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GZX92A绝缘电阻表检定装置 兆欧表检定装置
产品详细介绍  /////////////////////////////////////////////////////////////////////////                                                                //////////////// 深圳市世纪经典检测仪器有限公司 销售热线:15914142916 传真:0755-84812743 邮箱:186jl@163.com                                                                //////////////// ///////////////////////////////////////////////////////////////////////// 一、概述 绝缘电阻表(兆欧表)是国家强制检定计量器具,其检定规程为JJG622-89。检定装置的主要标准器为高压高阻箱和高压电压表。GZX92A型绝缘电阻表检定装置将高压高阻箱(高阻输出部分)和高压数字电压表(电压输入部分)合为一体。 检定装置中电阻输出部分的测量上限为200GΩ,标称工作电压为5kV。该装置设计有独立的泄漏屏蔽端钮和接地端钮,在测量过程中无明显不稳定及短路、开路现象。满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程和JJG166-93直流电阻器检定规程的要求。可用于各种型号的指针式绝缘电阻表的检定。 检定装置中电阻输出部分选用获得专利的滚动式高压开关,使用10万次后仍可满足检定规程的要求。其具有较长的技术寿命和机械寿命。检定装置中电压测量部分的标称测量电压为5kV,输入阻抗≥10GΩ。本装置能测量兆欧表的开路电压、中值电压和峰值电压。 二、主要技术参数 1. 电阻输出(高压高阻箱)部分 1.1 电阻输出部分的准确度等级及工作电压(电流)    阻值   100GΩ ×10GΩ ×1GΩ ×100MΩ ×10MΩ ×1MΩ 准确度等级 5 5 2 1 0.5 0.2 标称电压 5000V 5000V 5000V 5000V 2500V 1000V   阻值   ×100kΩ ×10kΩ ×1kΩ ×100Ω 准确度等级 0.2 0.2 0.2 0.2 标称电流 1mA 8mA 20mA 50mA   1.2 调节范围:100Ω~200GΩ,调节细度为100Ω 1.3 使用环境条件 1.3.1 参考温度范围:20~25℃    1.3.2 标称使用温度范围:18~28℃        1.3.3 参考湿度范围:40~60% 1.3.4 标称使用湿度范围:25~75% 1.4 电阻变差极限:在参考条件下,由单一影响量发生变化所引起的变差 影响量别   标称使用范围 允许的变差 环境温度 18~28℃ a/2 % 相对湿度 25%~75% ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a% 工作电压 (1~1/5)标称电压 ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a%   ★ a为检定装置中电阻输出部分电阻盘准确度等级(各电阻盘a值不同) 1.5 绝缘电阻:检定装置中电阻输出部分的电路与电路无电气连接的任何其它外部金属间的绝缘电阻,在标称电压下测得的电阻值不小于5TΩ。 1.6  绝缘强度:检定装置中电阻输出部分的电路与测试用参考接地点之间,应能承受频率为45~65Hz的实际正弦交流电压11kV并历时1min的试验,而不出现击穿与飞弧现象。 1.7 检定装置中电阻输出部分输出端的残余电阻应<0.1Ω,其变差<0.01Ω。 1.8 外形尺寸:442mm×270mm×145mm 1.9 重量:<5kg 2.电压测量(高压直流数字电压表)部分 2.1 测量范围:0~5500V 2.2 准确度:±(1%读数±1个字) 2.3 供电电源:DC9V 2.4 输入电阻:≥10GΩ 2.5 显示:四位半、液晶显示 2.6 峰值电压测量回路满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程中图3的要求。  
深圳市世纪经典检测仪器有限公司 2021-08-23
内生偏好、公共财政运作效率与哈伯格-劳尔森-梅茨勒效应
经典的"H—L—M"效应("哈伯格一劳尔森一梅茨勒"效应)已经被各国经济学者探究了半个多世纪,但截止到目前,还没有文献基于Becker—Mulligan(1997)的贴现偏好进行理论分析,并且目前所有的研究均是考虑政府使用资源的确定性状态.对此,本文基于Becker—Mulligan(1997)的贴现因子讨论是否存在"H—L—M"效应,并比较了政府不同财政运转效率的结果.研究发现:在Becker-Mulligan(1997)贴现偏好下,贸易条件恶化将会导致经常账户出现盈余;而贸易条件恶化时,政府财政运转效率对于经常账户的重新平衡具有"加速"作用.
