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各种纳米结构保护性涂层
纳米涂层亦称纳米防水涂层、纳米防水液。EUBO优宝纳米防水涂层是一种以含氟溶剂为溶媒，具有防水防油性能的氟素化合物溶液。因具有很低的表面张力，所以能防水、防潮、防尘、防油、防化学，可替代“三防漆”。同时，优宝纳米防水涂层还具有以下功能：(1)快速在工件表面形成一层轻薄、透明的保护膜(0.1-1μm);(2)极低的表面张力(11~12mN/m)，易于涂覆;(3)材料相容性好(塑料、金属、玻璃等材料表面);(4)防水、防油、防污、防尘以及防化学的效果较好;(5)室温下干燥速度快，提高工作效率;(6)无毒、无闪点，安全性高;(7)保护环境，不含氯和溴、不破坏臭氧层，ODP值为0，GWP为HGWP为0.25。
上海理工大学
2021-04-13
一种纳米级碳化钒粉末的制备方法
本发明提供了一种纳米级碳化钒粉末的制备方法。其特征是:以粉状钒酸铵、碳质还原剂和微量稀土等催化剂为原料,按一定配比将它们溶于去离子水或蒸馏水中,并搅拌均匀,制得溶液。然后将该溶液加热、干燥,最后得到含有钒源和碳源的前驱体粉末。将前驱体粉末置于高温反应炉中,真空或气氛保护条件下,于800～950℃、30～60min条件下碳化得到平均粒径<100nm,粒度分布均匀的碳化钒粉末。本方法具有反应温度低、反应时间短、生产成本低、工艺简单等特点,适合工业化生产纳米级碳化钒粉末。
四川大学
2021-04-11
新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法
（专利号：ZL 201310038265.6） 简介：本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法，属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底，所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成，在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层，掺杂类型为N型；所述衬底的碳面上有两层导电类型的掺杂层，从内到外依次为：第二掺杂层和第三掺杂层，所述的第二掺杂层掺杂类型为P型，所述第三掺杂层掺杂类型为N型；所述硅面一侧设置有开关的阳极
安徽工业大学
2021-01-12
原位自生钛基复合材料
上海交通大学
2021-04-11
原位自生钛基复合材料
在钛基溶体中原位反应合成非连续增强体，合理调控增强体型貌、尺寸和分布等，大幅度提升了材料的高温力学性能，在450-700℃温度区间材料能保持高比强度、高比刚度等优异性能，是超高速宇航飞行器和下一代航空发动机等装备高温部件候选材料之一。
上海交通大学
2023-05-09
杭州钛比科技有限公司
杭州钛比科技有限公司
2022-05-24
组合式钛网融合器
专利技术，独家生产销售
为解决传统钛笼下沉、植骨融合率不佳的业界难题提供优质解决方案
● 产品亮点
◇ 钛网中心体多规格直径，满足颈胸腰手术需求；
◇ 钛网中心体多规格长度，避免术中钛网裁剪；
◇ 终板加强环，增加终板接触面，降低术后下沉率；
◇ 终版加强环多规格角度，匹配上下终板解剖形态；
广东施泰宝医疗科技有限公司
2021-11-05
一种锐钛矿二氧化钛纳米晶溶胶的制备方法
（专利号：ZL 201410057393.X） 简介：本发明公开了一种锐钛矿型二氧化钛纳米晶溶胶的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明制备过程包括酯化、前躯体的水解以及产物的洗涤，具体是：控制乙醇与乙酸酯化速度，以控制释放出水的量，从而控制前躯体水解的速度，在85-120℃酸性条件下，生成的二氧化钛纳米晶转化为锐钛矿晶型。本发明制备二氧化钛的方法简单、成本低廉，得到的二氧化钛纳米晶分散性良好，适合于制备太阳能电池的光阳极。
安徽工业大学
2021-01-12
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10