本发明公开了一种金属化膜固定装置及金属化膜通流特性测试 方法。该装置包括第一固定板、第二固定板、多个连接拉杆、第一活 动拉杆、第二活动拉杆、两个弹簧、两个固定螺母、两个托杆和两个 条状金属电极。长条状的金属化膜试品能很简单方便地固定于该装置 上，且利用弹簧使条状金属化膜样品处于绷紧状态，通过保证每次试 验中弹簧弹力的一致性，确保多次重复试验中金属化膜样品状况的一 致性；通过条状金属电极与托杆对金属化膜进行固定和电气连接，可 保证金属化膜金属层与条状金属电极接触的稳定性和可靠性；条状金 属化膜试品位于

本项目制备了具有低温固化性能的纳米二氧化钛溶胶，利用现代涂布技术，在彩钢板表面涂附具有分解有害物质、抗菌、杀菌、防污、自清洁功能的纳米二氧化钛涂层，使传统的彩钢板具有更广泛的用途和更优异的特性。 纳米二氧化钛光催化剂具有两个最显著的特性：在紫外光照射下具有光催化活性和超亲水性。光催化活性可以分解吸附在表面的一些有机物、有害气体和生物体。超亲水性具有易洗、防污、抗污的能力。如果在彩钢板的表面涂附上具有光催化活性和超亲水性的纳米二氧化钛涂层后，可防止真菌、微生物、霉菌及细菌在钢板表面繁殖，分解吸附在表面的任何有机物，还具有防污，自清洁作用，将适应于电子工业厂房、特殊医用检查室（X射线、磁共振、超声波等），无菌病房和实验室以及一些净化和家电设备，填补了国内空白。这些具有特殊功能的高档次彩钢板在中国的潜在市场很大，很有发展前景。 本研究项目的关键技术和创新点在于如何解决低温固化纳米二氧化钛溶胶的制备、纳米二氧化钛涂层和彩钢板固有涂层之间的结合牢度、膜透明性以及光催化活性之间的矛盾。中试规模的纳米二氧化钛溶胶经过鼎升金属材料有限公司和山东陵县江南净化彩板有限公司在彩钢板上涂布使用后，反应良好。涂布纳米二氧化钛功能膜的彩钢板经过吴江市东吴机械有限责任公司使用后，肯定了本项目所制备的彩钢板具有分解有机物、抗菌、防污、自清洁功能。

本发明公开了一种亚纳米厚度的纳米孔传感器。第二电泳电极或微泵、第二储藏室、第二微纳米分离通道、基板、第一绝缘层、亚纳米功能层、第一微纳米分离通道、第一储藏室、第一电泳电极或微泵顺次放置，亚纳米功能层的中心设有纳米孔，第一绝缘层的中心设有第一绝缘层开孔，基板的中心设有基板开口，第一微纳米分离通道中部设有测量离子电流的第一电极，第二微纳米分离通道的中部设有测量离子电流的第二电极。本发明解决了将亚纳米功能层集成于纳米孔的技术难点，其制备亚纳米功能层的方法简单；解决了DNA或RNA碱基穿越纳米孔时由于碱基可能存在的不同取向而导致对碱基与亚纳米功能层的相互作用的影响。

产品详细介绍 GTL帝光节能灯，型号TOP-110W大管螺旋工矿灯，采用高配专利专业技术生产，可替代水银汞灯500W的亮度，节能达75%以上，节能环保绿色照明，让企业工厂直接降低成本消耗。 大功率节能灯基本参数说明 灯头: E40 使用电压范围: 200V ~ 240V 耗电功率: 110W 节电效果: 75% 平均寿命: 10,000小时以上 履約保固: 12个月 色温: 7,500K 显色指数Ra: 85 功率因数0.96 电流: 0.59A 频闪效应: 无 启动形式: 長寿命新型预热式 帝光大管工矿节能灯，超长寿命大功率螺旋灯，纯三基色,使用先进电路设计，配合精密电子元件，自镇流足瓦数110W,不用在灯具外在加镇流器，方便直接安装及后续维护. 适合大范围照明、筒灯、路灯、工厂作业等，可直接取代普通耗电灯泡, 普通汞灯,250W金卤灯（替代500W水银灯的亮度）

项目成果/简介:水成膜胶体泡沫是将聚合物分散在水中，加入发泡剂并在氮气的作用下发泡形成的复杂混合体系。经过一段时间后，在泡沫液膜内，聚合物间相互交联形成三维网状结构，构成水成膜胶体泡沫的刚性骨架。防灭火水成膜胶体泡沫既具有凝胶的性质，又具有泡沫的性质，兼有注三相泡沫（注泥浆、注氮气、注两相泡沫）、注凝胶、注复合胶体的优点，同时又克服了各自的不足，从而大大提高其防灭火效果。

