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​碳纳米管芯片技术
芯片是信息科技的基础与推动力。然而,现有的硅基芯片制造技术即将触碰其极限,碳纳米管技术被认为是后摩尔技术的重要选项。相对于传统的硅基CMOS晶体管,碳纳米管晶体管具有明显的速度和功耗综合优势。IBM的理论计算表明,若完全按照现有二维平面框架设计,碳纳米管技术相较硅基技术具有15代、至少30年以上的优势。此外,Stanford大学的系统层面的模拟表明,碳纳米管技术还有望将常规的二维硅基芯片技术发展成为三维芯片技术,将目前的芯片综合性能提升1000倍以上,从而将物联网、大数据、人工智能等未来技术提升到一个全新高度。
北京大学 2021-02-01
用于葡萄糖色比传感的ZnFe2O4纳米颗粒-ZnO纳米纤维复合纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种ZnFe2O4纳米颗粒-ZnO纳米纤维复合纳米材料及其制备方法。首先采用共电纺丝方法,沉积得到复合纳米纤维,然后经过适宜的退火工艺制得ZnFe2O4纳米颗粒-ZnO纳米纤维复合纳米材料,ZnFe2O4纳米颗粒均匀稳定的附着在ZnO纳米纤维上。另外,本发明首次将ZnFe2O4纳米颗粒-ZnO纳米纤维复合纳米材料用于葡萄糖色比传感测试,测试方法简单且灵敏度高。ZnFe2O4-ZnO形成II型异质节半导体,交叉的能级结构有利于减小载流子的复合,提高其催化性能、传感性能。另外,将ZnFe2O4纳米颗粒复合到ZnO纳米纤维上解决了颗粒团聚问题,进一步增强了其催化性能与传感性能。
浙江大学 2021-04-11
环氧树脂纳米复合材料用多功能碳纳米管的制备方法
本发明所涉及的环氧树脂纳米复合材料用多功能碳纳米管,适用于所有高性能复合 材料领域。由于本发明所涉及的碳纳米管具有增强、分散、界面粘结、固化等多种功能, 由其制得的碳纳米管/环氧树脂复合材料具有碳纳米管本身的高强度、高模量、良好的 韧性、低密度、导电等优点,可广泛应用于各种先进材料领域,市场前景十分可观。该 多功能碳纳米管是固态材料,储存和运输十分方便;并且本身具有了良好的分散性和界 面粘结性能,操作工艺简单,相对降低了生产成本。因而,本发明为高性能纳米复合材 料的工业化生产提供了新的途径
同济大学 2021-04-11
以聚丙烯腈微纳米球制备多壁碳纳米管
碳纳米管作为一种一维有序的纳米碳质结构和功能材料,具有比强度高、导热系数高、电导率高、表面活性高和耐化学腐蚀等特点,可在吸附、储能、储气、纳米器件、催化剂载体、高性能结构和功能复合材料等方面具有潜在的和广泛的应用前景。多壁碳纳米管作为复合材料添加剂,可以有效改善复合材料的强度等性能,其制备成本又远低于单壁碳纳米管,可望得到更为广泛的应用,这种广泛程度取决于对其在规模化、低成本、高纯度制备技术上的进一步突破。 本技术是一种以聚丙烯腈微纳米球制备高纯度多壁碳纳米管的方法,其目的在于克服现有技术如电弧放电法和激光蒸发法的下列弊端;制备过程所需能量高,成本居高不下;化学气相沉积法需要添加金属催化剂,制备的碳纳米管纯度不高,含有无定型碳和催化剂颗粒;聚合物纺丝法得到的碳纳米管纯度和收率低。采用本技术制备碳纳米管,具有不需金属催化剂、纯度高、无需纯化、分散性好和可大规模生产的特点,显著优于从核壳结构高分子微纳米球胶囊出发纺丝制备碳纳米管的方法。 技术指标:多壁碳纳米管直径为15~100纳米且可控,管壁20~40层且可控,长径比大于100且可控,纯度大于 99%。
上海理工大学 2021-04-11
纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜及其制备与应用
本发明公开了一种纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜及其制 备与应用,该纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜的厚度为 4000nm 至 6000nm,该纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜由多个石墨烯片 层相互叠加形成,相邻的两个所述石墨烯片层之间的间距为 20nm~ 50nm;相邻的两个所述石墨烯片层之间均分散有碳纳米管和离子液 体。本发明所述的复合膜比表面积高,并且该复合膜具有良好的电化 学活性,可广泛应用于纳米
华中科技大学 2021-01-12
有层次结构的纳米立方体和纳米铁花状结构的制备方法
一种有层次结构的纳米铁立方体和纳米铁花状结构的制备方法,具体作法是:取不锈钢片和钛片、不锈钢片和钛片的面积比为2.5∶1,依次用400,600,800目砂纸抛光,清洗3-5次;超声30分钟,取出备用;配置含450g/L的FeCl2,抗环血酸1.4g/L,氟化铵0.8g/L,复合氨基酸0.7g/L,柠檬酸0.086g/L,0.05mol/L盐酸的电镀液;以处理后的钛片做阴极,不锈钢片做阳极,进行0.1A的恒电流电镀,电镀时间为3-60s;电镀完后取出钛片,即获得纳米铁立方体或纳米铁花状结构。该方法制得的纳米铁为立方体及花状结构,比表面积大,活性好,且设备简单,能耗低,适合大规模生产。
西南交通大学 2016-10-20
一种喷射沉积成形制备大块非晶合金的方法
雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于,将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起,是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成,是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜,块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上,杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12~13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金,这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明,沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利,杨滨,刘宗峰,张勇,张济山,陈国良,一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法,专利号:ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”,获中国有色金属工业科学技术奖一等奖(2003.12)。
北京科技大学 2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
一种超硬非晶碳薄膜的制备装置和工艺
项目为一种超硬的非晶四面体碳(ta-c)薄膜的制备装置和工艺,该薄膜具有极好的物理化学特性,在碳基薄膜中,是目前国际上公认的SP3键含量最高,超过85%,特性最接近天然金刚石的薄膜,硬度达到HV≥85Gpa,可见光和红外光透明,透光率达97%,吸收紫外光,达98%,薄膜均匀性好,薄膜平整度达0.2nm,摩擦系数≤0.08,电阻率达(1012Ω·cm),击穿电压3.5×106,(),热导率18(),密度3.5(g/cm3),薄膜致密耐腐蚀作用极好。 该项目可用于高精度专有刀具、模具和摩擦滑动部件,提高使用寿命,减小摩擦,如手术和美容刀具、丝锥、PCB钻、拉丝模、冲压模具、压缩机滑块,滑动环等;用于视窗、镜片和传感器表面,可防止划伤,增强散热,利于红外光传递,等;用于激光透镜,可提高损伤阈值;用于射线辐射测量传感器,可抗射线辐射损伤,提高测量的灵敏度。
西安交通大学 2021-04-11
一种非晶合金零件的快速成形方法
本发明公开了一种非晶合金零件的快速成形方法,包括首先对 电磁成形系统中的电容器充电,然后采用电脉冲放电对非晶合金进行 快速升温使其温度升至过冷液态温度,在温度达到设定温度停止电脉 ·549·冲放电,同时使所述电磁成形系统的电容器放电,产生电磁力并驱动 过冷液态的非晶合金变形至模具中,即可实现非晶合金零件的快速成 形。本发明还公开了利用上述方法所制备的非晶合金零件。本发明通 过对热塑性成形过程中的加热方式、成形驱动方式
华中科技大学 2021-04-14
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