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大功率双输出传动系统设计
双输出传动箱是双螺杆挤出机中的关键装置,它广泛用于制备化工、食品、甚至建筑材料制砖等工业生产领域。近几十年用于制备塑料、化纤、碳纤维和食品加工的双螺杆挤出机都配备的是来自德国THYSSEN HENSCHEL和意大利Zambello的大功率双输出传动箱,这些高端设备曾经是国内同类产品无法替代的。受化工机械企业需求的委托,我们对大功率双输出传动系统展开了研发,解决了关键技术,并制造出了规格不同的系列产品,成功地替代了THYSSEN HENSCHEL和Zambello的系列产品,已经安全用于化工塑料领域6年。至今,我们已经发明了大功率双输出传动系统的多种传动结构和传动系统的最优化设计方法,从而巨大地减小了传动箱的体积,提高了传动功率。目前,已经为南京GIANT机电有限公司完成了从18.5KW到800KW的全系列大功率双输出传动箱产品设计,产品已经全部替代进口产品,并100%安全运转至今。实践表明,我们自主研发的关键技术和最优设计结构已经在行业中处于领先水平,成熟技术可以推广应用于其它需要大功率双螺杆挤出机的场合。 应用范围: 双输出传动系统主要为双螺杆挤出机提供双输入传动。因双螺杆挤出机广泛用于石油化工、塑料、化纤、碳纤维、化工造粒、制药、食品加工和建筑材料等各个生产领域,并且因生产效率、节能等工业化的要求,需要大功率的双螺杆挤出机,因而大功率的双输出传动箱需求就必不可少。
北京交通大学 2021-04-13
高功率超短脉冲激光传输光纤
高功率超短脉冲激光技术在激光精细加工和激光 3D 打印等领域表现出很大的优势,可以提供十微米以下甚至亚微米级的加工精度,市场应用前景广阔。由于高功率超短脉冲激光的脉冲宽度非常窄(工业应用通常在百飞秒至几十皮秒量级),单脉冲能量较大,峰值功率非常高,普通实芯石英光纤  受限于材料的非线性和损伤阈值低的问题,无法传输如此高功率的超短脉冲。现在大多采用空间光路 反射输出,这大大增加了系统的复杂性,限制了其应用范围。 北工大基于国家自然科学基金项目,制备了高性能的无节点空芯反谐振光纤,该光纤纤芯为空气   结构,这就避免了材料的吸收,可以大大提高光纤的损伤阈值,进而可用来传输高功率超快激光。这 种高性能无节点空芯反谐振光纤利用改装的特种光纤拉丝塔通过堆积和拉制的方法拉制而成。目前, 国际范围内仅有少数科研单位和一家法国 GLO Photonics 公司具有制备该光纤的能力,并且销售价格较高(约 20,000 元 / 米),阻碍了其工业化应用进程。
北京工业大学 2021-04-13
高效和高功率密度电机驱动系统
Ø  成果简介:高功率大转矩交流感应电机驱动系统峰值转矩达1400Nm,应用效果良好;车用高效大功率永磁同步电机驱动系统填补了国内该领域的空白,突破了高速稳定弱磁调速技术难,比功率大于1.45kW/kg。该成果已在大洋电机、北京公交集团、627厂、福田、618厂、山东华盛集团、北京飞驰绿能、安徽安凯公司等企业得到推广应用。Ø  项目来源:自行开发Ø  技术领域:电气工程、新能源汽车Ø &n
北京理工大学 2021-01-12
高功率超短脉冲激光传输光纤
北京工业大学 2021-04-14
大功率半导体激光器
北京工业大学 2021-04-14
高压大功率薄膜电容器
该成果由于采用新型的安全膜结构和绝氧吸弧工艺(减小金属材料在加工过程中的氧化,降低接触电阻、电势垒等),产品具有自愈性,在高压大电流的冲击下不会发生短路击穿现象,无需防爆装置;由于采用端面高密度、低电阻的等离子放电喷射沉积制备技术和大功率电容器电极的电阻焊接技术,寄生电阻和发热量减小,使产品在可靠性、稳定性上具有明显的优势。
扬州大学 2021-04-14
电动乘用车大功率充/放电设备
 直流输出 1000V 大功率乘用车充/放电设备 
中国科学技术大学 2021-04-14
一种超声波功率测量系统
一种超声波功率测量系统,本发明属于测量仪器,解决现有辐 射力天平法测量超声波功率对环境要求较高、仪器达到稳定测量状态 所需时间较长的问题。本发明包括激光器、扩束镜、衰减片、水槽、成像透镜、CCD 摄像机、计算机、激光电源和光学平台,所述激光器、 扩束镜、衰减片、水槽、成像透镜和 CCD 摄像机沿光路依次固定在光 学平台上,成像透镜的轴线与激光器 1 发出的平行光的轴线重合,CCD 摄像机放置在成像透镜的焦点上,用于接收衍射图案,并将该图像传
华中科技大学 2021-04-14
Si基GaN功率半导体及其集成技术
特色及先进性;技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室(Power Integrated Technology Lab.-PITEL)自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究,是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器,国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构(Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode),其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻,更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比,可以看出MG-HAD具有较小的开启电压(0.6V)和导通电阻(1.3mΩ?cm2)。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力,以10μA/mm 为击穿电流标准,MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限,150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压,因而其baliga优值(BFOM)459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值,见图5所示。
电子科技大学 2016-06-08
高功率因数双向PWM变换器
两电平与三电平主电路适用于能量四像限运行,三电平更适于直流高压场合,可用于并网逆变,老化电子负载,蓄电池充放电机的前级,高功率因数整流器, 用作微电网与电网间的接口电路,可实现微网与电网间的能量互换,可用于直流充电桩的前级,实现网侧的高功率因数自主知识产权。
扬州大学 2021-04-14
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