产品详细介绍 压电陶瓷致动器具有体积小，位移分辨率极高，响应速度快，输出力大，换能效率高，不发热，可采用相对简单的电压控制方式等特点。但其本身固有的一些特性会影响到工作台的定位精度和线性度。压电陶瓷在电场的作用下有两种效应：逆压电效应和电致伸缩效应。在电路中，压电陶瓷具体表现为电容特性。迟滞特性压电陶瓷的升压和降压曲线之间存在位移差称为迟滞现象。蠕变特性在一定电压下，压电陶瓷的位移达到一定值后随时间变化，在一段时间后才达到稳定值。 温度特性压电陶瓷线膨胀系数比一般的金属材料要小，现以某公司的高压陶瓷和低压陶瓷为例：随着温度的变化，其线膨胀系数也会有微小的变化。如下图所示（ LVPZT 为低压陶瓷， HVPZT 为高压陶瓷）。

迅实科技自主研发的陶瓷3D的议案及CeraRay系列直接使用STL数据生产，无需机械加工或模具，就能直接从计算机图形数据中生成任何形状的物体，从而极大地缩短了产品的生产周期，提高了生产率，可用于打印陶瓷插针、电子陶瓷器件、多孔陶瓷过滤件、陶瓷牙齿等向欧盟和专家漫画覅在、精度高的产品，广泛运用于工业、艺术、医疗等多领域。

产品详细介绍名称：波形输出压电陶瓷驱动电源 http://rznxkj.com/%E5%8E%8B%E7%94%B5%E9%99%B6%E7%93%B7%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E7%94%B5%E6%BA%90%EF%BC%91.htmlRH31RH35产品特点产品特性 输出电压通道：1～3路、模拟输入通道：3路 过流保护功能、波形存储，输出功能 高性能控制器及16位A/D转换 专用运算放大电路保证了高压大电流输出 同时具有过流、短路保护等功能 具有高频率响应和极低的静态电压纹波  采用10位模数转换芯片进行数据采集 输出电压的实时监控、液晶汉字显示、薄膜按键输入、  键盘输入控制、模拟信号输入控制、  编码旋钮调节电压控制、上位机SPP控制、波形控制 具有可编程功能，具有VC动态链接库 驱动压电陶瓷双晶片、驱动叠层型压电陶瓷、驱动封装开闭　压电陶瓷、驱动进口陶瓷型 号参　数RＨ３1 RＨ３５ 单位输出通道 1 5 路输出电压范围(单选项） A型 -20～+150 ＶB型 -20～+200C型 -20～+300(+500)D型 -150～+150E型 -200～+200F型 -300～+300电压输出阻抗 ＜20 Ω模拟输入电压 ±10或±5(单选) Ｖ模拟输入阻抗 ＜100 kΩ电压稳定性 ＜0.1% %单路输出平均功率 :Pa 30 30 ／(三路同时输出：10) W±20%( Max)单路输出平均电流: Ia 150 150 ／(三路同时输出：50) mA±20%(>5 ms)单路输出峰值功率: P 60 W±20%( Max)单路输出峰值电流: Imax 300 mA±20%(<5 ms)电压输出入监控 LCD显示  液晶屏显示 128x64  键盘(薄膜按键) 4x4  软件控制输出 提供操作软件  电压输出分辨率 5 mV过流\短路保护电流 >300 mA电源静态电压纹波 ＜20 mV电源阶跃响应 2 ms快速调节步长 0.001～50 V计算机接接口 串口  计算机或手动输出波形 直流、正弦、方波、三角波、梯形波、锯齿波  模拟输出波形 直流、正弦、方波、三角波、梯形波、锯齿波  波形储存功能 各种波形  电源供电电压要求 ＡＣ220±10％ V电源供电频率要求 50±10％ Hz电源工作相对湿度 <85 %工作环境温度 0～45 ℃消耗功率 100 W波形输出功能详细说明可单独或同时输出5路控制波形，每路波形可设定为下图中的任一波形 压电陶瓷驱动接法压电陶瓷驱动电源每一路输出驱动一支压电陶瓷，作为单独控制压电陶瓷，也可以把多支压电陶瓷并联驱动，电容并联电容量相加，总电容量增大，会影响输出频率特性；单路机箱及尺寸三路机箱及尺寸重量：3ｋｇ重量：5ｋｇ     官网：http://rznxkj.com/

淄博宇海电子陶瓷有限公司（原淄博无线电瓷件厂）自1966年生产压电陶瓷材料及压电元件，是全国较早生产敏感元件与传感器的专业厂家之一，是中国电子元器件行业协会电陶分会理事单位。公司现有员工150名，各类技术人员35名，固定资产800万元，厂房面积8993.69平方米，占地面积20324平方米，用于敏感元件与传感器的专用设备150多台（套），具备干压、轧膜、等静压成型的先进工艺手段及加工平面、外圆、内圆、球体等其他异形元件的高精度设备，并拥有完善的质量监控体系。 淄博宇海电子陶瓷有限公司是全国生产敏感元件与传感器、尤其是敏感元件品种较多的企业。有水声、电声、超声、计量、通讯、探测、自动控制、引燃引爆等用途的成熟材料配方30多个，每年为国内几十个行业、数百个厂家及科研单位提供上千个品种的产品，为我国海上运载火箭的发射、亚洲一号通讯卫星的发射等重点工程配套提供了优质的产品。受到中共中央、国务院、中央军委、国防科工委的表彰。部分产品出口国外，企业在国际国内赢得了较高的声誉。　　  

