在过去的二十年里，磁电材料因其在磁传感器、能量回收器、微机电系统、可调微波器件等工程领域的应用潜力，一直以来得到了研究者的广泛关注。为了实现强的磁电耦合，北京大学工学院的研究者们利用不同的压电和压磁材料制备了诸如0-3型、3-1型、2-2型和2-1型的磁电复合材料。 北京大学工学院实验室通过激光处理压磁材料FeBSi合金(Metglas)，提出了1-1型的磁电复合结构。实验测试得出：1-1型磁电材料具有超高的磁电系数（超过7000 V/cm Oe），相比于现有结果提高了接近7倍。当被测磁场频率为复合材料的谐振频率时，在室温条件下测到了1.35×〖10〗^(-13)Tesla的微弱磁场，这是块体磁电复合材料领域的重要突破。该研究还发现，激光快速退火处理可以显著降低压磁材料在谐振频率点的交流损耗，从而提高1-1型磁电结构的机械品质因子。此外，1维（1D）的结构也有利于降低退磁因子，并增强磁通聚集效应。

项目简介 在过去的二十年里，磁电材料因其在磁传感器、能量回收器、微机电系统、可调微波器件等工程领域的应用潜力，一直以来得到了研究者的广泛关注。为了实现强的磁电耦合，北京大学工学院的研究者们利用不同的压电和压磁材料制备了诸如0-3 型、3-1 型、2-2 型和2-1型的磁电复合材料。北京大学工学院实验室通过激光处理压磁材料FeBSi 合金 (Metglas)，提出了1-1 型的磁电复合结构。实验测试得出：1-1 型磁电材料具有超高的磁电系数（超过7000 V/cm Oe），相比于现有结果提高了接近7 倍。当被测磁场频率为复合材料的谐振频率时，在室温条件下测到了1.35×〖10〗^(-13)Tesla 的微弱磁场，这是块体磁电复合材料领域的重要突破。该研究还发现，激光快速退火处理可以显著降低压磁材料在谐振频率点的交流损耗，从而提高1-1 型磁电结构的机械品质因子。此外，1 维（1D）的结构也有利于降低退磁因子，并增强磁通聚集效应。应用范围基于磁电耦合效应，该项研究课题组首次提出了磁电磁通门的结构设计，旨在对微弱直流磁场进行探测。这个磁电磁通门具有梭形结构，对于1nT 的直流磁场输入，磁电磁通门输出信号的相对变化相比现有的结果提高了4-5 倍，为磁异常探测在导航、医学诊断等领域的应用创造了可能。项目阶段本课题组同内窥镜团队合作，发展了基于磁电耦合原理的磁电传感器阵列和磁成像系统，研制了国内首台磁电磁成像样机。该样机核心组成部分由56 路磁电传感器、驱动电路、信号采集与处理、磁成像显示等构成。该磁成像系统不仅能够检测磁性金属物的存在，而且还能准确判断其位置、姿态，定位偏差纵向在1.2cm 以内，横向偏差在0.5cm 以内。另外，通过对金属棒扫描和采集信号的微分处理，还可以判断金属棒的长、径比值。该项研究提出的磁成像系统在安检、医学上人体内磁性药囊实时监测方面具有较大应用价值。知识产权已申请相关专利。合作方式 技术转让、合作开发。

