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万深RootGA根系显微成像和动态生长监测系统
产品详细介绍万深RootGA根系动态生长监测分析和显微成像系统1、用途:定时自动成像雾培、水培、琼脂培养基培、土培、沙培的盆栽农作物根系,并动态监测其根系生长速度,动态跟踪根系细微结构、根尖数和根毛变化,以及根尖病变情况,宏观动态统计分析不同时刻点根系的整体发展变化,还可分析洗净根系情况,获得根系生长的动态数据,以便科学客观地评价植物生长质量相应关键因素,如分析:光照、水肥、温湿度环境对生长与抗逆性的影响。2、系统组成:多组的自动对焦800万像素多关节的大景深拍摄仪+背光套件+透明培养器皿套件,连续变焦单筒体视测量显微镜、500万像素显微相机、手动X-Y移动显微平台+上下光源,根系分析软件和电脑(酷睿i5 8400 CPU /8G内存/500G硬盘/1G显存/ 19.5”彩显/无线网卡)。3、 主要性能指标:1)多关节的大景深拍摄仪+背光成像套件可在植物侧面等位置上,在不同时刻点自动拍照跟踪监测根系,自动生成根系的整体发展变化和生长的动态数据,动态图示标记活体根系每天的新生长区和统计其对应的新生长根量,包括不同深度位置上的根量变化。系统具备对根系生长异常的预警机制。该动态跟踪分析的根系成像视野为240mm宽*380mm高,自动拍照分析的时间间隔0.5-48小时可调(若定时拍照时间点前接入电脑,即可自动启动拍照。1台电脑能自动轮巡监测10个视野以内的作物植株原位根系动态变化(标配默认提供4套动态生长监测成像硬件,若要实时监测10个视野的作物植株原位根系,需配10套拍照成像组件)。1分钟内自动拍完全部照片后,该监控电脑即可另做他用(不用被独占)。2)可按被监控根系分块区域图像显示根量随时间变化的密度热力图,各部位的变化精细度可由分块监控大小来自定义控制。根系软件能自动生成根系生长的视频,以便按时间节点来回溯查看。3)可对原位土培根系图像进行交互引导分析、锁定编辑根系路径、修正根系的长短、粗细、位置等。具有鼠标编辑点的跟随放大镜。能自动拼接多张原位根系图。4)可做洗净根系分析:1)根总长;2)根平均直径;3)根总面积;4)根总体积;5)根尖计数;6)分叉计数;7)交叠计数;8)根直径等级分布参数;9)根尖段长分布,10)可不等间距地自定义分段直径,自动测量各直径段长度、投影面积、表面积、体积 等,及其分布参数;11)能进行根系的颜色分析,确定出根系存活数量,输出不同颜色根系的直径、长度、投影面积、表面积、体积。12)能进行根系的拓扑分析,自动确定根的连接数、关系角等,还能单独地自动分析主根或任意一支侧根的长度和分叉数等,可单独显示标记根系的任意直径段相应各参数(分档数、档直径范围任意可改,可不等间距地自定义),并能进行根的分叉裁剪、合并、连接等修正,修正操作能回退,以快速获得100%正确的结果。13)能用盒维数法自动测根系分形维数。可分析根瘤菌体积在根系中的占比,以客观确定根瘤菌体贡献量。14)大批量的全自动根系分析,对各分析结果图可编辑修正。15)能做根系生物量分布的大批量自动化估算。16)能自动测量油菜、大豆等果荚的果柄、果身、果喙部分的粗细、长、弧长、玄高等参数。能自动测量各种粒的芒长。17)能测各类针叶的叶面积、长度、粗细。18)各分析图像、分布图、结果数据可保存,分析结果输出至Excel表,可输出分析标记图。5)可单筒体视显微镜500万像素彩色成像(最高可放大270倍),能自动拼接多张显微根系图,可分辨小至0.01mm的根毛,方便观察根际细微结构、根尖数和根毛变化,以及根尖病变情况;手动X-Y移动显微平台可二维扫描微观根系,获得超高分辨率的大幅面根系图像。
杭州万深检测科技有限公司 2021-08-23
英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
金刚石半导体集热、电、声、机械等特性于一体,在禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体,被称为“终极半导体”。英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化,可以极大地推进我国半导体的革命性变革,实现我国微电子行业的跨越式发展,达到国际先进水平。本项目在国家“千人计划特聘专家”王宏兴的推动下,已经完成了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造,利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品,实现了克隆衬底工艺的全线贯通,具有小批量产业化能力。按照日本相关公司的预测,随着金刚石半导体的发展,在2030年,中国的市场规模达到100亿美元。由于金刚石生产中的主要成本是甲烷、氢气和消耗电力的费用,成本较低,经济效益显著。 金刚石半导体特性 关键设备-MPCVD 克隆技术 单晶金刚石衬底
西安交通大学 2021-04-11
分米量级尺寸的六方氮化硼二维单晶的制备
