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一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途,薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器;薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作,通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离,提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学 2021-04-11
一种去除甲醛用天然沸石负载CuO纳米管复合材料的制备方法
本发明属于材料制备领域,具体为一种去除甲醛用天然沸石负载CuO纳米管复合材料的制备方法。首先,用盐酸对天然沸石进行处理,并水浴加热,搅拌、过滤、洗涤、干燥,热处理后制备出性能稳定的天然沸石,然后,结合浸渍工艺将天然沸石浸渍在氯化铜溶液中,以四甲基乙二胺为络合剂,CTAB为软模板,葡萄糖为还原剂,采用水热法制备天然沸石负载Cu纳米线,最后,采用热处理法制备天然沸石负载CuO纳米管复合光催化材料。该工艺过程简单,成本低,便于实现,制备的天然沸石负载CuO纳米管复合材料比表面积大,易于回收,吸附降解性能好。
天津城建大学 2021-04-11
一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管
本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管,包括:由下而上依次设置的衬底、n型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化物层、p型氮化物欧姆接触层,所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极;其中电子阻挡层由由下而上依次设置的p型掺杂氮化物势垒层,非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合
东南大学 2021-04-14
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管,包括:由下至上依次设置的衬底,AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层,其中z>y>x,p型AlGaN层和透明导电层,在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学 2021-04-14
一种基于分形维数的碳纳米管分散状态的数值化表征方法
本发明属于纳米复合材料制备及应用领域,具体公开了一种基 于分形维数的碳纳米管分散状态的数值化表征方法。该方法首先通过 获取分散体系中碳纳米管分散状态的扫描电镜图片,然后采用图像处 理软件(ImageJ)将所得扫描电镜图片进行二值化处理,再提取出图片中 单根碳纳米管或者碳纳米管团聚体的边界轮廓,最后利用盒子算法计 算处理后图片的分形维数,所得的分形维数值即是对碳纳米管分散状 态中丰富信息的定量化描述,从而实现分散体系中
华中科技大学 2021-04-14
可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长n?ZnO纳米线;采用磁控溅射法在p?GaN上溅射一层AlN薄膜;采用溅射法或者电子束蒸镀分别在n?ZnO和p型GaN一端制备具有欧姆接触的金属电极;将AlN薄膜/p?GaN紧扣在n?ZnO纳米棒阵列上面形成异质结,构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ZnO纳米棒阵列,提高ZnO结晶度,提高电学性能,有效消除晶体质量差的问题;引入AlN隔离层,有效较少了结区的剩余电子,增加ZnO区载流子复合效率,实现纯ZnO紫外发光;n?ZnO纳米棒阵列/AlN/p?GaN异质结发光二极管,发光位置在385nm左右,半峰宽为14.5nm。
东南大学 2021-04-11
一种用于给智能ic卡热水表供电装置,具体涉及一种温差发电智能ic卡热水表
本实用新型是一种新型安全节能温差发电智能IC卡热水表装置(申请 号:201520230881.6 ),提供了一种结构简单、使用方便,能够长期使用的安全 节能的智能IC热水表供电装置,所采用的技术方案为热水管与冷水管固定在墙壁上,所述温差发电组块固定在热水管与冷水管之间,所述热水阀安装于热水管支 管上,所述冷水阀安装于冷水管支管上,所述混水阀安装于出水口处,所述智能 IC卡热水表安装在热水阀与混水阀之间,与蓄电池的正负极相接。其中温差发电 组块包括温差发电片、蓄电池、导线,所述温差发电片通过导热硅脂与热水管和 冷水管紧密接触,固定于热水管和冷水管之间,所述蓄电池的正极与温差发电片 热源接线柱相接,负极与温差发电片冷源接线柱相接。本实用新型结构简单,使 用安全可靠,广泛用于给智能IC卡热水表供电。投资条件10万和预期经济收益 500万、合作方式技术转让,技术合作开发等发明人
西南大学 2021-04-13
关于对国家重点研发计划“政府间国际科技创新合作”等2个重点专项2022年度有关批次项目申报指南征求意见的通知
2022 年,本专项继续支持我国与相关国家、地区、国际组织和多边机制签署的有关政府间协议框架下开展的各类国际科技创新合作与交流项目,项目任务涉及政府间科技合作层面共同关注的科学、技术和工程问题以及通过科技创新合作应对全球性重大挑战的有关问题等。
科技部国际合作司 2021-12-15
科技部关于发布国家重点研发计划“政府间国际科技创新合作”等重点专项2022年度第二批项目申报指南的通知
根据国务院《关于深化中央财政科技计划(专项、基金等)管理改革的方案》(国发〔2014〕64号)的总体部署,按照国家重点研发计划组织管理的相关要求,现将“政府间国际科技创新合作”重点专项2022年度第二批项目申报指南、“战略性科技创新合作”重点专项2022年度第二批港澳台项目申报指南予以发布。
科技部 2022-04-27
关于对国家重点研发计划“政府间国际科技创新合作”等2个重点专项2024年度有关批次项目申报指南征求意见的通知
根据《国务院关于改进加强中央财政科研项目和资金管理的若干意见》(国发[2014]11号)、《国务院关于深化中央财政科技计划(专项、基金等)管理改革方案的通知》(国发[2014]64号)、《国家重点研发计划管理暂行办法》(国科发资[2017]152号)等文件要求,现将国家重点研发计划“政府间国际科技创新合作”重点专项和“战略性科技创新合作重点专项”2024年度有关批次项目申报指南(见附件)向社会征求意见。
科学技术部 2023-07-25
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