高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
量子点荧光防伪技术研究成果
福州大学物信学院李福山教授、福州大学化学学院郑远辉研究员与TCL集团工业研究院钱磊博士的合作研究论文“Inkjet-printed unclonable quantum dot fluorescent anti-counterfeiting labels with artificial intelligence authentication” 在Nature子刊《Nature Communications》在线发表。 量子点具有优异的光电特性,其图案化在发光显示,荧光标记和智能传感领域具有广阔的应用前景。量子点薄膜形貌最终决定了其光电器件应用,论文采用高精度喷墨打印技术制作微米级量子点发光图案,创新性的在基板表面构建具有随机分布的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微纳米颗粒,作为喷墨打印输运过程中的聚集钉扎点,强化微米级墨滴蒸发流动以及量子点组装过程中的差异性,形成不可复制“花状”发光图案;成功应用于低成本,可柔性化,自然条件下隐蔽,具有多重防伪级别和商业化的价值的不可复制全彩荧光防伪标签。并且首次引入了人工智能(AI)技术对喷墨打印量子点防伪荧光标签进行验证,并成功识别出不同的清晰度、亮度、旋转角度、放大倍率以及这些参数混合的“花状”图案,实现了防伪标签的高效准确识别。
福州大学 2021-02-01
量子点荧光探针快速检测生物活性分子
项目成果/简介:完成人简介:樊君,西北大学教授,西北大学化工学院副院长, 陕西省化工过程实验教学示范中心主任,指导博、硕士生研究方向包括反应工程、碳一化工、纳米材料、分离工程、精细化工产品开发研究等。成果内容:基于量子点的荧光探针分析对推动即时检测(POCT)技术
西北大学 2021-01-12
中草药碳点抗病毒研究
近日,国际学术期刊Small刊载了华中农业大学理学院梁建功教授课题组和动科动医学院肖少波教授课题组合作发表的题为“Glycyrrhizic‐Acid‐Based Carbon Dots with High Antiviral Activity by Multisite Inhibition Mechanisms”的研究论文,该研究合成了具有高生物相容性及高抗病毒活性的甘草酸碳点,并揭示了碳点的抗病毒机制。中草药在抗病毒领域具有广阔的应用前景,在最近爆发的新型冠状病毒肺炎的治疗过程中,中草药的参与度超过80%。然而,单一成分的中草药抗病毒效果往往不高,且存在一定的毒副作用,如何进一步提高中草药的抗病毒效果,降低其毒副作用,成为该领域需要解决的一个关键科学问题。甘草酸碳点抗病毒机制示意图该研究利用水热合成技术,成功将中草药甘草的活性成分——甘草酸转化为具有良好生物相容性及高的抗病毒活性的甘草酸碳点(Gly-CDs)。研究发现,Gly-CDs不仅可与病毒多靶点结合从而抑制病毒的入侵过程,还可通过刺激细胞天然免疫信号通路、抑制活性氧、调控细胞内宿主限制性因子等途径抑制病毒的复制过程,其对病毒的最大抑制效果可达5个滴度以上。Gly-CDs对猪繁殖与呼吸综合征病毒(动脉炎病毒科)、猪伪狂犬病毒(疱疹病毒科)及猪流行性腹泻病毒(冠状病毒科)均具有良好的抑制效果。华中农业大学理学院/资环学院博士研究生童婷为论文第一作者,梁建功教授、肖少波教授为共同通讯作者。该研究得到了国家自然科学基金(31490602, 31772785)及国家重点研发计划(2016YFD0500105)等基金的资助。
华中农业大学 2021-04-10
高稳定量子点荧光粉的研发
上海交通大学 2021-04-13
福大新型量子点复合材料研究成果
项目成果/简介:福州大学至诚学院孙磊教授为第一作者、物信学院陈恩果副教授为通讯作者、郭太良研究员为第三作者,在材料工程领域国际权威期刊《陶瓷国际》(英文刊名:《Ceramics International》)上发表的题为“Al2O3过渡层优化对ZnO量子点与CuO纳米线复合结构的场发射增强作用”(英文题为“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”)的论文。 本论文研究ZnO QDs 与传统一维氧化物CuO纳米线(CuO NWs)异质结构,以一维氧化物纳米棒为基体为 ZnO QDs 提供良好的定向电荷传输,同时 ZnO QDs 的表面改性又能改善基体的场发射性能,提出了详细的电势叠加效应和形成机制。鉴于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈现孤岛状分布且生长密度低,通过表面改性工程利用原子层沉积(ALD)工艺先在 CuO NWs 基体上沉积 Al2O3 薄膜,均匀的 Al2O3 薄膜为 ZnO QDs 的生长提供了良好的成核表面,同时可以降低基体表面的电子势垒高度。这种金属氧化物异质结构在很多应用中都具有重要的意义,特别是由于表面积大大增加,异质结密度提高,具有固有光捕获效应等优点。研究成果为改善单一纳米材料器件的场发射性能提供了有效途径,也为制备新型结构的场发射器件奠定理论基础。