团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法,并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长(Science. Bulletin 2017, 62, 1074)。与石墨烯不同,六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性,其外延生长普遍存在孪晶晶界问题:旋转180°时晶格方向发生改变,外延生长时不可避免地出现反向晶畴,而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方
南方科技大学 2021-04-14
一种异位活性氧化镁碳化固化淤泥土方法
本发明公开了一种异位活性氧化镁碳化固化淤泥土方法,属于水利土木工程的领域。该方法包括淤泥预处理、固化剂均混、淤泥颗粒化、二氧化碳碳化、废气/废液收集、资源化利用几个步骤,通过实测含水率调节固化剂供给量,根据土性调节颗粒粒径和二氧化碳压力,实现了淤泥与固化剂的充分拌合以及氧化镁固化淤泥颗粒的快速碳化。作业过程中吸收粉尘和二氧化碳,避免了二次污染。该方法安全简捷、低碳环保、连续作业率高,解决了淤泥处理和工程应用难题,淤泥碳化颗粒具有含水率低、硬度大、抗剪强度高和摩擦系数大等优点,可用作路基、机场跑道、工程回填等填料,实现了淤泥/污泥和二氧化碳在工程上的再利用,具有巨大的工程建设意义。
东南大学 2021-04-11
一种有机功能介孔氧化硅的合成方法
本发明涉及一种有机功能介孔氧化硅的合成方法。该方法以三乙氧基硅烷与三烷氧基有机硅烷偶联剂作为硅源,以聚环氧乙烷?聚环氧丙烷?聚环氧乙烷三嵌段共聚物(P123)作为表面活性剂,在酸性条件下通过共聚法一步将有机功能基团耦合到有序介孔氧化硅中,得到了功能化程度远远大于传统共聚法接枝率的有机功能化介孔氧化硅。在反应过程中,通过控制有机硅烷偶联剂与三乙氧基硅烷的加入量比例可调控介孔氧化硅的功能化程度及孔道的有序度。
东南大学 2021-04-14
纳米二氧化硅气凝胶隔热保温材料
成果创新点 与市场上现有气凝胶产品采用超临界干燥技术不同, 本产品采用常压干燥方式制备。 粉体的导热系数达到 0.015W/mK,复合保温毡垫的导热 系数达到 0.022 W/mK,保温性能优于市场上有机保温材料, 而且燃烧性能达到 A 级不燃,兼有保温和防火效果。 通过工艺改进解决了常压干燥制备有机溶剂使用量大 和制备周期长的缺点,而且使用无机硅源和有机溶剂使用 少,制备成本大大降低。
中国科学技术大学 2021-04-14
纳米二氧化硅气凝胶隔热保温材料
与市场上现有气凝胶产品采用超临界干燥技术不同, 本产品采用常压干燥方式制备。 粉体的导热系数达到 0.015W/mK,复合保温毡垫的导热系数达到 0.022 W/mK,保温性能优于市场上有机保温材料, 而且燃烧性能达到 A 级不燃,兼有保温和防火效果。 通过工艺改进解决了常压干燥制备有机溶剂使用量大和制备周期长的缺点,而且使用无机硅源和有机溶剂使用少,制备成本大大降低。 
中国科学技术大学 2023-05-19
一种树径生长量的自动测量装置
一种树径生长量的自动测量装置,通过无线网络节点远程监测装置实现实时监测树径的实时生长量和生长状态;包括装置固定模块和测量模块;装置固定模块将测量模块固定于树干上需要测量树径变化量的位置上;测量模块包括带有弹簧的直线位移传感器、测头端滑轮、转向滑轮、导向滑轮、无弹性细钢丝绳、卡头和测头端滑轮与带有弹簧的直线位移传感器的连接部分;无弹性细钢丝绳通过转向滑轮、导向滑轮和测头端滑轮后,无弹性细钢丝绳环抱于需要测量树径的位置上,通过卡头将无弹性细钢丝绳两端卡紧;根据带有弹簧的直线位移传感器的位移量来确定树径生长的变化量。
北京林业大学 2021-02-01
一种树径生长量的自动测量装置
项目成果/简介:一种树径生长量的自动测量装置,通过无线网络节点远程监测装置实现实时监测树径的实时生长量和生长状态;包括装置固定模块和测量模块;装置固定模块将测量模块固定于树干上需要测量树径变化量的位置上;测量模块包括带有弹簧的直线位移传感器、测头端滑轮、转向滑轮、导向滑轮、无弹性细钢丝绳、卡头和测头端滑轮与带有弹簧的直线位移传感器的连接部分;无弹性细钢丝绳通过转向滑轮、导向滑轮和测头端滑轮后,无弹性细钢丝绳环抱于需要测量树径的位置上,通过卡头将无弹性细钢丝绳两端卡紧;根据带有弹簧的直线位移传感器的位移量来确定树径生长的变化量。
北京林业大学 2021-04-11
晶体生长的石英坩埚镀碳膜方法与装置
一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜方法,工艺步骤为石英坩埚的处理、装炉、加热、 镀膜、膜层退火。石英坩埚的处理包括清洗与烘干,装炉是将清洗并烘干后的石英坩埚 与组成镀膜装置的部件进行组装,加热是将装有石英坩埚的沉淀室加热至1000℃~ 1060℃,然后在该温度保温并向石英坩埚和沉淀室内通高纯惰性气体排除残余空气,镀 膜是通惰性气体结束后,继续在1000℃~1060℃保温,并在此温度向石英坩埚内通甲烷 气体,使石英坩埚内壁上沉积符合要求厚度的碳膜,镀膜结束后,继续在1000℃~1060℃ 保温40分钟~60分钟,然后缓慢冷却至室温。镀碳膜装置包括加热炉、放置被镀膜石 英坩埚的沉淀室和供气控制器。
四川大学 2021-04-11
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