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脑神经在头颈部分布模型、十二对脑神经
XM-639脑神经在头颈部分布模型（十二对脑神经）
XM-639脑神经在头颈部分布模型（十二对脑神经模型）上带部分颅底，眶的上壁和外侧壁已剖掉，暴露出眼球、眼球外肌和眶内神经、下颌支及部分颞骨、颈部浅层肌除去暴露出脑神经在颈部的分布；颅底内面可见十二对脑神经出入颅底孔裂的情况，在正中面上，上鼻甲粘膜内可见嗅神经丝穿筛孔进入嗅球，切开鼻腔外侧壁暴露翼腭神经节及其分支；眶内显示眼球、眼球外肌，
动眼神经、滑车神经、展神经、三叉神经眼支和睫状神经节的位置的分布；下颌支及颞骨一部已切去，显露三叉神经的上颌神经，下颌神经的走行、分支、分布和下颌下神经节；面神经在面神经管内分出岩大浅神经和鼓索的情况，舌咽神经、迷走神经在颈部走行、分布情况，副神经支配胸锁乳突肌和斜方肌，舌下神经进入舌内等情况。
尺寸：放大2倍，42.5×15×40cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
椎管内部脊髓神经模型（脑脊髓与周围神经解
XM-627椎管内部脊髓神经模型
（脑脊髓与周围神经解剖模型）
XM-627椎管内部脊髓神经模型（脑脊髓与周围神经解剖模型）显示自然位置的脑、脊髓、脊神经与椎管的形态、结构、位置关系。椎管由游离椎骨的椎孔和骶骨的骶管连成，上接枕骨大孔与颅腔相通，下达骶管裂孔而终。其内容有脊髓、脊髓被膜、
脊神经根、血管及少量结缔组织等，脊神经共31对，连接在脊髓上的神经，分布在躯干、腹侧面和四肢的肌肉中，主管颈部以下的感觉和运动。
尺寸：73×25×16cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
一种应对风功率波动的多风电场储能装置的容量配置方法
本发明提供了一种应对风功率波动的多风电场储能装置的容量 配置方法，包括 S1 以电力系统所有节点的储能功率需求最小为目标建 立最小储能功率需求优化模型；S2 根据最小储能功率需求优化模型并 结合鲁棒线性优化方法获得最大风功率波动范围下的风电场储能最小 容量值；S3 当最小容量值为零时，则不需要配置储能装置；当最小容 量值不为零时，则在不为零的节点处，根据风电场储能最小容量值配 置储能装置。本发明考虑了多个风电场在电力系统中的布局和接入系 统本身的网络拓扑结构，能够反映当前电力系统中多个风电场接入的
华中科技大学
2021-04-14
神经形态忆阻器
传统计算机采用分立的处理器和存储器，所有计算数据都要通过总线进行搬运，造成了存储墙、功耗墙等突出问题。基于忆阻器的神经形态器件能够在物理层面模拟生物突触、神经元信息处理功能，从而实现局域的存算融合，从根本上解决冯诺依曼瓶颈，带来巨大的性能和能效提升。
北京大学
2021-02-01
脊髓和脊神经模型
XM-619-1脊髓和脊神经模型
XM-619-1脊髓和脊神经模型放大5倍，由2个胸椎和4对脊神经组成，脊髓作圆柱体贯穿于椎管中，在脊髓横切面上，可以观察位于中央的蝶形构造的灰质和包围在它四周的白质，模型上段脊髓游离，显示包在外面的三层不同厚薄的被膜，即硬脊膜、蛛网膜和软脊膜，并剖示被膜层次，显示脊神经的前后根部；在脊髓两侧，有前根和后根合成脊神经，出椎间孔，脊神经交通支连接位于椎体两侧的交感神经干。
尺寸：放大5倍，13×16.5×23.5cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
超顺磁性氧化铁纳米颗粒在制备用于治疗神经性疾病的神经磁刺激增强剂中的应用
本发明公开了超顺磁性氧化铁纳米颗粒在制备用于治疗神经性疾病的神经磁刺激增强剂中的应用。一种基于磁性纳米材料和外磁场作用，可实现脑深部神经磁刺激的方法和系统构造。本发明利用超顺磁性氧化铁纳米颗粒的良好相容性和磁场响应特性，将超顺磁性氧化铁纳米颗粒递送到特定脑区，在一个特定外加磁场作用下，磁性纳米颗粒放大磁场效应，刺激周围的神经细胞，实现神经环路的活化，达到治疗一些神经性疾病的目的。
东南大学
2021-04-11
扫描电子显微镜虚仿系统
通过"CSTM/NTC试验人员技术能力评价体系"的标准打造实验技术人员的能力，为电镜行业的人才培训打下坚实基础。
河南元宇宙仪器有限公司
2026-04-24
菲泰姆超薄切片机虚仿系统
超薄切片机是一种用于制备超薄切片的实验设备，广泛应用于生物医学、材料科学等领域。
它的主要功能是将样品切割成厚度在几纳米到几微米范围内的薄片以便于后续的显微观察和分析。本软件根据菲泰姆自研国产超薄切片机的操作流程，详细展示整个设备的操作流程，高效且直观地指导用户使用设备。
河南元宇宙仪器有限公司
2026-04-24
一种具有神经保护活性的药物及其制剂
本成果提供一种具有神经保护活性的药物及其制剂。
西南交通大学
2016-06-24
一种基于忆阻器件的神经元电路
本发明公开了一种基于忆阻器件的神经元电路，本发明中，突 触阵列的忆阻器选用部分易失性双极性电阻转变器件，表达神经元膜 电位的忆阻器选用易失性电阻转变器件，构建神经元电路，并具有突 触基本单元。该神经元电路能够实现生物神经元中的整合放电功能， 表达出局部分级电位，突触具有部分易失性，可以表达活动时序相关 的可塑性，与生物学上神经元与突触在信息存储、传递与处理方面有 极大相似性。本发明可以为硬件模拟大脑神经网络结构提供基
华中科技大学
2021-04-14