福州大学 2021-04-10
福大新型量子点复合材料研究成果
福州大学至诚学院孙磊教授为第一作者、物信学院陈恩果副教授为通讯作者、郭太良研究员为第三作者,在材料工程领域国际权威期刊《陶瓷国际》(英文刊名:《Ceramics International》)上发表的题为“Al2O3过渡层优化对ZnO量子点与CuO纳米线复合结构的场发射增强作用”(英文题为“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”)的论文。 本论文研究ZnO QDs 与传统一维氧化物CuO纳米线(CuO NWs)异质结构,以一维氧化物纳米棒为基体为 ZnO QDs 提供良好的定向电荷传输,同时 ZnO QDs 的表面改性又能改善基体的场发射性能,提出了详细的电势叠加效应和形成机制。鉴于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈现孤岛状分布且生长密度低,通过表面改性工程利用原子层沉积(ALD)工艺先在 CuO NWs 基体上沉积 Al2O3 薄膜,均匀的 Al2O3 薄膜为 ZnO QDs 的生长提供了良好的成核表面,同时可以降低基体表面的电子势垒高度。这种金属氧化物异质结构在很多应用中都具有重要的意义,特别是由于表面积大大增加,异质结密度提高,具有固有光捕获效应等优点。研究成果为改善单一纳米材料器件的场发射性能提供了有效途径,也为制备新型结构的场发射器件奠定理论基础。
福州大学 2021-02-01
中国科大制备出发光具有方向性的量子点
中国科学技术大学中科院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与多伦多大学OleksandrVoznyy教授合作,在胶体量子点发光材料领域取得重要进展。
中国科学技术大学 2022-03-15
一种控制 PbS 或 PbSe 量子点尺寸分布的方法
本发明公开了一种控制 PbS 或 PbSe 量子点尺寸分布的方法,其 步骤包括:(1)首先在铅的前驱物中注入较大尺寸的 CdSe(或者 CdS)量 子点,此时通过阳离子交换反应得到了较大尺寸 PbSe(或者 PbS)量子 点,(2)然后继续注入较小尺寸 CdSe(或者 CdS)量子点,这时通过阳离 子交换反应会得到较小尺寸 PbSe(或者 PbS)量子点,(3)然后在奥斯特 瓦尔德熟化效应的作用下, PbSe(或者 PbS)量子点的尺寸分布会越来越 窄,从而控制了 PbSe(或者 PbS)量子点的尺
华中科技大学 2021-04-14
一种控制 PbS 或 PbSe 量子点尺寸分布的方法
本发明公开了一种控制 PbS 或 PbSe 量子点尺寸分布的方法,其 步骤包括:(1)首先在铅的前驱物中注入较大尺寸的 CdSe(或者 CdS)量 子点,此时通过阳离子交换反应得到了较大尺寸 PbSe(或者 PbS)量子 点,(2)然后继续注入较小尺寸 CdSe(或者 CdS)量子点,这时通过阳离 子交换反应会得到较小尺寸 PbSe(或者 PbS)量子点,(3)然后在奥斯特 瓦尔德熟化效应的作用下,PbSe(或者 PbS)量子点的
华中科技大学 2021-04-14
含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜及其制备方法和应用
本发明公开一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,包括以下步骤:用改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性或亲油性改性,再将改性后的半导体量子点均匀分散在溶剂中,形成半导体量子点墨水,然后把半导体量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合,经过热压成型或挤出成型,得到含有半导体量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。该制备方法简单,可控性好,可操作性强,易于工业化生产。本发明还公开了一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜,应用于太阳电池,能有效提高太阳电池的利用效率。
浙江大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2 3 4 5 6
  • ...
  • 54 55 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1