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径向多层式磁流变离合器
本发明公开一种径向多层式磁流变离合器,主要包括输出轴、左盘、外壳、支撑圆盘、转子、线圈、右盘和输入轴,左盘、右盘和设置在左盘与右盘之间的外壳围成一个空腔,输出轴固定连接到左盘的外表面,输入轴伸入空腔的部分用平键连接支撑圆盘,在支撑圆盘的左、右端面沿径向间隔地固定有转子Ⅰ、转子Ⅲ和与其间插配合设在左盘和右盘内表面上的转子Ⅱ、转子Ⅳ,所有转子分别沿各自圆周方向均匀地设置相等的偶数个,转子上还分别绕有线圈,不同圆周的转子之间设有间隙,间隙中通入磁流变液。本发明利用径向工作间隙、径向多层叠加,传递转矩大,结构紧凑,转子上的线圈也可以灵活拆换。
四川大学 2016-10-11
新型微流控注射器“滤头”
开发了一种新型微流控注射器“滤头”,通过简单将样品注入滤头即可实现微粒的“片上浓缩”
东南大学 2021-04-11
磁流变液离合器技术开发
项目简介 磁流变液是一种智能流体,具有可控、可逆的特点,在外加磁场的作用下磁流变液 的粘度会发生变化,这种变化是瞬间的、可逆的,可以从流体变化为类固体。 磁流变液离合器是以磁流变液为工作介质,依靠传动界面间磁流变液的剪切应力来 传递动力,通过控制外加磁场强度实现传递扭矩的无级调定。作为一种新型动力传递形 式,它具有反应迅速可逆、控制简单且能耗低、抗外界干扰能力强等特点,主要应用于 汽车风扇调速、机械手的加载和缓冲制动;以及机电设备软启动、软制动、无级调速和 过载保护等方面。
江苏大学 2021-04-14
磁絮凝污水处理反应器
项目简介 本成果属于污水处理设备,具有磁絮凝反应器,该絮凝反应器主要由产生磁场的线 圈和反应容器两部分组成,线圈为横向和纵向两套,通过时序控制器的运用,可有效控 制这两套线圈连续间接运作。该磁路接有脉冲直流电源,线圈中电流方向不断改变,两 套线圈又可产生相反的两个方向磁场。在线圈外套有轭铁和冷凝装置,轭铁用来固定线 圈和防止磁外漏;冷凝装置同冷凝水来控制线圈工作时温度。反应器主要分为反应区、 缓冲区、和沉淀区,外部配有加药系统,来投加絮凝剂。该装置能长
江苏大学 2021-04-14
教学直流卧式磁场发生器,磁场磁源发生器,
产品详细介绍概述力田磁电科技有限公司系列直流电磁铁,可提供可调磁场源,适用于科研单位,高等院校及工厂做物质磁性实验,具有多种用途可配用于磁性材料测量装置、振动样品磁强计、霍尔效应研究、磁光效应研究、磁电阻效应研究、磁致伸缩研究、转矩磁强计、力法磁强计、磁化率测量装置以及对磁性器件的充磁和退磁等等,用途非常广泛。2、电磁铁工作原理电磁铁是由线包、轭铁、铁芯(极柱)、极头等组成的闭合磁路。通电的导电绕组(线圈/包)能产生一定的磁场,铁芯(极柱)在外部线圈磁场的作用下,其内部的排列不规则的铁磁性金属原子重新规则排列,共同指向一个方向,从而被磁化,增加了磁通,所以在铁芯、轭铁和气隙间就产生了数量可观的磁通Φ,当控制电源电流变化时,极头间气隙中形成可控的高强度磁场。3、电磁铁特点:磁场气隙双向可调,单轭的结构,磁场方向水平;直立座放,有很宽阔的操作空间,便于取放样品和与其他设备的组合架构,是磁性研究最为常见的电磁铁之一。适用于霍尔效应研究,磁电阻效应研究、磁滞伸缩研究、转矩磁强计、力法磁强计、振动样品磁强计、磁化率测量装置、磁性材料测量装置等。3.1  WD-200型卧式水冷电磁铁运用电磁感应原理,采用单轭水冷式结构,样式美观、性能可靠。3.2 磁场工作气隙调节轻便灵活,极头与极柱采用分体螺纹连接结构,便于极头更换,电磁效率高,电磁铁极柱为200mm,极面直径最大为φ120mm,另配φ80mm、φ60mm极头 ,工作气隙最大为140mm。3.3 WD-200型卧式水冷电磁铁带工作气隙结构调整采用力田专利技术设计,极头不需要锁紧,气隙不会改变,保证测量的重复性。电磁铁卧式结构电磁铁的视野开阔,外形美观,结构可靠,磁场强度高、磁场强度大小调节方便等特点。3.4、WD-200型卧式水冷电磁铁可用于磁滞现象研究,磁化系数测量,霍尔效应研究,磁光实验,磁场退火,核磁共振,电子顺磁共振,生物学研究,磁性测量, 磁性材料取向,也可在小气隙时用于铁氧体等磁性产品充磁等。3.5、使用前请仔细阅读本说明书,严格按照要求操作使用。4、 技术参数2.1  极面直径:φ120mm,80mm、60mm2.2  工作气隙:0~140mm连续可调2.3  磁场强度:工作气隙20mm时,60mm极头中心磁场最大H≥2.5T2.4  磁场强度:工作气隙20mm时,80mm极头中心磁场最大H≥2.2T2.5  磁场强度:工作气隙20mm时,120mm极头中心磁场最大H≥2.0T2.6  剩磁:气隙10mm时  H≤12mT2.7  工作电流:DC  0~20A2.8  线包绝缘电阻:>10MΩ2.9  磁场外形尺寸:1600mm×1250mm×1300mm2.10 直流电阻::   10Ω2.11包装尺寸:1150 mm×1300 mm×600 