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基于激光扫描离散点强度梯度的道路标线自动化提取方法
本发明公开了基于激光扫描离散点强度梯度的道路标线自动化提取方法，包括：步骤 1，利用高程 信息与 RANSAC 法从激光点云中提取路面点集；步骤 2，采用中值滤波器对路面点集中路面点进行滤波； 步骤 3，分别计算路面点集内各路面点的强度梯度；步骤 4，根据路面点的强度梯度，采用全局聚类法 将路面点集内路面点聚类为强度梯度较大和强度梯度较小的两类路面点，将强度梯度较大的路面点作为 种子点；步骤 5，根据种子点进行标线点搜索。本发明综合利用离散点的
武汉大学
2021-04-14
一种阵列式原子干涉重力梯度张量全分量的测量系统
本发明公开了一种阵列式原子干涉重力梯度张量全分量的测量系统，包括：n 个阵列式排布的冷原子干涉单元，冷原子干涉单元包括：真空腔体；真空腔体包括上干涉区，下干涉区，探测区和原子团制备结构，上干涉区为一根细长型管道，且顶端安装有玻璃窗口；下干涉区为多窗口的腔体，且侧面安装有玻璃窗口。三束竖直激光操纵四 团 原 子 同 时 干 涉 ， 实 现 重 力 梯 度 张 量 中 的 <imgfile=""DDA0001192057860000011.GIF"" wi=""424"" he=""70""/&g
华中科技大学
2021-04-14
中国科大研制用于快充锂电池的新型双梯度石墨负极材料
中国科大俞书宏院士团队与姚宏斌、倪勇教授团队合作提出了在不牺牲锂离子电池能量密度的前提下，在石墨负极内部引入颗粒尺寸以及孔隙率的梯度异质分布结构设计，实现了石墨负极快充性能提升。
中国科学技术大学
2022-06-02
表面剧烈塑性变形诱导梯度组织强韧化理论与关键技术研发
率先对表面大应力应变剧烈形变方法及其应力场和温度场分布规律进行研究，发明了表面大应力剧烈变形诱导合金化方法，为提高合金化程度和合金化深度提供试验基础，并揭示表面剧烈变形过程中温度场分布规律。在此基础上，建立了强热力耦合作用下梯度微纳组织结构的稳定化机理，并构筑梯度微纳组织结构合金化理论与方法，实现有效提升梯度微纳组织结构的稳定性，并优化表面组织性能，突破了现有梯度微纳组织结构稳定化理论与方法中强韧性不匹配问题。
南京工程学院
2021-01-12
江苏超芯星半导体有限公司研发碳化硅单晶生长技术
公司主营业务为第三代化合物半导体材料，当前产品为 6 寸碳化硅晶体、衬底，未来可拓展至设备和外延技术领先。公司创始人在碳化硅行业有15年以上经验，曾任国际知名碳化硅衬底企业Norstel高级研发工程师，回国后任世纪金光研发副总，获得北京市特聘专家等荣誉，担任国家01专项6寸碳化硅衬底项目负责人，研发出6寸衬底，具备丰富的长晶和设备经验，是国内为数不多的几个掌握碳化硅技术的人员之一。碳化硅半导体材料行业前景广阔，国内碳化硅材料处于起步阶段，落后于国外，能量产的企业很少，6寸衬底都还没实现量产，有技术的新企业仍然有机会。公司团队技术领先，研发出6寸衬底，创始人在行业内知名度高，行业人脉丰富，下游多家器件厂商愿意采购产品形成战略合作，具备量产6寸衬底能力。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！
四川大学
2021-04-10
一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法
本发明涉及一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。其技术方案是：先将64——85wt%的卤化物粉、4——15wt%的氧化锆粉、2——5wt%的氧化硅粉、2——6wt%的氧化硼粉、0.3——1.1wt%的炭粉和6——10wt%的镁粉混合均匀，机压成型；再将成型后的坯体置于电炉中，在氩气气氛和升温速率为2——8℃/min的条件下升温至1000——1250℃，保温2——6小时，将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤，然后放入浓度为1.0——4.0mol/L的盐酸中浸泡3——8小时，过滤，用去离子水清洗，在80℃条件下干燥11——24小时，粉碎，即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。本发明具有反应温度低、反应时间短、过程易于控制、工艺简单、产率高的特点；其制品分散性好、颗粒团聚小、成分均匀、纯度高和产业化前景大。
（注：本项目发布于2014年）
武汉科技大学
2021-01-12
一种用于耐高温涂料的空心梯度轻质高红外热阻隔微球
本发明涉及一种用于耐高温涂料的空心梯度高红外热阻隔微球结构及其制备方法。本发明属于高温隔热材料技术领域。该陶瓷微球结构为空心，且陶瓷微球由MO2(M＝Ti，Zr)、SiC两相组成，各相组分含量沿半径方向呈连续的梯度变化。该微球采用种子沉淀与先驱体转化法相结合，步骤为：首先磺化交联聚苯乙烯(SPS)微球，利用沉淀法将聚碳硅烷(PCS)与金属醇盐混合溶液滴加到搅拌着的SPS水溶液中，经烘干及熟化后得到梯度陶瓷先驱体包覆的SPS实心微球，再将实心微球于真空炉烧结(1000-1400℃)，得到空心梯度陶瓷微球。本发明具有制备工艺简单，性能优异，产品红外热阻隔效果好，适用范围广等优点。
天津城建大学
2021-04-11
连接界面具有梯度渐变结构的同质包套热等静压成形方法
本发明公开了一种同质包套热等静压成形方法，该方法采用热 等静压(HIP)/激光选区熔化(SLM)3D 打印复合工艺。本发明提出采用 SLM 成形出同质包套来解决传统方法成形复杂形状异质包套生产周期 长、制造成本高、包套除去过程繁琐、连接界面发生扩散反应污染制 件等问题。同时将同质包套内侧表面(在热等静压中与粉末相接处的面) 设计成梯度多孔渐变结构，使得热等静压后连接界面处组织呈现出梯 度变化结构，从而克服了因 SLM
华中科技大学
2021-04-14
一种成形区域温度梯度可控的高能束选区熔化方法与设备
本发明公开了一种成形区域温度梯度可控的高能束选区熔化方 法及设备，该设备的成形组件增设有测温模块与温控模块。利用该设 备进行高能束增材制造时，可利用测温模块所测得的成形区域边界温 度实时计算出熔池内部的温度梯度区间，并通过温控模块对成形区域 施加合适的热流条件以实现对熔池及成形区域温度梯度区间的控制， 使熔池始终满足定向凝固条件，进而完成不同尺寸、结构的高精度、 高性能定向凝固金属构件与单晶金属构件的高效制造。本发明
华中科技大学
2021-04-14
一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法
本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域，具体为碳化硅/二氧化硅（内芯/外 层）同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米 电缆的制备方法如下：将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或 刚玉舟放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以 6－15sccm 的速率通入惰性气体保护，以 5－15℃/min 的速度将炉温升到 1000－1100℃，保温 1－ 5 小时后自然降到室温。利用本发明所说的方法生成产物均为碳化硅/二氧化硅（内芯/ 外层）同轴纳米电缆，且长度比现有的方法制备的提高了 2 个量级，是迄今为止报道的 最长的纳米电缆，且制备方法简单，原料便宜易得，设备要求简化，成本低，产率高。
同济大学
2021-04-11