（专利号：ZL 201410468400.5） 简介：本发明公开了一种水溶性纳米硅溶胶的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法首先利用氟化钙与浓硫酸反应制备HF气体，然后将HF气体导入到分散有纳米SiO2的无水乙醇中得到HF处理后的纳米SiO2，然后将HF处理后的纳米SiO2与硅烷偶联剂反应得到改性后的纳米SiO2，最后将改性后的纳米SiO2进行后处理制得水溶性纳米硅溶胶。本发明方法制备的水溶性纳米硅溶胶的粒子结构稳定，能够分散在水相

发展了水分辅助 CVD 生长高品质碳纳米管阵列的技术，可实现高纯度碳纳米 管阵列的高效生长。制备了碳纳米管阵列负载各种金属氧化物的纳米复合材料， 并用于构建高性能的超级电容器。

涂层技术是提高刀具性能和寿命的重要途径。随着高速切削、干式切削等先进切削技术的不断发展，对刀具涂层的性能也提出了更高的要求，不仅要具备高硬度、高弹性模量、耐磨性和韧性等机械性能，还要具备抗高温氧化性能、耐蚀性以及优异的高温力学性能(红硬性)，传统的刀具涂层，如TiN、CrN、甚至TiAlN涂层已逐渐不能满足性能的要求。因此，亟需开发高性能的新型保护性涂层材料。 材料结构涂层是利用纳米材料的特异结构产生高硬度的新型涂层材料，包括纳米多层涂层和纳米复合涂层。本项目组采用PVD(物理气相沉积)技术开发的TiAlSiN、TiSiCN、CrAlSiN等纳米复合结构涂层获得近50GPa的超高硬度，同时具有较低的摩擦系数和热稳定性，其使用温度达到1000℃；开发的CrAlN/ZrO2、TiAlN/SiO2等纳米多层涂层，不仅具有超过50GPa的超高硬度，同时由于含有氧化物阻挡层，抑制了外界氧原子向涂层内部的扩散，使涂层抗氧化性能得到大幅提升，同时还具备优异的耐蚀性能。

所属行业领域 平板显示及光通讯 成果简介 蓝相液晶由于具有快速的电光响应速度（亚毫秒级）、无需彩色滤光片、无需取向处理、无需视角补偿膜等优点，而被誉为最具革命性的新一代液晶显示材料。然而目前蓝相液晶材料存在蓝相温域窄（通常仅有1～3oC）、驱动电压高以及电光迟滞等问题，限制了其产业化进程。本成果通过开发纳米粒子掺杂蓝相液晶复合显示材料，具有较宽的蓝相温域（-10～10

本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。

随着纳米颗粒制备技术的日渐成熟，其应用技术也日益受到人们的广泛重视。但由于纳米颗粒粒径小、比表面积和表面能大、颗粒不稳定极易团聚，导致其优异的性能不能充分发挥，因此纳米技术研究中最艰巨的任务之一是使纳米颗粒能够稳定存在且不发生团聚。最常使用的方法是把纳米颗粒分散于介质中，通过静电稳定机理、位阻稳定机理和静电位阻稳定机理等来制备稳定分散的浆料。其中涉及到的核心科学问题为纳米颗粒的表面改性及其浆料稳定性。 项目组根据不同纳米材料表面特性以及应用场合不同，攻克了纳米粉体表面化学改性技术、纳米粉体在溶液中稳定分散技术等关键技术，制得了纳米四氧化三铁、二氧化钛、氧化铟锡、氧化锌、氧化镁、氮化硅、碳化硅等多种分散稳定性优异的水基、乙醇基浆料，其颗粒平均粒径≤100nm，比表面积≥30m2/g，固含量从0.5～20％不等。不同纳米粉体含量浆料静置稳定性从1～30d至1年不等，研究成果为纳米材料的应用奠定了坚实的基础。 应用前景： 纳米四氧化三铁浆料是采用胶溶化法和添加改性剂及分散剂方法，通过在颗粒表面形成吸附双电层结构阻止纳米粒子团聚来制得。平均粒径在20nm左右，具有超顺磁性，浆料Fe3O4固含量在0.5～20％，浆料静置稳定性在1年左右。可应用在磁性密封、生物医药载体、磁保健、磁记录材料、高梯度磁分离器、微波吸收材料以及静电复印显影剂。 纳米二氧化钛浆料作为产品或产品添加剂应用范围很广，主要可应用于抗紫外剂，纳米环保、抗菌、自清洁剂，随角异色效应型纳米涂料，静电屏蔽剂等。 纳米ITO水基浆料加入水性涂料中，经涂敷制得ITO薄膜。由于ITO薄膜具有优良的光电性能，对可见光的透过率达70％以上，对红外光的反射率≥70％，对紫外线的吸收率≥70％，对微波的衰减率≥85％，导电性和加工性能极好，硬度高且耐磨耐蚀，可用作防隔热涂料等。

本发明公开了一种基于 B/S 架构的灌区配水综合管理系统及方法，系统包括数据采集终端、网络服务器 端、客户端和无线网络；系统集成灌区水情数据采集与检测、灌区实时灌溉预报与配水决策和灌区水情 信息管理与分析等功能。系统具有 B/S 构架的适应性和可扩展性、维护方便、成本低，同时可以方便利 用网络气象数据，注重数据的实时通讯能力，使系统克服了空间和地域的限制，访问方便。系统浏览器 端开发采用新兴网站开发技术，页面简洁、交互友好，降低了管理人员专业技

