碳纳米管的结构控制制备方法
由于高温下催化剂的聚集和失活,无法获得高密度碳管水平阵列,就提出了“特洛伊”催化剂的概念,解决了催化剂聚集的难题,实现了密度高达 130 根 / 微米(局部大于 170 )碳管水平阵列的生长( Nat. Commun. , 2015, 6, 6099 )。为了进一步实现碳纳米管的结构控制,他们发展了双金属催化剂( J. Am. Chem. Soc. , 2015, 137, 1012 )、半导体氧化物催化剂( Nano Lett. , 2015, 15, 403 )和碳化物催化剂( J. Am. Chem. Soc. , 2015, 137, 8904 ),实现了不同结构碳纳米管的控制生长。通过对生长的过程的调控,实现了密度大于 100 根 / 微米半导体含量大于 90% 的碳管阵列的生长( J. Am. Chem. Soc. , 2016, 138, 6727 )和小管径阵列单壁碳纳米管的生长( J. Am. Chem. Soc. , 2016, 138, 12723 )。
北京大学
2021-04-11