高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
药物可控时序释放的含多种药物的磷酸钙骨水泥粉末
一种药物可控时序释放的含多种药物的磷酸钙骨水泥粉末,由长期释放药物与磷酸钙骨水泥粉末中的一种成分沉淀共混后,再通过高分子包裹得到包裹物粉末;然后将包裹物粉末与磷酸钙骨水泥粉末中的其它磷酸钙成分以及前期释放药物直接混合制得,或者将包裹物粉末与前期释放药物与磷酸钙骨水泥粉末中的另一种成分的沉淀共混物粉末及磷酸钙骨水泥粉末中的其它成分一起混合制得。该粉末可适合于骨缺损的填充与修复,而且所携载的前期释放和长期释放药物药物,可在骨缺损局部不同时序释放联合给药,并通过协同作用,增强疗效,促进骨愈合,提高临床骨缺损填充和修复的成功率,同时可降低药物对机体所产生的副作用,满足临床对骨填充修复材料的需求。
西南交通大学 2016-10-21
一种柔性钙钛矿太阳能电池的制备工艺
本发明公开了一种柔性钙钛矿太阳能电池的制备工艺,包括以 下步骤:1)刻蚀;2)光阳极的制备;3)碳对电极的印刷成膜:采用烘干·114·温度在 150℃以下的导电碳浆,利用丝网印刷法在柔性导电基底上制 备成膜,即得到太阳能电池的碳对电极;碳对电极的一端与 ITO 导电 层接触,另一端与 ITO 之间存在间隙,生长的 ZnO 纳米线在该间隙处; 4)钙钛矿的添加。本发明采用一种低温的制备工艺在柔性导电基底上 制备电池的光阳极。接着采用有机溶剂烘干温度在 150℃以下低温导 电
华中科技大学 2021-04-14
世界纪录效率全钙钛矿叠层太阳能电池
利用钙钛矿材料制备高效率低成本太阳电池 一、项目分类 重大科学前沿创新、关键核心技术突破 二、成果简介 南京大学现代工程与应用科学学院谭海仁教授团队瞄准“碳达峰、碳中和”国家重大需求,致力于高效率新型光伏技术的基础和应用研究,两年内连续四次创造全钙钛矿叠层太阳电池光电转换效率的世界纪录,并被国际权威的《Solar cell efficiency tables》收录。 2019年,研究团队率先突破全钙钛矿叠层制备瓶颈,提出新型隧穿结结构,实现了器件制备过程的大幅简化和性能的大幅提升,最终实现了24.8%的光电转换效率;2020年,团队通过材料改性和结构优化实现了大面积叠层电池24.2%的效率。 近期,研究团队提出增强窄带隙钙钛矿晶粒表面缺陷钝化的新策略,叠层电池经国际权威机构认证其转换效率高达26.4%。同行专家高度评价该研究工作“在利用钙钛矿材料制备高效率低成本太阳电池中迈出了重要的一步”。 相关成果发表于Nature (2022)和Nature Energy (2019、2020)等国际顶级期刊,入选“中国半导体十大研究进展”和“中国光学十大进展”,部分技术已实现科技成果转化,推动了我国新型钙钛矿太阳电池的产业化。
南京大学 2022-08-12
一种无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明属于微纳制造技术领域,并公开了一种无机钙钛矿太阳 能电池,包括导电基底、电子收集层、光吸收层、空穴传输层和碳对 电极层,导电基底包括玻璃基片及两块 FTO 导电层,两块 FTO 导电层之间具有分隔槽;电子收集层包括致密 TiO2 层和介孔 TiO2 层,致 密 TiO2 层沉积在玻璃基片的分隔槽处和其中一块 FTO 导电层的上表 面上。
华中科技大学 2021-04-14
一种喷射沉积成形制备大块非晶合金的方法
雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于,将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起,是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成,是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜,块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上,杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12~13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金,这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明,沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利,杨滨,刘宗峰,张勇,张济山,陈国良,一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法,专利号:ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”,获中国有色金属工业科学技术奖一等奖(2003.12)。
北京科技大学 2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
一种超硬非晶碳薄膜的制备装置和工艺
项目为一种超硬的非晶四面体碳(ta-c)薄膜的制备装置和工艺,该薄膜具有极好的物理化学特性,在碳基薄膜中,是目前国际上公认的SP3键含量最高,超过85%,特性最接近天然金刚石的薄膜,硬度达到HV≥85Gpa,可见光和红外光透明,透光率达97%,吸收紫外光,达98%,薄膜均匀性好,薄膜平整度达0.2nm,摩擦系数≤0.08,电阻率达(1012Ω·cm),击穿电压3.5×106,(),热导率18(),密度3.5(g/cm3),薄膜致密耐腐蚀作用极好。 该项目可用于高精度专有刀具、模具和摩擦滑动部件,提高使用寿命,减小摩擦,如手术和美容刀具、丝锥、PCB钻、拉丝模、冲压模具、压缩机滑块,滑动环等;用于视窗、镜片和传感器表面,可防止划伤,增强散热,利于红外光传递,等;用于激光透镜,可提高损伤阈值;用于射线辐射测量传感器,可抗射线辐射损伤,提高测量的灵敏度。
西安交通大学 2021-04-11
一种非晶合金零件的快速成形方法
本发明公开了一种非晶合金零件的快速成形方法,包括首先对 电磁成形系统中的电容器充电,然后采用电脉冲放电对非晶合金进行 快速升温使其温度升至过冷液态温度,在温度达到设定温度停止电脉 ·549·冲放电,同时使所述电磁成形系统的电容器放电,产生电磁力并驱动 过冷液态的非晶合金变形至模具中,即可实现非晶合金零件的快速成 形。本发明还公开了利用上述方法所制备的非晶合金零件。本发明通 过对热塑性成形过程中的加热方式、成形驱动方式
华中科技大学 2021-04-14
一种大塑性非晶基复合材料的制备方法
本发明公开了一种非晶基复合材料的制备方法,其特征在于, 包括:将片状非晶合金与增韧第二相材料交替层叠后置于夹具中,其 中所述增韧第二相为板状且上下表面开有阵列通孔的结构;在恒压或 渐增载荷的条件下,对层叠的非晶合金及多孔板加热,同时对其实施 超声振动,非晶合金迅速软化并被压入第二相增韧板的孔中,使得非 晶相合金与增韧第二相的界面冶金良好结合,而且成形过程中不会发 生晶化,从而获得塑形良好的非晶合金复合材料。本发明还公
华中科技大学 2021-04-14
一种基于洛伦兹力的非晶合金成形方法
本发明公开了一种基于洛伦兹力的非晶合金成形方法及装置, 该方法包括:非晶合金样件在感应电流的作用下升温至过冷液态区, 同时在洛伦兹力的驱动下变形至模具冷却成形;感应电流和洛伦兹力均由成形线圈放电产生,感应电流由设置在成形线圈周围的导体在成 形线圈放电过程中感应产生,洛伦兹力由放电过程中成形线圈产生的 磁场与非晶合金样件流过的感应电流共同作用产生,导体与非晶合金 样件构成感应回路,以使感应电流流过所述非晶合金样件。非晶合金 样件的升温、成形、冷却过程在数毫秒脉冲放电时间内一次完成,具 有升温、成形、冷
华中科技大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 24 25 26
  • ...
  • 36 37 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1