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一种底板带压浆装置的吸力式沉箱基础
一种底板带压浆装置的吸力式沉箱基础，包括负压筒和压浆装置，负压筒的下端开口，负压筒的上端设有封盖，封盖上设有导缆孔、排水阀与引线孔，排水阀、引线孔与负压筒的内腔连通；负压筒内设置有若干层十字钢板，十字钢板处设有交叉式压浆管道；交叉式压浆管与竖向压浆管连接，竖向压浆管上部穿过引线孔与压浆装置相连，底层竖向压浆管道沿负压筒外壁对称布置，其他各层竖向压浆管道沿负压筒内壁对称布置，且内外竖向压浆管道设有保护性钢管；竖向压浆管道不开设注浆孔洞，交叉式压浆管道开设多个压浆孔洞。本发明可以通过筒内筒底的注浆加固作用，使浆液与十字板固结成整体，增加负压筒内土体的重量及端阻力，从而提高了吸力式沉箱基础的承载力。
东南大学
2021-04-11
油菜硼高效利用机制与硼肥优化施用技术研究应用
研发阶段/n本技术根据当前推广油菜高产优质品种的需硼规律，通过湖北省油菜主产区土壤有效硼现状的调查，以及油菜施硼效果的大田和示范，修订了当前油菜种植中土壤有效硼和植株硼营养丰缺的诊断指标，制定了《油菜硼肥施用技术规范》。该规范概括为"测土定肥、依产调肥、因势补肥"12个字。主要表现在：在油菜整地之前，测定土壤有效硼及其他有效养分的含量，以此为主要指标，根据土壤有效硼的等级所对应的硼肥推荐量，确定硼肥施用量、施用环节和方式。然后根据产量目标和品质需硼特性调整硼肥用量，并根据土壤氮磷钾等肥力状况，制定硼
华中农业大学
2021-01-12
一种六方氮化硼粉体及其制备方法
本发明具体涉及一种六方氮化硼粉体及其制备方法。其技术方案是：先按脲醛树脂与水的质量比为1∶(0.2——1)将脲醛树脂与水混合，得到脲醛树脂水溶液；再按含硼化合物中的硼元素与脲醛树脂水溶液中的氮元素的质量比为1∶(1.5——4)将含硼化合物加入到脲醛树脂水溶液中，搅拌10——50min；然后在80——100℃条件下干燥，干燥后球磨0.5——3h；最后在氮气气氛和1000——1600℃条件下保温1——5小时，随炉冷却至室温，得到六方氮化硼粉体。本发明具有生产周期短、工艺简单、适宜工业化规模生产的特点，所制备的六方氮化硼粉体纯度和结晶度显著高于现有方法制备的六方氮化硼粉体。
（注：本项目发布于2014年）
武汉科技大学
2021-01-12
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
项目成果/简介: 本产品围绕晶圆级、芯片级和倒装等先进封装形式的大功率白光LED产业发展重大需求，突破了高速高均匀度荧光粉胶雾化涂覆控制、生产过程品质控制与优化管理等核心技术，自主研发了面向晶圆级级封装的全自动晶圆级LED荧光粉高均匀涂覆机。本产品采用自动上下料传送机构、自动加热、自动视觉定位、涂覆厚度自动检测、自动按照设定路径和涂覆参数进行涂覆，是以复杂的光机电一体化精密封装设备，主要技术性能指标达到国内领先水平。 应用于LED生产行业，满足了各种新型LED封装自动化生产需求，有效提升了封装质量、热阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指标和产业竞争力。推动我国半导体照明等新兴战略产业的持续性发展。 全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机知识产权类型:发明专利技术先进程度:达到国内领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:无
华南理工大学
2021-04-10
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
本产品围绕晶圆级、芯片级和倒装等先进封装形式的大功率白光LED产业发展重大需求，突破了高速高均匀度荧光粉胶雾化涂覆控制、生产过程品质控制与优化管理等核心技术，自主研发了面向晶圆级级封装的全自动晶圆级LED荧光粉高均匀涂覆机。本产品采用自动上下料传送机构、自动加热、自动视觉定位、涂覆厚度自动检测、自动按照设定路径和涂覆参数进行涂覆，是以复杂的光机电一体化精密封装设备，主要技术性能指标达到国内领先水平。
应用于LED生产行业，满足了各种新型LED封装自动化生产需求，有效提升了封装质量、热阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指标和产业竞争力。推动我国半导体照明等新兴战略产业的持续性发展。
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
华南理工大学
2021-05-11
镀锌板彩涂预处理用水性表面处理剂
简介：本发明提供一种镀锌板彩涂预处理用水性表面处理剂,属于彩涂镀锌板的表面处理技术领域。本发明所提供的镀锌板彩涂预处理用水性表面处理剂组分及质量百分比如下:水性树脂,20～60%;有机硅烷,1～5%;无机缓蚀剂,0.5～2.5%,封闭剂,0.5～3%;促进剂,1～3%,去离子水,余量。本发明将无机缓蚀剂、纳米粒子、有机硅烷和水性树脂有机地结合形成复合钝化膜,不仅改善钝化膜与镀锌层的结合力,且提高镀锌板表面处理后的涂装性能。作为封闭剂的纳米二氧化硅经改性后能均匀地分布在钝化膜中,提高膜层的致密性,从而提高其耐腐蚀性能。本发明水性表面处理剂中不含任何价态的铬,是一种环保型表面处理剂,本发明预处理工艺简单,能够满足彩涂工艺的需求。
安徽工业大学
2021-04-13
供应压电陶瓷驱动器/压电陶瓷制动器//长春博盛量子
产品详细介绍
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
一种围压可调的土样碳化实验仪器
本实用新型公开了一种围压可调的土样碳化实验仪器，由围压加载系统、供二氧化碳系统及碳化实 验平台系统组成：围压加载系统中，电机、水箱和加压管构成回路，加压管上装有加压阀；供二氧化碳 系统中，二氧化碳钢瓶、压力表和调压阀通过二氧化碳管道相连共同提供一个稳定的气压，二氧化碳管 道末端通过一根进气管连接到土体试样上方透水石处，土体试样下方基底座上布置有出气管和备用出气 管；碳化实验平台系统中，压力室顶盖布置有放气螺栓，土体试样放置于基底座上，上下方布置有透水 石，土体试样周围由橡胶薄膜包裹。本实用新型具有围压稳定、气压可调、进出气方向可选的优点。
武汉大学
2021-04-13