产品详细介绍HiCC-S1型全自动菌落计数及抑菌圈测量仪系统一、主要性能参数指标：1 成像装置1)中晶ScanMaker i800 Plus上下LED双光源彩色扫描成像，亮度可调、自动聚焦，能实现光学分辨率2960万像素的均匀背光、暗视野成像，最大色彩深度48位，及自动对焦的大景深800万像素拍摄装置2)适应培养皿：50～180mm及A4幅面内的矩形平板，同时测定6个90mm平皿（倾注、涂布、膜滤、螺旋平皿、3M纸片）2 菌落计数分析自动识别统计：SmartdownTM菌落智能识别技术，具有菌落目标自动增强特性，自动识别大规模团状、链状粘连的长形杆菌（显微形态大片粘连的大肠杆菌、病菌孢子）及平皿上的各类菌落（含金色葡萄球菌计数（GB4789.10-2016）、大肠菌群测定（GB4789.3-2016）等等）。可自动形成批处理向导，实现一键式自动计数自动计数精度≥96.5%，最多监视修正3.5%，即达100%正确。分析统计速度：150～800个菌落/s，大通量6平皿分析时每平皿成像+计数总耗时≤5秒菌落粘连分割：自动分割相互成片粘连的长形、圆形等菌落目标，用户可选择分割或不分割。还可手动分割、合并菌落目标图像颜色形状识别：具有快速水平集提取技术，可按20类分类识别计数特定颜色、形状的菌落数量，并可类别转换修正。可同时选择6个目标区自动分别分析，并自由增减或编辑分析目标区菌落形态分析：自动获得各菌落面积、等效直径、长轴、短轴、长宽比、圆度、周长、形状系数等。可按形态指标过滤查询。鼠标点击修正，无痕剔除网格及文字，自动剔除杂质，有效支持复杂微生物统计，符合GB4789.2-2016的参数自动换算特性。3抑菌圈测量一键式全自动测定6个90mm直径平皿中的所有抑菌圈，可全自动测定局部粘连的抑菌圈，可在有局部文字干扰的情况下，自动获得抑菌圈面积、直径等结果。测量分析耗时1～4秒钟，能统一保存或查看阅读相关各类分析数据平皿可任意方向摆放。具有抑菌圈样本自动挑选、保真的可视化比对、编辑功能。抑菌圈测量系统的读数分辨率≤0.001mm、最高光学测量分辨率≤0.0053mm，重复测量误差≤±0.01mm或≤±0.1%；效价测量误差≤±0.1%；效价重复测量误差≤±0.1%；台间测量差异≤0.2%符合中国药典、USP美国药典、EP欧洲药典，可完成最新的国家药典(2020版)一、二、三剂量及合并计算，以及全部菌种的抗生素效价分析。具有效价的组合优化分析特性。可按食品添加剂 乳酸链球菌素QB 2394-2007标准，全自动同时测量24个以上抑菌圈并自动分析出效价内置美国CLSI“抗微生物药物敏感性试验执行标准”最新第25版(2015)全部数据，提供数据输入和修改平台，方便更新，为纸片法药敏分析提供快捷工具4数据导出：分析图像与数据结果可保存，可直接报告结果，无需手工计算，结果可以直接导出到Excel或PDF文档报告。软件具有在线升级特性。5 数据追溯、权限保护，操作记录可追踪回溯，符合GLP和GMP要求：采用多重系统构架，分设职能与权限，确保数据信息的安全、完整、真实和可追溯。1）、系统管理员：负责创建、管理所有普通管理员与操作员的账户，设置普通管理员和操作员的权限。系统管理员只有一个，拥有系统最高权限。2）、普通管理员：负责全部测试数据的审核、存档管理、以及其他系统数据的管理。系统可分配多个普通管理员，其权限由系统管理员设置分配。3）、操作员：负责样品制作、测试、修正、形成电子报告、提交审核等。系统可分配多个操作员，其权限由系统管理员设置分配。4）、所有账户都可自行修改登录密码，设置自己的电子签名并输出到报告。5）、系统自动记录每个账户的操作记录，系统管理员可对操作记录进行追溯、查看、输出等。6 测量功能：全自动尺寸标定，也可人工标定。可鼠标拖动精确测量长度、角度、弧度、面积、弧线、任意曲线。7配置：万深HiCC系列全自动菌落计数分析及抑菌圈测量分析软件、锁及附件 1套Microtek ScanMaker i800 Plus双光源彩色扫描成像仪1台自动对焦的大景深800万像素拍摄装置1套万深HiCC系列自动抑菌圈测量仪专用标准板 1片（附1份权威校准认证书）品牌电脑（酷睿i5 CPU / 8G内存/ 19.5”彩显/无线网卡，5个以上USB2.0口，运行环境Windows 10完整旗舰版）  1台7．环境条件：温度10~30℃，相对湿度≤85%，防止强光照射。仪器应放在平稳工作台上，周围无强烈的机械振动和电磁干扰；电源要求220V±10%，50Hz。