南京财经大学 2021-05-08
纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
研发阶段/n内容简介:纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺,构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点,广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利,专利号:200510018701.9。
湖北工业大学 2021-01-12
云南大学方精云院士团队在Science上撰文 揭示森林混交的增产效应
该研究系统阐明了混交种植的增产效应及其机制,解决了森林经营生产中久而未决的理论和实践问题,为全球森林恢复和经营提供了重要参考。
云南大学 2022-06-09
国科大苏刚团队在非线性反常热霍尔效应研究中取得新进展
中国科学院大学苏刚和朱振刚研究团队在时间反演对称性存在而空间反演对称性破缺的体系中对反常热霍尔效应进行了研究,发现此时其线性效应由于昂萨格倒易关系的限制而消失,其二阶非线性效应存在且占主导地位。
中国科学院大学 2022-06-01
一种用于汗液中多巴胺检测的柔性场效应晶体管及应用
本发明公开了一种用于汗液中多巴胺检测的柔性场效应晶体管及其制备方法。通过高熵普鲁士蓝类似物材料对柔性场效应晶体管进行表面修饰,显著提升了器件的电化学传感性能,使其对多巴胺有着较低的检测限和较宽的检测范围。该柔性场效应晶体管以聚酰亚胺为衬底,具备良好的柔韧性和稳定性,适用于可穿戴式应用场景。其结构简单,制备工艺灵活,适合大批量生产。基于高熵普鲁士蓝类似物修饰的柔性场效应晶体管为柔性生物传感器在汗液检测领域提供了一种新的技术方案,为疾病早期诊断和个性化医疗提供了新的技术手段。
南京工业大学 2021-01-12
可变温霍尔效应测试仪高低温磁场型0.1GS分辨率
霍尔效应测试仪—高低温磁场型本仪器系统由:电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 产品概述: 本仪器系统由:电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier oncentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 可测试材料: Ø 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等; 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等; 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!  
北京锦正茂科技有限公司 2022-05-10
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途: Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点,在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说,靶材是至关重要的,它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance, TCR)等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一,较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移,从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材,其性能不能满足低 TCR(≤25ppm/℃)要求。 技术原理与工艺流程简介: 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下:温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域: 集成电路、电子元器件 合作方式及条件:具体面议
天津大学 2021-04-11
一对转录激活子样效应因子核酸酶及其编码基因与应用
本发明公开了一对转录激活子样效应因子核酸酶及其编码基因与应用。这对转录激活子样效应因子核酸酶(TALEN)由一对DNA识别蛋白分别与Fok1?DNA内切酶的两个异源亚基融合得到,可以特异性地识别山羊或绵羊朊蛋白基因(PRNP)exon2上的两个相邻位点。将这对转录激活子样效应因子核酸酶同时转入宿主细胞时,其能对宿主细胞PRNP基因的exon2位点打靶,并使打靶位点发生基因突变,从而实现对山羊或绵羊PRNP基因的靶向修饰,具有特异性强、打靶效率高、准确度高等优点。
浙江大学 2021-04-11
较弱的非共价键相互作用也可实现非常强的正协同效应
基于刚性分子钳,精心设计了醚键桥连的分子管。这类大环分子具有独特的富电子空腔,能够与有机阳离子键合。当客体尺寸合适时,两个大环分子可以键合到一个客体上。相关实验表明,客体对两个大环分子的键合存在较强的协同效应,协同因子α最高可达580!这是目前所报道的非离子对体系中最强的。X-射线单晶衍射数据表明,相对较弱的C-H···O氢键是这个强协同效应的主要驱动力(下图左)。基于此研究结果,蒋伟课题组还构建了更加复杂的组装体(下图右),展示了该建筑模块在构建复杂超分子体系方面的潜力。
南方科技大学 2021-04-13
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