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一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学
2021-04-14
智能隔爆式磁氧分析仪研究与开发
以先进的嵌入式技术为中心，开发一套智能隔爆式磁氧分析系统， 实现分析仪器的在线检测，自动标定，故障诊断，在线显示分析结果，并以数字和模拟趋势两种方式输出，为工业现场DCS系统提供工艺流程中样品的分析结果。仪器实现了恒温检测消除温度漂移，自动压力补偿，减小压力影响。
技术优势：
可实现O2的全量程在线测量；性能稳定、选择性好。仪器的性能指标为：
（1）测量范围：0%-100%O2
（2）零点漂移：<0.1%/天；<0.2%/月
（3）对N2O、CO、CO2、H2O等的选择性误差：<0.3%
（4）NO2的选择性误差：<5%
（5）对NO的选择性误差较高：<43%
南京工业大学
2021-01-12
岩心渗透率 5MHz核磁岩心分析仪
产品详细介绍产品简介： MicroMR系列5MHz核磁岩心分析仪是经典的岩心分析设备，主要用于常规岩心的孔渗饱测试，该产品专为不同特性岩样的检测需求而精心研制，为石油岩心测试领域提供最专业最匹配的分析解决方案。 5MHz核磁共振岩心分析仪，可满足石油勘探领域的孔隙度、渗透率、饱和度、可动流体饱和度、束缚流体饱和度等相关分析测试，测量结果客观真实、精准度高、重复性好，仪器性能稳定，性价比高。技术指标：1、磁体类型：永磁体；2、磁场强度：0.12±0.02T，仪器主频率：5MHz；3、探头线圈直径：25.4mm；应用解决方案：标准岩心孔隙结构及流体饱和度；；应用案例一：玻璃珠孔隙模型测试（不同饱和度下T2弛豫图谱分析）应用案例二：核磁共振T2图谱与岩样孔喉分布注：仪器外观如有变动，以产品技术资料为准。
上海纽迈电子科技有限公司
2021-08-23
磁光克尔与法拉第效应综合测试系统
由上海复旦天欣科教仪器有限公司研制生产的磁光克尔与法拉第效应综合测试系统将两种研究磁光效应的实验结合于同一套测试系统中。在表面磁光克尔效应的研究中，应用该系统可以自动改变电磁铁电流大小及方向，并实时采集记录偏振光信号与磁场强度信号的改变，从而获得薄膜样品矫顽力、磁各异性等方面的信息；在法拉第效应的实验中加入了控温装置，可在不同温度下利用正交消光法检测样品的的费尔德常数。
应用该实验仪主要完成以下实验：
1．磁光克尔效应实验：测量薄膜或者块状抛光铁磁性样品的克尔旋转角，分析其磁学性质；
2．常温法拉第效应实验：测量不同材料的常温费尔德常数；
3．变温法拉第效应实验：测量不同温度情况下材料的菲尔德常数，分析温度对材料磁滞旋光的影响；
4．法拉第效应谱线测量：测量不同光谱照射情况下材料的菲尔德常数（选用不同波长的激光器）。
上海复旦天欣科教仪器有限公司
2022-05-24
表面磁光克尔效应综合实验仪 COC-SMOKE
简介
在外加磁场的作用下，物质的光学性质会发生改变，这就是磁光效应。磁光效应主要包含磁光克尔效应、法拉第磁致旋光效应、科顿 -
穆顿磁致双折射效应。本实验系统利用一套可以进行自由组合的实验装置，通过搭建不同的测量光路来实现对这三种完全不同的磁光效应
的测量。具体实验内容为：测量镍薄膜的磁光克尔旋转角、测量蒸馏水的法拉第旋光系数、测量磁流体的磁致双折射（科顿 - 穆顿效应）
的 o 光与 e 光的折射率差，其中前两部分作为基础性实验内容开展面上实验，第三部分作为研究性实验内容可供在现有实验基础上开展研
究性实验。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
进展 | 电子系崔开宇在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片
清华大学电子工程系黄翊东教授团队崔开宇副教授带领学生在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片，相比已有光谱检测技术实现了从单点光谱仪到超光谱成像芯片的跨越。
