（专利号：ZL 201410219036.9） 简介：本发明公开了一种二硼化钒粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为3：11的偏钒酸铵和单质硼粉及一定量的熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在800～1100℃下热处理0.5～4h得到二硼化钒粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法采用的钒源无毒害，生产工艺简单，适合批量生产。本发明方法引入的熔融盐环境加速了固相物质的扩散速度，

产品详细介绍粉末冶金零件密度测试仪÷含油轴承含油率测试仪，粉末冶金比重测试仪，粉末冶金密度计，粉末冶金密度天平：粉末冶金制品在成型之前，先将原资料增加黏结剂、光滑剂如硬脂酸锌、硬脂酸锂及白蜡、石墨粉等加以混杂平均，而后加以成型。使成型胚体中与内部接触的孔隙或多或少被光滑剂和石墨粉所填满。配合现场作业，于试模和密度再确认时，根据生胚密度的测试可立刻调剂粉末填充量，防止粉末适量充填或充填缺乏。为了延长停机的时光，须要疾速的实现密度测量。目前市场上用来检测粉末冶金构造件体密度、有效孔隙率、湿密度、体积的测量仪器有很多，现重要给大家介绍一款产自台湾的粉末冶金密度计，可正确、疾速、不便测出各种粉末冶金构造件的体密度与含油合金的有效孔隙率、湿密度、体积。粉末冶金零件密度测试仪÷含油轴承含油率测试仪重要技巧参数：1、型号：TW－120P、TW－600P2、称重规模：0。001g～120g、0。01g～300g、0。01g～600g3、密度解析精度：0。0001 g÷cm3 0。001 g÷cm34、测量时光：约10称5、测试品种：粉末冶金构造件、含油合金、含油轴承及各种固体、颗粒体、薄膜、浮体功用及特征：1、可间接读取粉末冶金构造件的体密度和含油合金的有效孔隙率、湿密度、体积；2、可间接读取烧结含油轴承含油率、有效孔隙率；3、可根据现场操作习性，间接读取不吸水资料的密度和体积值；4、具备温度弥补设定、溶液弥补设定、防水解决油的密度设定功用；5、主机配有RS－232标准打印接口，能很不便地衔接打印机将测试后果输入；6、采取大水槽设计，可下降吊栏线的浮力所形成的误差；7、两个操作步骤即可显示测量后果；8、操作简朴、不便、测量疾速；9、全主动零点跟踪功用；10、具备环境调剂功用；为什么要测试粉末冶金原料的密度粉末冶金是将金属、合金、或其氧化物、碳化物等粉末装入模具内，施以低压而成形，再进行烧结固化来制作所须要的资料、产品的技巧。粉末冶金是把金属的粉末颗粒微细化后，再制形成外形庞杂的零件，替代传统的机械加工。因为粉末冶金的孔隙构造对粉体的物感性质影响很大，而且粉末冶金产品根据其需求是以体密度、湿密度、视孔隙率、含油率等为重要的认定标准，所以关于成形胚体和烧结体的密度检测更为重要。按照标准：金属烧结资料的烧结密度=试料空气中分量÷（防水解决后试料空气中重－防水解决后试料水中重）。抉择数显台式精细密度计，密度仪，密度测试仪，密度天平，比重计，比重测试仪，比重仪，比重天平，比重密度测试仪÷测量仪

（专利号：ZL 201310038265.6） 简介：本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法，属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底，所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成，在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层，掺杂类型为N型；所述衬底的碳面上有两层导电类型的掺杂层，从内到外依次为：第二掺杂层和第三掺杂层，所述的第二掺杂层掺杂类型为P型，所述第三掺杂层掺杂类型为N型；所述硅面一侧设置有开关的阳极

用于铝及铝合金的含钒细化剂,根据是否含碳或/和氮,有三种类型:1.铝1～99%,钒0.7～82.5%,碳0.1～17.0%;2.铝1～99%,钒0.7～81%,氮0.1～21.5%;3.铝1～98%,钒0.7～83%,氮0.1～20%,碳0.1～18%。上述含钒细化剂的制备方法有五种,第一种和第三种制备方法的工艺步骤:(1)配料,(2)混合与成型,(3)烧结。第二种制备方法的工艺步骤:(1)配料,(2)铝或铝合金熔化,(3)浇铸凝固。第四种和第五制备方法的工艺步骤:(1)配料,(2)混合与成型,(3)自蔓延合成。

本发明公开了一种钛铝合金超细粉末的制备方法，其技术方案是选择成分达标、直径3mm和6mm的钛铝合金棒材作为原材料，采用脉冲电火花加工机，在合适的脉冲宽度和脉冲间隔参数下，于液氩中对钛铝合金棒材进行一次加工得到钛铝合金超细粉末，而后采用真空低温干燥得到纯净的钛铝合金超细粉末。钛铝合金超细粉末广泛的应用于钛铝合金粉末冶金制备行业，钛铝合金材料广泛应用于航空、航天、汽车、冶金等。

污水处理厂提标扩容一般需要大量投资，尤其是征地投资，技术工艺复杂，投资和运行费用高，建设周期长。 工艺流程 工程应用 同济大学环境科学与工程学院戴晓虎教授团队研发的高浓度复合粉末载体生物流化床技术，基于污水生物处理技术原理，向生物池投加复合粉末载体，提高生物池混合液悬浮固体浓度，构建悬浮生长和附着生长的“双泥”共生微生物系统，强化抗冲击能力，并提高污染物容积负荷和污泥沉降性能。通过污泥浓缩和复合粉末载体回收系统，实现双泥龄，解决脱氮菌和除磷菌泥龄矛盾，强化了生物脱氮除磷效率。 相对于传统污水处理技术，该技术处理负荷提升两倍以上，投资成本减少20%以上，建设周期减少30%以上，不仅可用于已建成的城镇污水处理厂提标扩容改造，也可直接用于新建城镇污水处理厂项目，可有效解决我国污水处理厂的提标扩容征地难、建设周期长和投资费用高的难题，具有巨大的推广应用价值。 该技术目前已在10多个城镇污水处理厂应用，日处理规模达到120万m3，产值30多亿元，相关技术申请发明专利11项，包括PCT4项；得到政府的广泛关注。现正在编制运行指南、导则及相关标准规范，被列入国家环境保护核心技术名录，以进一步扩大其推广应用范围，提升我国污水高标准处理技术水平。

一、产品性能1）易生物降解性，对生态系统无毒无害。2）配伍性优异，耐强碱，耐高pH值，耐高温。3）对双氧水H2O2具有极佳的稳定性。用于双氧水氧漂稳定剂。

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

一种纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化反应制备法,以纳米氧化钛和纳米碳黑为原料,工艺步骤依次为配料、混料、干燥、装料、高温碳氮化、球磨、过筛。此法工艺简单,成本较低,较一般碳热还原法节约能源,容易实现规模化工业生产。通过控制反应温度、保温时间、氮气压力(或流量)、碳钛配比等工艺因素可以合成各种氮含量的氮碳化钛纳米晶超细粉。用此法制备的氮碳化钛粉末为球形,分散性较好,平均粒度为100～200NM,平均晶粒度为20～50NM,纯度达99%以上。