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XM-416-1动脉立体结构模型
XM-416-1动脉立体结构模型
XM-416-1动脉立体结构模型以中动脉组织结构光镜立体模式图设计而成，采用动脉一段端，模型呈园筒状，从内向外分别显示内膜、中膜和外膜，内膜主要显示内皮、内皮下层和内弹性膜，中膜有多层平滑肌和外弹性膜，外膜由疏松结缔组织和成纤维细胞及毛细血管。
尺寸：放大，18.5×15.5×23cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
人体骨骼附主要动脉和神经分布模型
XM-110男性全身人体骨骼附主要动脉和神经分布模型
（170cm）
XM-110男性全身人体骨骼附主要动脉和神经分布模型显示人体全身主要血管和神经的行程及其分布情况、神经分支、脊椎动脉和腰椎间盘等，由男性全身散骨串制而成一整体骨架，成直立姿势，四肢大的关节部分均可活动，一侧骨骼用红色塑料管显示全身主要的动脉，另一侧骨骼用黄色塑料管显示全身主要的神经分布，头颅含可活动的下巴、可移动的头颅盖、骨缝线和三颗可取下的下牙，其中四肢骨和头颅骨可以灵活拆卸组装，整体固定在支架上，带底座，可灵活移动。
尺寸：自然大，高170cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-416动脉与静脉解剖放大模型
XM-416动脉与静脉解剖放大模型
XM-416动脉与静脉解剖放大模型显示动脉和静脉的立体结构，动脉三层膜比静脉三层膜厚，动脉有内外弹性膜，而静脉平滑肌及弹性组织不如动脉，静脉内孔比动脉内孔大，静脉有瓣。
尺寸：放大，50×32×22cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-605A头解剖附脑动脉模型
XM-605A头解剖附脑动脉模型
XM-605A头解剖附脑动脉模型可拆分为10部件，显示颅内的脑结构，包括颅底、大脑半球、间脑、小脑、脑干、中脑、脑桥、延髓各个部分以及脑神经和脑血管等结构。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-605A头解剖附脑动脉模型
XM-605A头解剖附脑动脉模型
XM-605A头解剖附脑动脉模型可拆分为10部件，显示颅内的脑结构，包括颅底、大脑半球、间脑、小脑、脑干、中脑、脑桥、延髓各个部分以及脑神经和脑血管等结构。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
脑及脑动脉模型XM-604B
XM-604B脑及脑动脉分布模型（11部件）
XM-604B脑及脑动脉分布模型放大2倍，可拆分为11部件，显示脑的外形结构：大脑外侧面主要结构、大脑半球内侧面和底面的主要结构、脑干各面的主要结构、小脑的主要结构；脑的动脉供应：动脉的来源、动脉在脑底面的行程和联合情况、大小脑的动脉分布。
尺寸：放大2倍，35×33×30cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
头解剖附脑动脉模型XM-605A
XM-605A头解剖附脑动脉模型
XM-605A头解剖附脑动脉模型可拆分为10部件，显示颅内的脑结构，包括颅底、大脑半球、间脑、小脑、脑干、中脑、脑桥、延髓各个部分以及脑神经和脑血管等结构。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
酸性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法
本发明公开了一种酸性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法。采用酸性烤蓝工艺在软磁合金粉末表面包覆由尺寸均匀的纳米Fe3O4形成的包覆层，经粘结、压制成型、热处理工艺，制备新型的软磁复合材料。本发明的优点是：采用酸性烤蓝工艺制备Fe3O4方法简单，并且容易控制Fe3O4层的厚度, 由于该反应是原位反应，因此制备的绝缘层致密，与磁粉的结合度高。与传统的软磁复合材料相比，由于绝缘层为亚铁磁性的Fe3O4，有效减少了磁稀释现象，从而可以得到具有高饱和磁通密度、高磁导率的软磁复合材料。
浙江大学
2021-04-11
碱性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法
本发明公开了一种碱性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法。采用碱性烤蓝工艺使磁粉表面氧化生成一层均匀的Fe3O4的绝缘层，然后经粘结、压制成型、热处理工艺，制备新型软磁复合材料。本发明的优点是：采用碱性烤蓝工艺制备的Fe3O4是在软磁粉末的表面原位生长，因此绝缘包覆层与磁粉之间结合度高，并且包覆均匀致密；由于Fe3O4具有较高的电阻率，因此具有较好的绝缘效果；另一方面，用亚铁磁性的Fe3O4作为绝缘包覆剂，克服了传统非磁性物质作为包覆剂的磁稀释现象，可以获得更高的磁导率及磁通密度；碱性烤蓝工艺操作简单，成本较低，有利于实现工业化生产。
浙江大学
2021-04-11
一种基于缺陷磁泄漏域反向场的漏磁检测方法与装置
本发明公开了一种基于磁真空泄漏原理的漏磁检测方法及其装置。该方法为①将待检测导磁构件磁化；②在上述被磁化的导磁构件外围，剔除已有背景磁场，形成磁真空区域；③采用磁敏元件布置于磁真空区域，拾取无磁压缩效应的缺陷漏磁场并转化为电压信号，如果电压信号中存在突变，则说明待检测导磁构件中存在缺陷，否则无缺陷。装置采用穿过式线圈对被检测导磁构件实施局部磁化，以便激发出该磁化区域内导磁构件上缺陷的漏磁场；在其内腔布置永磁体对，产生反向磁场与原背景磁场叠加抵消，形成磁真空区域以供缺陷的漏磁场泄漏扩散进来，同时消除由
华中科技大学
2021-04-14