简介：本发明提供一种基于水性环氧树脂复合的镀锌板彩涂无铬钝化液,属于镀锌板的表面处理技术领域。该无铬钝化液各组分及其每升含量是:有机树脂:100~300g/L;有机酸:20~75g/L;无机盐:2~6g/L;氧化剂:3~12g/L;pH值调节剂:适量;去离子水:余量。采用磷酸作为pH值调节剂调节该无铬钝化液的pH值为2~3。本发明的特点是将水性环氧树脂、有机酸、无机盐和氧化剂有机结合,作用于镀锌板后形成致密的有机无机复合钝化膜。本发明所提供的无铬钝化液有利于简化镀锌板彩涂工艺、降低成本。本发明不含有任何价态的铬,是一种环保型的无铬钝化液。

MgAlON 便是氧氮化物中的一种。因其具有优异的物理化学性能，因而具有良好的应用前景。但是仍然有很多性能尚未研究。类石墨结构的六方 BN 具有优异的抗熔渣和金属的侵蚀性能以及具有优良的抗热震性能，从而在高金属陶瓷及耐火材料中得以广泛应用。利用热压工艺合成的新一代 MgAlON-BN 复合耐火材料，综合了 MgAlON 和 BN 的优点，材料的抗折强度、断裂韧性、密度及硬度等力学性能，特别是高温抗折强度得到提高，抗铁液侵蚀性能好。MgAlON-BN 复合材料还可以作为高级陶瓷、功能陶瓷应用。该课题在国家自然科学重点基金的资助下，对 MgAlON 及 MgAlON-BN 复合材料的热学性能，包括热膨胀系数、热扩散系数、热导率等，MgAlON 及 MgAlON-BN 复合材料与金属和渣的润湿性能等进行了系统的研究。取得了一系列具有自主知识产权的新配方、新工艺，拥有 3 项国家发明专利，2006 年获得教育部二等奖，2005 年获北京市科学技术二等奖。MgAlON-BN 复合材料不但可在冶金工业连铸生产过程中的侵入式水口、连铸水平分离环上使用，同时有望作为其他高性能陶瓷如高级陶瓷、功能陶瓷来使用。

MgAlON便是氧氮化物中的一种。因其具有优异的物理化学性能，因而具有良好的应用前景。但是仍然有很多性能尚未研究。类石墨结构的六方BN具有优异的抗熔渣和金属的侵蚀性能以及具有优良的抗热震性能，从而在高金属陶瓷及耐火材料中得以广泛应用。利用热压工艺合成的新一代MgAlON-BN复合耐火材料，综合了MgAlON和BN的优点，材料的抗折强度、断裂韧性、密度及硬度等力学性能，特别是高温抗折强度得到提高，抗铁液侵蚀性能好。MgAlON-BN复合材料还可以作为高级陶瓷、功能陶瓷应用。该课题在国家自然科学重点基金的资助下，对MgAlON及MgAlON-BN复合材料的热学性能，包括热膨胀系数、热扩散系数、热导率等，MgAlON及MgAlON-BN复合材料与金属和渣的润湿性能等进行了系统的研究。取得了一系列具有自主知识产权的新配方、新工艺，拥有3项国家发明专利，2006年获得教育部二等奖，2005年获北京市科学技术二等奖。 MgAlON-BN复合材料不但可在冶金工业连铸生产过程中的侵入式水口、连铸水平分离环上使用，同时有望作为其他高性能陶瓷如高级陶瓷、功能陶瓷来使用。

本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域，具体为碳化硅/二氧化硅（内芯/外 层）同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米 电缆的制备方法如下：将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或 刚玉舟放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以 6－15sccm 的速率通入惰性气体保护，以 5－15℃/min 的速度将炉温升到 1000－1100℃，保温 1－ 5 小时后自然降到室温。利用本发明所说的方法生成产物均为碳化硅/二氧化硅（内芯/ 外层）同轴纳米电缆，且长度比现有的方法制备的提高了 2 个量级，是迄今为止报道的 最长的纳米电缆，且制备方法简单，原料便宜易得，设备要求简化，成本低，产率高。

研发阶段/n内容简介：纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺，构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点，广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利，专利号：200510018701.9。

本发明公开了一种激光重熔扫描碳化物弥散增强铝合金的快速 制造方法，包括以下步骤：(1)在计算机上建立零件三维模型，然后将 所述零件三维模型转成 STL 格式并导入到激光选区熔化成形设备中； (2)将铝合金粉末和碳化物粉末混合，然后采用球磨机进行球磨混合均 匀；(3)将球磨后的混合粉末转移到激光选区熔化成形设备里，在惰性 气体保护下，根据三维模型数据对混合粉末进行成形；(4)采用线切割 工艺将成形的零件从所述基板上分离