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聚丙烯酸酯微球及其应用
中国发明专利ZL2023104389499：采用高内相乳液模板法制备20-100微米的聚丙烯酸酯实心或多孔微球，可应用于吸附剂、药物香精载体或粉末涂料；制备简便、绿色环保且产率较高，基本无排放。
厦门大学
2025-02-07
钢球冲击测试仪，落球冲击试验机
产品详细介绍钢球冲击测试仪，落球冲击试验机简介：
感谢您对硒铁“钢球冲击测试仪，落球冲击试验机”的关注，您的关注是我们前行的动力！欲了解落球冲击试验机的更详细资料请致电“硒铁仪器”.
落球冲击试验机用于塑胶、透明包装、PVC、陶瓷、压克力、玻璃纤维等材料的抗冲击试验。
落球冲击试验机主要技术参数:
钢球重量： 112g 198g 225g 357g 533g 1042g 2280g选择或指定
跌落高度： 20~2000mm
跌落高度标尺： 最小指示1cm
机台尺寸： W400 x D450 x H2200mm
机台重量： 50kg
电 源: 220V,5A
http://www.szxitie.com
http://www.xitie17.com
深圳硒铁试验仪器有限公司
2021-08-23
一种Au纳米粒子修饰的TiO2纳米线光催化剂的制备方
本发明公开了一种Au纳米粒子修饰的TiO2纳米线光催化剂的制备方法，步骤如下：将钛片分别通过乙醇清洗和酸洗去除表面的油污和氧化层，表面打磨直到均匀光滑，通过阳极氧化法对其进行氧化处理，采用阶梯升压的方法，阳极氧化处理，氧化处理后在空气中煅烧；采用吸附-光还原的方法对TiO2纳米线进行Au纳米粒子修饰，把TiO2纳米线浸入到氯金酸溶液中，搅拌状态下进行紫外灯光照，处理后用去离子水冲洗，烘干。本发明在模拟日光照射下具有较高的光催化活性，提高了对可见光的利用，且制备方法简单，反应便于控制；作为固定化的光催化剂，便于从水中分离，避免产生新的污染，去除水体中有机污染物具有良好的稳定性和可重复利用性。
青岛农业大学
2021-04-13
一种核壳中空结构MoO3@mSiO2微球的制备方法及应用
（专利号：ZL 201310397776.7） 简介：本发明公开了一种制备MoO3@mSiO2微球的方法，属于纳米材料制备技术领域。该制备方法利用十六烷基三甲基磷钼酸铵为核，采用溶胶凝胶法包覆一层SiO2，然后煅烧得到核壳中空结构的MoO3@mSiO2微球。该MoO3@mSiO2微球分散性好，粒径200～900nm，具有核壳中空结构，核是MoO3，壳是多孔SiO2。该微球对催化乙酸和丁醇合成乙酸丁酯的酯化反应具有很好的催化效果，其在反应温
安徽工业大学
2021-01-12
一种核壳中空结构WO3@mSiO2微球及其制备方法和应用
（专利号：ZL 201310428729.4） 简介：本发明公开了一种制备WO3@mSiO2微球及其制备方法和应用，属于纳米材料制备技术领域。该制备方法利用十六烷基三甲基磷钨酸铵为核，采用溶胶凝胶法包覆一层SiO2，然后煅烧得到核壳中空结构的WO3@mSiO2微球。该WO3@mSiO2微球分散性好，粒径500～600nm，具有核壳中空结构，核是WO3，壳是多孔SiO2。该微球对以油酸和甲醇为原料合成油酸甲酯（生物柴油）的酯化反应具有很好的
安徽工业大学
2021-01-12
植物响应重金属胁迫时伴随着内源H2S含量的变化
内源H 2 S参与植物对重金属胁迫的抵御，植物响应重金属胁迫时伴随着内源H 2 S含量的变化。但是关于胁迫对内源H 2 S的诱导机制仍然知之甚少。翟继先课题组该项研究发现Cr6+胁迫增加CaM2的基因表达以及蛋白丰度，进而Ca 2+ /CaM2信号与bZIP转录因子TGA3互作，并增强TGA3与H 2 S产生酶编码基因LCD启动子中含“TGACG”的顺式作用元件结合，从而上调LCD的转录，促进内源H 2 S产生，诱导拟南芥适应并抵御Cr 6+ 胁迫。本研究首次发现钙信号对LCD基因的转录调控机制，并揭示了重金属胁迫诱导内源H 2 S产生的信号通路，对气体信号分子的研究具有指导意义。此外，该项研究还为遗传改造以培育高产安全的作物品种提供了新思路，为最大程度地降低耕地重金属污染造成的农业经济损失提供新的科学依据。
南方科技大学
2021-04-13
一种Fe2O3纳米薄膜卷曲管的制备方法
本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域，涉及一种Fe2O3纳米薄膜卷曲管的制备方法，利用电子束沉积镀膜技术和纳米膜卷曲技术，先制备单质Fe的纳米膜卷曲管结构，然后在空气气氛下退火得到Fe2O3纳米膜卷曲管；其制备工艺简单，操作方便，原理科学，无污染，环境友好，能够有效控制卷曲管的管壁厚度，制备的纳米膜卷曲管长度能达到几百微米。本发明在新能源、气敏、催化、等领域具有重要用途。
青岛大学
2021-04-13
一种锥形的非晶SiO2纳米线及其制备方法
本发明属于纳米材料领域，特别涉及一种锥形的非晶的SiO2纳米线及其制备方法。本发明提供的锥形SiO2纳米线如图1所示，形貌上纳米线根部直径300nm~600nm，高度2~4um，对于一根纳米线，随高度增加，直径逐渐减小，成圆锥形，圆锥角4~15°且可以通过调控原料的量使得纳米线直径，高度以及锥角发生变化。成分上Si和O，不含催化剂。所述方法的工艺步骤为：（1）生长基底及载物盘的清洗；（2）半封闭势井形气流装置的组合（3）锥形SiO2纳米线的生长。在通流动载流气体条件下将高温区管式炉升温至1250°，炉内压强保持在0.04~0.06Mpa，然后在上述温度和压强保温2~5h，保温时间届满后，所述生长基底上即生长出锥形SiO2纳米线；所述载流气体为H2和Ar组成的混合气体，H2的体积百分数为3~7%，Ar的体积百分数为93~97%。
四川大学
2016-10-21
二元硫化物作为热电材料
从元素在地壳中的丰度，毒性和价格方面介绍硫化物作为热电材料的天然优势；从热电性能上分析了硫化物在热稳定性，载流子浓度的可调控性等方面的劣势；也总结了包括元素掺杂、微观结构调控等优化硫化物热电材料的方法；最后提出了硫化物潜在的研究方向和可能的优化硫化物热电材料性能的新方法。
南方科技大学
2021-04-13
工业冶炼含硫化氢烟气处理技术
上海交通大学
2021-04-13