清华大学
2022-05-30
东南大学毫米波CMOS芯片研发取得重大突破
由东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授、赵涤燹教授牵头，联合成都天锐星通科技有限公司、网络通信与安全紫金山实验室等单位完成的“Ka频段CMOS相控阵芯片与大规模集成阵列天线技术”项目成果通过了中国电子学会组织的现场鉴定。 由中国工程院邬贺铨院士、陈左宁院士、李国杰院士、吕跃广院士、丁文华院士以及来自中国移动、信通院、华为、中兴、大唐电信和国内5所高校的共15位专家组成的鉴定委员会对该项成果进行了现场鉴定并给予了高度评价，一致认为：该项目解决了硅基CMOS毫米波Ka频段相控阵芯片和天线走向大规模推广应用的核心技术瓶颈问题，成功研制了Ka频段CMOS相控阵芯片，并探索出了一套有效的毫米波大规模集成阵列天线低成本解决方案，多项关键技术属首创；在硅基CMOS毫米波技术路线取得重大突破，在大规模相控阵天线集成度方面国际领先；成果在5G/6G毫米波和宽带卫星通信等领域具有广阔的应用前景，在该领域“卡脖子”技术上取得关键突破，已在相关应用部门得以成功推广应用。 目前，用于射频芯片的40nm和28nm CMOS工艺特征频率已经超过250GHz，在理论上完全可以满足毫米波应用需求。毫米波硅基CMOS集成电路技术的突破，将带来无线通信行业的一次变革，解决相控阵系统“不是不想用，只是用不起”的问题，把毫米波芯片及大规模相控阵变成来一种极低成本的易耗品。相比锗硅工艺和化合物半导体工艺，CMOS工艺在成本、集成度和成品率上具有巨大优势，但其输出功率相对较低，器件本身寄生效应较大。项目组经过长达6年的技术探索与创新，克服了毫米波CMOS芯片技术的固有瓶颈问题，所研制的芯片噪声系数为3dB，发射通道效率达到15%，无需校准便可实现精确幅相调控；基于大规模相控阵的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片输出功率受限的问题。
东南大学
2021-02-01
超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片
本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术，包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度（PVT）偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术；面向工业控制微控制器关键技术，包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。
东南大学
2021-04-11
一种RFID读写器芯片中测系统及方法
本技术成果涉及集成电路测试技术领 域，公开了一种RFID读写器芯片中测系 统及方法
中山大学
2021-04-10
基于超陡摆幅器件的极低功耗物联网芯片
随着集成电路的发展，功耗问题越来越成为制约的瓶颈问题。特别是在即将到来的万物互联智能时代，物联网、生物医疗、可穿戴设备和人工智能等新兴领域更加追求极低功耗，尤其是极低静态功耗。面向未来庞大的物联网节点应用的需求，极低功耗器件及其电路芯片受到越来越多的关注。受玻尔兹曼限制，传统晶体管的亚阈摆幅存在理论极限，这一限制是阻碍器件功耗降低的关键因素，基于传统CMOS晶体管的集成电路已经无法满足物联网节点等对极低功耗的需求。 本项目基于标准CMOS工艺研制新型超陡摆幅隧穿器件，并进一步研发具有极低功耗的物联网节点芯片。新型超陡摆幅隧穿器件采用有别于传统晶体管的量子带带隧穿机制，可突破亚阈摆幅极限，同时获得比传统晶体管低2个量级以上的关态电流性能，具备极其优越的低静态功耗性能。通过超陡亚阈摆幅器件及电路技术的研究和突破，可促进我国物联网芯片产业的发展，显著提高物联网节点的工作时间，具有重要的应用价值。
北京大学
2021-02-01