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原位自生钛基复合材料
上海交通大学
2021-04-11
原位自生钛基复合材料
在钛基溶体中原位反应合成非连续增强体，合理调控增强体型貌、尺寸和分布等，大幅度提升了材料的高温力学性能，在450-700℃温度区间材料能保持高比强度、高比刚度等优异性能，是超高速宇航飞行器和下一代航空发动机等装备高温部件候选材料之一。
上海交通大学
2023-05-09
组合式钛网融合器
专利技术，独家生产销售
为解决传统钛笼下沉、植骨融合率不佳的业界难题提供优质解决方案
● 产品亮点
◇ 钛网中心体多规格直径，满足颈胸腰手术需求；
◇ 钛网中心体多规格长度，避免术中钛网裁剪；
◇ 终板加强环，增加终板接触面，降低术后下沉率；
◇ 终版加强环多规格角度，匹配上下终板解剖形态；
广东施泰宝医疗科技有限公司
2021-11-05
杭州钛比科技有限公司
杭州钛比科技有限公司
2022-05-24
一种锐钛矿二氧化钛纳米晶溶胶的制备方法
（专利号：ZL 201410057393.X） 简介：本发明公开了一种锐钛矿型二氧化钛纳米晶溶胶的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明制备过程包括酯化、前躯体的水解以及产物的洗涤，具体是：控制乙醇与乙酸酯化速度，以控制释放出水的量，从而控制前躯体水解的速度，在85-120℃酸性条件下，生成的二氧化钛纳米晶转化为锐钛矿晶型。本发明制备二氧化钛的方法简单、成本低廉，得到的二氧化钛纳米晶分散性良好，适合于制备太阳能电池的光阳极。
安徽工业大学
2021-01-12
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
一种围压可调的土样碳化实验仪器
本实用新型公开了一种围压可调的土样碳化实验仪器，由围压加载系统、供二氧化碳系统及碳化实 验平台系统组成：围压加载系统中，电机、水箱和加压管构成回路，加压管上装有加压阀；供二氧化碳 系统中，二氧化碳钢瓶、压力表和调压阀通过二氧化碳管道相连共同提供一个稳定的气压，二氧化碳管 道末端通过一根进气管连接到土体试样上方透水石处，土体试样下方基底座上布置有出气管和备用出气 管；碳化实验平台系统中，压力室顶盖布置有放气螺栓，土体试样放置于基底座上，上下方布置有透水 石，土体试样周围由橡胶薄膜包裹。本实用新型具有围压稳定、气压可调、进出气方向可选的优点。
武汉大学
2021-04-13
采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法
本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结 剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂-碳化硅混合粉 末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模，并将三维数字模 型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂-碳化硅混合粉末为 原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将
华中科技大学
2021-04-14
抗氧化耐高温磨损WC基涂层
北京工业大学
2021-04-14