一种二硼化钒粉体的制备方法

（专利号：ZL 201410219036.9） 简介：本发明公开了一种二硼化钒粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为3：11的偏钒酸铵和单质硼粉及一定量的熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在800～1100℃下热处理0.5～4h得到二硼化钒粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法采用的钒源无毒害，生产工艺简单，适合批量生产。本发明方法引入的熔融盐环境加速了固相物质的扩散速度，

安徽工业大学 2021-01-12

一种硼化铌纳米粉体的制备方法

（专利号：ZL 201410219065.5） 简介：本发明公开了一种硼化铌纳米粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该方法首先在熔融盐环境中以单质硼还原五氧化二铌，然后通过用热水浸润溶解熔盐及反应产生的三氧化二硼得到纳米硼化铌粉体。本发明具有制备工艺简单，成本低廉、合成温度低(800～1000℃)，合成时间短(1～4h)，合成粉体纯度高，粒径小等特点。本发明所得到的硼化铌纳米粉体可用于制备超高温陶瓷、耐磨材料和超导材料。

安徽工业大学 2021-01-12

一种六方氮化硼粉体及其制备方法

小试阶段/n本发明解决六方氮化硼制备工艺复杂、生产周期长原料毒性大和不易规模化生产的技术问题。本发明具有生产周期短、工艺简单、适宜工业化规模生产的特点，所制备的六方氮化硼粉体纯度和结晶度显著高于现有方法制备的六方氮化硼粉体。本发明处于待转化阶段，应用范围广阔，市场前景可观，预期经济效益优异。

武汉科技大学 2021-01-12

油菜硼高效利用机制与硼肥优化施用技术研究应用

研发阶段/n本技术根据当前推广油菜高产优质品种的需硼规律，通过湖北省油菜主产区土壤有效硼现状的调查，以及油菜施硼效果的大田和示范，修订了当前油菜种植中土壤有效硼和植株硼营养丰缺的诊断指标，制定了《油菜硼肥施用技术规范》。该规范概括为"测土定肥、依产调肥、因势补肥"12个字。主要表现在：在油菜整地之前，测定土壤有效硼及其他有效养分的含量，以此为主要指标，根据土壤有效硼的等级所对应的硼肥推荐量，确定硼肥施用量、施用环节和方式。然后根据产量目标和品质需硼特性调整硼肥用量，并根据土壤氮磷钾等肥力状况，制定硼

华中农业大学 2021-01-12

一种纳米级碳化钒粉末的制备方法

本发明提供了一种纳米级碳化钒粉末的制备方法。其特征是:以粉状钒酸铵、碳质还原剂和微量稀土等催化剂为原料,按一定配比将它们溶于去离子水或蒸馏水中,并搅拌均匀,制得溶液。然后将该溶液加热、干燥,最后得到含有钒源和碳源的前驱体粉末。将前驱体粉末置于高温反应炉中,真空或气氛保护条件下,于800～950℃、30～60min条件下碳化得到平均粒径<100nm,粒度分布均匀的碳化钒粉末。本方法具有反应温度低、反应时间短、生产成本低、工艺简单等特点,适合工业化生产纳米级碳化钒粉末。

四川大学 2021-04-11

新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法

（专利号：ZL 201310038265.6） 简介：本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法，属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底，所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成，在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层，掺杂类型为N型；所述衬底的碳面上有两层导电类型的掺杂层，从内到外依次为：第二掺杂层和第三掺杂层，所述的第二掺杂层掺杂类型为P型，所述第三掺杂层掺杂类型为N型；所述硅面一侧设置有开关的阳极

安徽工业大学 2021-01-12

基于石墨烯、氮化硼等二维材料的防腐应用

已有样品/n石墨烯由于其独特的二维纳米结构，且具有高强度、高热稳定性、高化学稳定性以及优良的导热性等特性，在防腐涂料领域具有广阔的应用前景。石墨烯、氮化硼等二维材料由于其特殊的结构使其具有不透过性，作为金属基底与腐蚀环境的阻隔层而保护基底不被自然环境所腐蚀。通过化学气相沉积法及块体剥离法可分别制备直接生长于金属表面的大面积石墨烯、氮化硼薄膜，或粉状的石墨烯、氮化硼纳米片。通过化学气相沉淀法，二维材料可以在任意形状的金属基底的所有暴露面上生长，实现对金属表面的全面保护。市场预期：该技术可应用于精细元器

中国科学院大学 2021-01-12

一种硼吸附剂的制备方法及其产品和应用

本发明涉及一种硼吸附剂的制备方法，包括如下步骤：1)分别配制单宁酸溶液和腐殖酸溶液，混合单宁酸溶液和腐殖酸溶液，得到混合溶液；2)调节步骤1)中混合溶液的PH至6～8，避光反应，得到海绵状絮体溶液；3)将步骤2)中得到的海绵状絮体溶液进行分离，冷冻干燥，研磨得到硼吸附剂。本发明还涉及上述方法制备得到的硼吸附剂及其应用，制备方法简单，无污染，所得硼吸附剂抗干扰性能强，且应用简单。

浙江大学 2021-04-13

宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

电子科技大学 2021-04-10

宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

电子科技大学 2021-04-10