水成膜胶体泡沫是将聚合物分散在水中，加入发泡剂并在氮气的 作用下发泡形成的复杂混合体系。经过一段时间后，在泡沫液膜内， 聚合物间相互交联形成三维网状结构，构成水成膜胶体泡沫的刚性骨架。防灭火水成膜胶体泡沫既具有凝胶的性质，又具有泡沫的性质， 兼有注三相泡沫（注泥浆、注氮气、注两相泡沫）、注凝胶、注复合 胶体的优点，同时又克服了各自的不足，从而大大提高其防灭火效果。

本发明涉及以天然成分为原料，开发一种能够抑菌防腐和延长 肉类产品保鲜期，具有一定粘稠度，可与肉类产品表面结合为一体的多功能液 态可食保鲜膜，喷涂于食品表面，对环境常在菌具有显著的抑制作用，无毒无 害，且兼有保健和防伪（隐形标签）作用，已获得国家发明专利。 技术优点或者效益预测:肉鸡屠宰后按部位进行分割，喷涂（或浸蘸）保鲜 膜液后装入食品袋后密封，室温冷却编号，置于微温(30~~40℃)和常温 (20~~25℃)2 种条件下贮藏的保质期可分别达到 3、7d。同时可标识产品生产厂 家。有效防止肉类产品加工过程二次污染，从而延长保鲜期，同时兼有产品防 伪标识作用。应用前景十分广阔。 

该成果是原有的铝反射激光全息防伪末的升级替换品。这种薄膜结构简单，仅有信 息层和基底层两层组成。全息图像以激光全息技术拍摄并用激光雕刻和电铸手段，以光 栅条纹的形式复制到镍质金属模版上。以金属模版热压气凝胶或有机高聚物聚氨酯涂层， 形成承载全息图像的信息层，可在薄膜上再现全息图像。

紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。先进光谱仪器是集光、机、电和计算机于一体，技术密集的高科技产品。它是现代科技必不可少的精密检测和分析手段，是现代天文学、航空航天、分子生物学、现代医学、环境和生态等新科技建立和发展的基础。国家对发展先进光谱仪器和研制光谱仪器用的探测器件非常重视，“十一五”国家科技支撑计划专门设立了科学仪器设备研制与开发专项“先进大型光谱仪器的关键部件——高分辨分光器件和探测器件的研制”，技术人有幸成为承担该课题的主要研究人员，负责高分辨探测器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最广泛应用的光电探测器，而且先进的光谱仪器都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD和CMOS具有灵敏度高、低噪声等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段响应很弱，这种很弱的紫外响应限制了硅基成像器件在先进光谱仪器及其他紫外波段探测方面的使用。 因此，本技术的研究成果硅基成像器件的紫外响应增强薄膜是经济建设和社会发展迫切需要。 增强硅基成像器件的紫外响应，目前有两种方法：一是改变硅基探测器的结构，如背照式CCD；另外一种是在现有的成像器件光敏窗口加镀一层下变频膜，把紫外光先转化为可见光，然后再接收。国外自1980年起就开始增强硅基探测器紫外响应的下变频薄膜研究，按使用材料的属性，可以把变频膜分为有机变频膜和无机变频膜两种。有机变频膜技术相对成熟，也有相关的专利出现。哈勃太空望远镜CCD、星球相机（WFPC）CCD和Photometrics等公司提供的响应波段延伸到紫外的CCD都是镀的有机变频膜。目前紫外增强有机变频膜可使普通CCD的响应波段延伸到200nm，Roper Scientific公司开发的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下变频效果。有机变频膜技术尽管成熟，但该类薄膜有着致命的缺点，那就是有机物分子在紫外辐射下降解速度很快。在照明度为1μW/cm2的光照下，有机分子以高达每小时3%的速率成指数降解。在这一方面，而无机变频膜具有不可比拟的优点。无机变频膜材料可以在它使用期限的前2%时间里，减少90%的降解量，因此，无机变频膜具有非常优越的稳定性。在无机变频膜方面，国外研究也刚起步，最早的报道见于2003年[1]，目前尚无成熟的增强硅基成像器件的紫外无机变频膜技术。国内在有机和无机变频膜方面，都没有已见报道的研究工作。  为了提高探测器对紫外辐射的敏感性，我们采取了在硅基成像器件光敏窗口上镀变频膜的办法，成功地使CCD及CMOS的响应波段拓展到150nm。该产品可广泛应用在光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对推动国家的科研和产业在这些领域的发展有极大帮助。

通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面，用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明，该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中，这一数值远超过体系的泡利极限，是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明，条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中，从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时，新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明，可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺，也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中，通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导，也为拓扑超导的探索提供了新的平台，并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合，有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相（SIC）界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。