概述： FCP磁场控制平台是根据磁控原理设计的理想磁测量系统，磁场范围超过3T，利用TESTIK475高斯计稳定磁场控制，适合各系列电磁铁配置，连续可变的电磁气隙，实心的和光学入口极帽，线型双极，真实四象限电磁铁电源。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 锦正茂磁场控制平台磁控原理磁测量系统 FCP磁场控制平台控制特征： TESTIK475型高斯计努力保持确切的磁场密度，用户输入的控制设定点，用G、T、Oe、A/m来表示。北京锦正茂的电磁铁磁场控制平台集成了硬件和控制部件来形成一个变化的磁场平台，可以被独立的被利用或做为用户设计的测量系统的一个基础。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 锦正茂磁场控制平台磁控原理磁测量系统 ※ 磁场控制平台包括锦正茂公司的电磁铁、双极电源、具有控制能力的DSP技术的高斯计、霍尔探头及支架等。 锦正茂提供的磁场控制平台具有不同的配制用来满足在磁场强度、磁场均匀性、样品尺寸、自定义测量要求等基础之上的用户要求。可以独立的形成用户所需要的不同磁场强度的可变磁场。广泛用于磁光测量系统、VSM测量系统、在线退火、霍尔效应、磁化率测量、自旋磁共振、B-H曲线测量和精准的传感器校准等领域。 475高斯计从高斯计霍尔探头得到反馈来计算并调整控制（模拟）输出。为了更大程度实现控制的稳定性，475型高斯计每33毫秒更新模拟输出。结果是一个内置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁场稳定性。 ※ 当设定点速率激活的时候，仪器会开始从当前磁场读数加速而不是当前设定点，基于对P和I的设定。另外，475高斯计能设定速率来控制设定点，从当前磁场读数到一个新的值，使用一个磁场中平滑线性变换而不是瞬态特性的PI控制。 ※ 开环磁场控制也可能用手动输出来使用475模拟输出，这意味着忽视了反馈并且模拟输出停留在手动用户调整。这个方法使磁体电源操作处于恒定电流模式。 ※ 475也包含了用户可设定的控制斜率限制和模拟输出电压限制。这些软件限制保证了磁体电源如果磁场控制系统遭到不合适的调整或开始摆动而不会损坏。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ FCP磁场控制平台标准配置： TESTIK475有1个计算机接口：RS-232串口:。这个接口可以设置所有仪器参数和测量值得读回。在磁场控制期间，接口的读数率是额定每秒30个读数。475的LabVIEW驱动是提供的（选配）。磁场控制平台不含应用软件。    

本发明公开了一种定子永磁型记忆电机转矩脉动抑制方法，将永磁磁链与转速的关系预先存储在一个二维表中，通过查表的方式获得给定转速所对应的永磁磁链，提高了电机的调速范围，降低了电机参数对永磁磁链计算精度的影响。与采用两个滞环控制器的控制方法相比，该方法通过电压空间矢量方法使得三相逆变器开关频率恒定，降低了转矩脉动。该方法克服了低速时系统难以精确控制，以及因

本发明公开了一种定子永磁型记忆电机直接转矩控制方法，与矢量控制方法相比，定子永磁型记忆电机直接转矩控制方法避免了复杂的旋转坐标变化，这简化了系统结构，提高了系统响应速度。同时，该控制方法仅需两个滞环控制器和一个速度调节器，因而磁化状态所造成的电机参数变化对系统性能的影响较小。本发明定子磁链给定值由负载和转速实时计算得到，与直接给定定子磁链的传统直接转

新型热致、电致形状记忆聚烯烃材料是以聚烯烃材料为基体，经特殊加工工艺制备而成。该材料能在90~100℃下或通100V以上的直流（或交流）电压，使常温（或高温）下的形变回复到近乎原来的形状，回复速度10-30s，回复率80-92%，固定率82-96%。并且这种记忆特性经多次反复后，不衰减。材料的力学性能与聚乙烯相近（图3）。 新型热致、电致形状记忆聚烯烃材料生产技术可根据制品形状记忆性要

本发明公开了一种基于忆阻器的联想记忆电路，包括忆阻器、 第一电阻、第二电阻和运算比较器；第一电阻和忆阻器依次串联在运 算比较器的第一输入端，忆阻器的非串联连接端作为联想记忆电路的 第一输入端；第一电阻和忆阻器的串联连接端作为联想记忆电路的第 二输入端；第二电阻的一端连接至运算比较器的第一输入端，第二电 阻的另一端接地；运算比较器的第二输入端用于连接参考电压，运算 比较器的输出端作为联想记忆电路的输出端；联想记忆电路的

