁等极端环境,实现了拓扑界面态的选择性激发,实现了亚微米量级耦合长度的宽带光子路由行为,验证了能谷-赝自旋耦合等拓扑光学原理。在硅基平台上证实拓扑光子学原理,是目前国际学术前沿的聚焦度较高的领域之一。研究团队过去在拓扑光子学原理方面的工作,多次引起国际同行关注,论文入选ESI高被引。该工作中,他们深入系统地发展出硅基拓扑光学等关键理论,攻克了数十纳米加工工艺等关键技术,率先在硅基光子平台与拓扑光子学之间建立了联系,突破了单一自由度调控的传统框架,提出了硅基中多自由度耦合的多维调控新机制,为微纳光学与光子学、光二极管等关键光子芯片器件、混合集成光子学、高保真光量子信息光学、非线性光学等领域,提供了新方法和新思路。
中山大学 2021-04-13
中硼硅玻璃安瓿
主要生产药用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液体瓶等产品。现拥有14条国际先进的拉管生产线,70余台国际先进的制瓶机,年产各类安瓿/管制瓶32亿支,药用玻管(精品7.0)30000吨。
山东力诺特种玻璃股份有限公司 2021-08-27
低硼硅玻璃安瓿
主要生产药用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液体瓶等产品。现拥有14条国际先进的拉管生产线,70余台国际先进的制瓶机,年产各类安瓿/管制瓶32亿支,药用玻管(精品7.0)30000吨。
山东力诺特种玻璃股份有限公司 2021-08-27
季铵盐-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂层材料
成果简介:本发明涉及一种季铵盐-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂层材料。通 过可逆加成-断裂链转移自由基或大分子引发剂自由基聚合的方法,制备聚二甲 基硅氧烷-b-[聚甲基丙烯酸 N,N-二甲氨基乙酯-b-聚甲基丙烯酸六氟丁酯-b-聚 (甲基丙烯酸六氟丁酯-co-甲基丙烯酸羟乙酯)]2 多嵌段共聚物。然后加入 1-碘 辛烷进行季铵化反应,制得季铵盐-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物。该方法的优点是 反应操作简便,反应条件温和,反应过程具有较好的可控性。制备的多嵌段共聚 物具有良好的成膜性和抗菌性能。这种多嵌段共聚物可以广泛应用于抗菌涂层材 料。 成果水平: 国内领先 应用范围:广泛应用于织物、室内装饰、建筑物的内、外墙、顶棚或地面、以及 家具表面。 市场分析及前景:微生物广泛存在于自然界,通常细菌适宜繁殖生长的自然条件 为温度 23℃~38℃,相对湿度为 85%~100%,因此在温湿地区的建筑物内外墙 面,以及家具表面等适合细菌生长的表面,它们繁衍迅速.并由此生出各种酶、 酸和毒素的代谢产物,从而影响物品的外观与质量,污染环境,危害动植物的生 长和人类的健康,我国南方地区多雨潮湿,很容易滋生细菌,抗菌涂料具有筑装 饰和防霉作用的双重效果,具有广阔的应用前景。目前抗菌涂料的研发处于初始 阶段,具有良好的发展前景。 主要技术指标:抗菌性能: 测试方法:琼脂平板法。 测试结果:在 37℃下,对大肠杆菌、枯草杆菌等进行 24 小时培养,具有显著的 抗菌效果。 合作方式:技术转让,100 万元。
天津大学 2021-04-11
硅晶片线切割用6HSiC微粉材料的研究及产业化
关键工序生产的自动化 ① 粉碎(雷蒙磨)自动控制系统的研发   研制可对粉碎车间雷蒙磨振动下料、粉碎、气流粗分工况进行实时监测、自动优化控制的自动监控系统。将雷蒙磨因堵塞停机造成的故障次数比现阶段减少75%,且提高工效15%以上。    ② 气流分级自动控制系统的研发   研制气流分级机用自动控制系统,具备以下功能:可根据分级轮主机负载实时自动调节喂料速度、根据所设定的风压值自动调整变频器运行、根据生产工艺要求自动向企业综合信息平台实时发送生产工况参数。    ③ 提纯工序实时检测与信息管理系统的研发   开发可对提纯缸、脱水机、烘干炉等主要设备工况进行实时监控的智能化监控仪设备。    ④ 水力分级自动控制系统的研发   研发水力分级设备用自动控制系统,可根据工艺曲线要求自动控制水流量。采用水泵变频控制,变常规的高低液位控制为恒液位控制,液位控制精度达到0.3%;研制出料自动切换装置,实现出料无人值守。 ⑤ SiC冶炼炉在线自动测控装置的研发   研制SiC冶炼炉在线自动测控装置,可按冶炼工艺和炉温自动进行恒功率综合优化控制,炉温控制精度达到2.5级。成果已在工厂正常运行3年。获得4项发明专利授权,5项软件著作权授权 雷蒙磨粉碎自动检测方法及装置                   专利号:ZL200810020792.3 一种提高碳化硅微粉水溢流分级效率的精密控制方法 专利号:ZL200910035173.6 一种燃煤锅炉能效监测方法                      专利号:ZL201110091483.7 阵列式LED照明灯具的中心区域温度动态控制方法  专利号:ZL201210356239.3 一种经济型燃煤锅炉能效监测系统及方法           专利号:ZL201110292517.9 一种低冗余度高可靠性船舶发电机组智能测速装置 专利号:ZL201110058228.2一种手机可遥控的总线型区域供热计量管理系统 专利号:ZL201010134495.9
东南大学 2021-04-13
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