一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法,采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料,具体包括如下步骤:将安瓿抽真 空密封;对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温, 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化;对安瓿缓速降温,直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0~5℃后保温,完成溴铅铯单晶 生长;对溴铅铯单晶分阶段降温:第一阶段快速降温,使溴铅铯单晶 快速冷却;第二阶段慢速降温,实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法,在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度,且采用了分阶段降温的方法,兼顾了晶体生长质 量与生长周期,有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。
华中科技大学
2021-04-11