一种纳米级碳化钒粉末的制备方法

本发明提供了一种纳米级碳化钒粉末的制备方法。其特征是:以粉状钒酸铵、碳质还原剂和微量稀土等催化剂为原料,按一定配比将它们溶于去离子水或蒸馏水中,并搅拌均匀,制得溶液。然后将该溶液加热、干燥,最后得到含有钒源和碳源的前驱体粉末。将前驱体粉末置于高温反应炉中,真空或气氛保护条件下,于800～950℃、30～60min条件下碳化得到平均粒径<100nm,粒度分布均匀的碳化钒粉末。本方法具有反应温度低、反应时间短、生产成本低、工艺简单等特点,适合工业化生产纳米级碳化钒粉末。

四川大学 2021-04-11

新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法

（专利号：ZL 201310038265.6） 简介：本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法，属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底，所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成，在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层，掺杂类型为N型；所述衬底的碳面上有两层导电类型的掺杂层，从内到外依次为：第二掺杂层和第三掺杂层，所述的第二掺杂层掺杂类型为P型，所述第三掺杂层掺杂类型为N型；所述硅面一侧设置有开关的阳极

安徽工业大学 2021-01-12

油菜硼高效利用机制与硼肥优化施用技术研究应用

研发阶段/n本技术根据当前推广油菜高产优质品种的需硼规律，通过湖北省油菜主产区土壤有效硼现状的调查，以及油菜施硼效果的大田和示范，修订了当前油菜种植中土壤有效硼和植株硼营养丰缺的诊断指标，制定了《油菜硼肥施用技术规范》。该规范概括为"测土定肥、依产调肥、因势补肥"12个字。主要表现在：在油菜整地之前，测定土壤有效硼及其他有效养分的含量，以此为主要指标，根据土壤有效硼的等级所对应的硼肥推荐量，确定硼肥施用量、施用环节和方式。然后根据产量目标和品质需硼特性调整硼肥用量，并根据土壤氮磷钾等肥力状况，制定硼

华中农业大学 2021-01-12

一种六方氮化硼粉体及其制备方法

本发明具体涉及一种六方氮化硼粉体及其制备方法。其技术方案是：先按脲醛树脂与水的质量比为1∶(0.2——1)将脲醛树脂与水混合，得到脲醛树脂水溶液；再按含硼化合物中的硼元素与脲醛树脂水溶液中的氮元素的质量比为1∶(1.5——4)将含硼化合物加入到脲醛树脂水溶液中，搅拌10——50min；然后在80——100℃条件下干燥，干燥后球磨0.5——3h；最后在氮气气氛和1000——1600℃条件下保温1——5小时，随炉冷却至室温，得到六方氮化硼粉体。本发明具有生产周期短、工艺简单、适宜工业化规模生产的特点，所制备的六方氮化硼粉体纯度和结晶度显著高于现有方法制备的六方氮化硼粉体。 （注：本项目发布于2014年）

武汉科技大学 2021-01-12

宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

电子科技大学 2021-04-10

宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

电子科技大学 2021-04-10

纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化制备法

一种纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化反应制备法,以纳米氧化钛和纳米碳黑为原料,工艺步骤依次为配料、混料、干燥、装料、高温碳氮化、球磨、过筛。此法工艺简单,成本较低,较一般碳热还原法节约能源,容易实现规模化工业生产。通过控制反应温度、保温时间、氮气压力(或流量)、碳钛配比等工艺因素可以合成各种氮含量的氮碳化钛纳米晶超细粉。用此法制备的氮碳化钛粉末为球形,分散性较好,平均粒度为100～200NM,平均晶粒度为20～50NM,纯度达99%以上。

四川大学 2021-04-11

一种围压可调的土样碳化实验仪器

本实用新型公开了一种围压可调的土样碳化实验仪器，由围压加载系统、供二氧化碳系统及碳化实 验平台系统组成：围压加载系统中，电机、水箱和加压管构成回路，加压管上装有加压阀；供二氧化碳 系统中，二氧化碳钢瓶、压力表和调压阀通过二氧化碳管道相连共同提供一个稳定的气压，二氧化碳管 道末端通过一根进气管连接到土体试样上方透水石处，土体试样下方基底座上布置有出气管和备用出气 管；碳化实验平台系统中，压力室顶盖布置有放气螺栓，土体试样放置于基底座上，上下方布置有透水 石，土体试样周围由橡胶薄膜包裹。本实用新型具有围压稳定、气压可调、进出气方向可选的优点。 

武汉大学 2021-04-13

采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法

本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结 剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂-碳化硅混合粉 末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模，并将三维数字模 型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂-碳化硅混合粉末为 原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将

华中科技大学 2021-04-14

一种硼吸附剂的制备方法及其产品和应用

本发明涉及一种硼吸附剂的制备方法，包括如下步骤：1)分别配制单宁酸溶液和腐殖酸溶液，混合单宁酸溶液和腐殖酸溶液，得到混合溶液；2)调节步骤1)中混合溶液的PH至6～8，避光反应，得到海绵状絮体溶液；3)将步骤2)中得到的海绵状絮体溶液进行分离，冷冻干燥，研磨得到硼吸附剂。本发明还涉及上述方法制备得到的硼吸附剂及其应用，制备方法简单，无污染，所得硼吸附剂抗干扰性能强，且应用简单。

浙江大学 2021-04-13