mm2.12重量:约800kg磁场参数表:(供参考)极头60mm磁场参数:电流工作气隙10mm20mm30mm40mm50mm60mm 磁场(mT)1A57030018013010080 2A1090340390250200160 3A1630680640400300250 4A20801120760530400330 5A23401380930670500410 6A247016301110810600490 7A256018401270920700580 8A 200014201030790650 9A 213015501130880730 10A 223016701230960800 11A 2300178013201030860 12A 2360187014001100920 13A 2410195014801170980 14A 24502030155012201030 15A 24802090161012801080 16A 25202140167013401130 17A  2180172013801170 18A  2210177014301210 19A  2250182014701250 20A  2280186015101300  
绵阳力田磁电科技有限公司 2021-08-23
无人飞行器飞控系统MBIT设备
MBIT(维护性自检测)设备,是对飞机飞行控制系统各个部件进行功能和性能测试、故障检测、提供维护检测信息,并对在测试进行日常维护和部件更换,确保飞行控制系统的稳定性和安全性。其主要功能是对飞行计算机测试、导航传感器状态监控与标定、作动器的测试、交联系统、的测试,发动机性能测试和下载飞中,飞前自检测故障等。主要应用在无人机飞行控制系统中,由维护人员在地面通过此设备对'飞机部件进行检测。
电子科技大学 2021-04-10
无人飞行器飞控系统MBIT设备
MBIT(维护性自检测)设备,是对飞机飞行控制系统各个部件进行功能和性能测试、故障检测、提供维护检测信息,并对在测试进行日常维护和部件更换,确保飞行控制系统的稳定性和安全性。其主要功能是对飞行计算机测试、导航传感器状态监控与标定、作动器的测试、交联系统、的测试,发动机性能测试和下载飞中,飞前自检测故障等。主要应用在无人机飞行控制系统中,由维护人员在地面通过此设备对'飞机部件进行检测。
电子科技大学 2021-04-10
磁敏电阻芯片及系列传感器
磁敏电阻芯片及相应传感器的开发与应用是磁敏传感技术近二十年来最蓬勃发展并实现产业化的新兴分支。1.我们研制的高分辨率(1000~4000脉冲/360º)磁编码器(国家自然科学基金项目)其关键技术指标频率响应达300KHz,超过国外同类产品的30%,是光学编码器频响的3倍。2。我们生产的具有判向功能、从0~数万转速的测速传感器,具有信号无接触测量,无触点、无磨损、无噪声、使用寿命长,分辨高,检测距离远、频率响应宽达到0-200KHZ、性能明显优于光电测速传感器和电感测速传感器。已成功替代纺织进口设备传感器3。无触点磁敏电位器(北京市自然科学基金项目)已获得过国家专利,该产品内部具有信号无接触测量,使用寿命长,分辨率高,转动力距小,高频响应特性好,抗干扰能力强,适用于油、水、粉尘等惡劣环境的特点。4。最新结构的倾斜角传感器(建设部项目),已申报国家发明专利,信号感应检测无磨损   无电噪声 、高可靠性、高分辨率、 高稳定性、特别适用于运动频繁要求使用寿命长的场合,环境适应性强,可用于潮湿、油污、粉尘、盐污、露天等多种工业场合。  
北京科技大学 2021-04-11
基于磁致伸缩效应的导波传感器
本发明公开了一种基于磁致伸缩效应的导波传感器,可用于对构件进行无损检测,包括外壳(6),波导管(8),永久磁铁(4),永久磁铁 同轴容置在所述外壳(6)内,且与中空筒状的波导管(8)一端同轴贴合, 还包括内管(5)以及内管压块(3),位于内管(5)和外壳(6)之间的波导管(8) 上具有相隔距离的激励线圈和接收线圈,对激励线圈通入交流电后, 激励线圈产生交变磁场,该交变磁场与永久磁铁形成的偏置磁场共同 作用使波导管(8)激发出超声导波,将所述超声导波传入被检测构件(16) 以对被检测构件进行无损检测。
华中科技大学 2021-01-12
磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件
已有样品/nSTT-MRAM 是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构,加工制备难度极大。当前,美韩日三国在该项技术上全面领先,很有可能在继硬盘、DRAM 及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3 年的艰苦攻关,在STT-MRAM 关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国内首次采用可兼容CMOS 工艺成
中国科学院大学 2021-01-12
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