要实现三维量子霍尔效应，就需要达到所谓的极端量子极限条件（Extreme Quantum Limit）。这个实验条件要求异常苛刻，如果选用常用的金属铜块作为研究对象，要施加超过3000特斯拉的磁场才能进入极端量子极限态，而这是当前的实验条件无法提供的。因此，三维量子霍尔效应方向的研究一度处于几乎停顿的状态。 为了满足这项苛刻的条件，张立源团队巧妙地选用了高品质的五碲化锆（ZrTe5）晶

描述 该实验装置以汞灯546.1nm谱线为对象，研究塞曼效应。汞灯发出的谱线经过聚光镜，将发散的光线适当地汇聚，透过偏振片，经过滤光片滤光后形成单色光，进入F-P标准具，形成干涉圆环，最后由镜头和CMOS相机成像。该装置包含一个可调恒流电源，通过调节电流控制磁场的大小。当磁场足够强时，能级开始分裂，产生不同的谱线，每一级干涉圆环分裂成多个干涉圆环，由专业的软件进行图像采集和数据分析，得到电子荷质比e/m的数值。当将电磁线圈旋转90度时，重新微调光路，则可以平行于磁场方向观测塞曼效应。   紧凑型设计 采用工业级高强度轨道，配合精巧的光机械设计，比传统的装置至少减少了1/3的空间。   电磁线圈为整套装置提供连续可调的0-1.2T的匀强磁场，并有0-120度可旋转结构，可以对横向及纵向塞曼效应现象进行观测。   高达1/100λ的法布里-帕罗标准具，可获得K级至K-2级的9条分裂谱线。 F-P标准具的性能保证了谱线分裂明显，线条清晰锐利。   CE安全认证 通过欧盟CE安全认证，严格按照CE标准进行品质控制。   典型实验内容及数据 1，垂直于磁场方向观测塞曼效应（Л线 ）   2，平行于磁场方向观测塞曼效应（σ线）   3，根据K级至K-2级的9条分裂谱线，可验证荷质比 e/m. 荷质比 e/m 测量结果的相对误差小于 5%。   部件列表 BEM-5008   摄像单元(含镜头、CMOS相机), f=50mm, 五百万像素 BEM-5402    法布里泊罗标准具, 546.1nm BEM-5403    干涉滤光器, 546.1nm BEM-5404    偏振器 BEM-5405    聚光镜, f=131.2mm BEM-5203   精密调节架, Φ45mm, 2D BEM-5213   水平可调精密调节架, Φ45mm, Travel=36mm , 3D BEM-5201-06    导轨，长 600mm BEM-5204-50    托板，宽 50mm （3） BEM-5205-25    升降调节架，可调范围 25mm　（3） BEM-5209-09    连接杆，长 90mm　（3） BEM-5009    笔形汞灯, 10A, 3W BEM-5010    电磁线圈, 5A, 1.2T BEM-5202    连接块 BEM-5012    可调直流恒流源, 6A   选配件 BEM-5032A    特斯拉计，0-2000mT, 精度0.1mT   包装清单 实验装置1套（详见部件清单），电源线1根，红黑导线各1根，USB线1根，软件光盘1张，手册1本。

基于磁致伸缩扭转波检测导磁构件缺陷的装置，属于超声波无损检测装置，目的在于克服纵向模式导波衰减较大，存在明显频散效应的不足，检测时无须对构件表面进行处理。本发明包括脉冲信号发生器、功率放大器、磁致伸缩扭转波传感器、信号预处理器、A/D 转换器以及计算机；磁致伸缩扭转波传感器包括激励单元和接收单元。计算机控制脉冲信号的产生，经功率放大器放大，通过激励单元在构件中产生扭转波，接收单元接收构件中传播的扭转波，经信号预处理器处理，通过 A/D 转换器转换为数字信号，通过计算机处理获得构件的缺陷信息。本发明可