本发明公开了一种非平衡等离子体产生装置及颗粒状粉末表面 改性处理系统，包括腔体、屏蔽网以及设置在腔体内的高压电极单元 和低压电极单元；高压电极单元设置在高压电极绝缘盖板的下表面， 高压电极单元包括多个均匀阵列排布的高压线电极，在高压电极绝缘 盖板上设置有多个均匀阵列排布的第一通孔；各个高压线电极的一端 与高压电极引线的一端固定；高压线电极的另一端通过高压电极固定 螺栓固定，高压电极引线的另一端通过第一通孔引出；并将各个高压 电极引线连接后作为非平衡等离子体产生装置的脉冲高压输入端。本 发明采用了高压

本发明公开了一种产生大气压弥散放电非平衡等离子体的系统， 包括：直流电源、谐振充电电路、Tesla 变压器谐振升压电路、脉冲陡 化电路、限流电阻、线型电极，谐振充电电路包括充电晶闸管、充电 电感、滤波电容、原方电容，Tesla 变压器谐振升压电路包括放电晶闸 管、Tesla 变压器、副方电容，脉冲陡化电路包括三电极火花开关和触 发极电阻，直流电源的正极连接到充电晶闸管的阳极，直流电源的负极接地，充电晶闸管的阴极连接到充电电感的一端，充电电感的另一 端连接到放电晶闸管的阳极，滤波电容直接与直流电源并联

本发明涉及一种大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合抛 光加工装置，目的是解决常规金属表面精密加工和抛光方法的不足及 加工和抛光效率低、易产生加工应力和表层损伤等问题。该装置包括 射频电源、射频电源匹配器、高压直流脉冲电源、脉冲电源极性调节 装置、高压直流脉冲电源阻抗、等离子体炬、加工保护罩、控制电路 和联动机构；本发明是在大气压下对金属的表面的精密加工和抛光， 不需要真空室和特制的抛光液，可降低设备成本并扩大其使用范围。 加工效率是传统抛光方法的几倍，并且是无应力加工，无表面和亚表 层损伤、无表面污染，抛光工件的表面粗糙度可达到 Ra-0.2μm。 

本实用新型提供了一种黄曲霉毒素的螺旋式等离子体降解装置，所述黄曲霉毒素的螺旋式等离子体降解装置设有等离子发射器、等离子体发生器、螺旋塔装置、控制面板。本实用新型提供了一种黄曲霉毒素的螺旋式等离子体降解装置，主要用于粮食表面的黄曲霉毒素的降解。物料在重力和螺旋离心力的作用下，缓慢的从螺旋塔上部流到下部，保证每颗物料都均匀地受到等离子体的作用。该装置可以进行连续化作业，降解速度快，效率高，处理环境温度低，无溶剂残留，无环境污染，且能保证物料的色香味及营养成分不被破坏。

本发明提供了一种基于等离子体源的双高频高压信号同步调试方法，步骤S01：对于不存在信号输出端口的高频电源端从高压输出端进行采样。步骤S02：从高压输出的信号首先经过采样电路等比例采样到ADC的输入范围±5V以内，通过ADC和RAM系统的通信完成逻辑的控制运行。步骤S03：获取采样数据并处理，过固定的延时，通过GPIO口输出PWM信号给另外一台电源的IGPT控制端口，通过延时来实现两个电源从某一时刻达到信号的同步输出。本发明能够精确地调节和同步高频与高压信号，确保等离子体源在最佳工作状态下运行。不仅提高了信号的同步性和稳定性，还具有较高的自动化水平，能够在复杂环境下实现对信号源的精确控制。

一种等离子体发射光谱法检测重金属污染方法，对样品的发射光谱进行实时采集，根据不同重金属元素的特征发射波长对光谱数据进行识别，以标准样品的浓度为横坐标，光谱峰值强度为纵坐标，绘制标准校准曲线；将待测样品的光谱峰值强度代入标准校准曲线，计算出重金属元素的浓度，在对样品的发射光谱进行实时采集前，利用放电等离子体对样品进行处理，如果样品是液体时，将液体样品吸附在载体上进行处理。本发明在检测过程中，利用放电等离子体，能够激发重金属元素，提高检测效率，适用于快速响应的应用场景。此外，该方法无需昂贵的真空设备或复杂的化学试剂，并通过标准曲线校准，可实现对重金属元素的准确定量分析，检测精度高且结果稳定可靠。

        研发团队针对NASICON型结构钠离子电池正极材料面临的瓶颈问题，通过新颖的合成方法和材料晶体结构设计理念，成功开发了具有自主知识产权的长寿命、高功率和低成本的钠离子电池及其超稳定的正极材料。材料合成方法简单，反应条件温和，不需要特殊设备，目前已完成实验室中试，具备了公斤级的制备能力。成果具有高的振实密度，可实现高体积能量密度，具有非常优秀的实用化潜力。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持

石墨烯作为化工新材料是目前的研究热点，其规模化制备是难点。超重力旋转床作为一种新型反应器，在化工过程强化等领域具有总要的应用，且无明显放大效应。以超重力旋转床作为石墨（氧化石墨）剥离和还原的反应器制备石墨烯，具有效率高、产品质量及应用性能好等特点。目前已达到中试水平。 本技术属于石墨烯制备技术领域，具体涉及到用超重力法以石墨为原料制 备高性能石墨烯的方法。石墨烯是目前发现的唯一存在的二维自由态原子晶体，是构成石墨、碳纳 米管、富勒烯等碳材料的基本结构单元，具有优良的导电性、导热性、高强度、 高透明度和超大的比表面积及良好的生物相容性，在复合材料、电子器件、电 能储存装置、生物传感器、催化剂载体等领域具有良好的应用效果及前景，是 目前最热研究领域之一，也有大量的潜在需求。实现其高性能低成本规模化制 备是其应用的前提和保障，因此更是人们关注和研究的焦点。 现有的石墨烯制备方法很多，如：机械剥离、化学气相沉积、液相剥离法、 化学氧化-剥离-还原、碳纳米管切割以及完全有机合成等。在这些方法中，机 械剥离法虽然能得到高性能的石墨烯，但产量很小，主要用于科学研究；化学 气相沉积法虽然可合成量较大的产品，但设备复杂且成本较高，限制了其应用； 完全有机合成法得不到大面积的石墨烯片。低成本剥离法和化学氧化-剥离-还 原法通常以廉价的石墨为原料，在低温常压下进行制备，其成本较低且易放大规模，是石墨烯规模合成的重点研究方向。 目前用于剥离的装置主要有超声波清洗器、微波炉、球磨机、超临界装置 等。在这些装置中，超声波清洗器虽然使用的最多，但其剥离时间长、产率低、 对石墨烯片的晶体完整性和结构破坏大，影响其导电性和其他应用性能；微波炉剥离利用微 波炉加热集中、功率大的特点，加热使石墨或预氧化石墨迅速膨胀，达到剥离 的效果，该方法过程较为剧烈，产物损失不可控，而且所得到的石墨烯缺陷较多；球磨机制备出来的石墨烯片小；超临界装置制备成本高、需要反复多次剥离才能达到较好的效果， 不适于规模化连续生产)。所以如何找到一种可以大规模剥离且对石墨烯性能影响小的剥离方 法和装置是本领域需要解决的一个问题。 超重力技术是利用比地球重力加速度大得多的超重力环境对传质、传热过 程和微观混合过程进行强化的新技术，在地球上通过旋转产生模拟的超重力环 境而获得。它能够大幅度提高反应的转化率和选择性，显著地缩小反应器的体 积，简化工艺、流程，实现过程的高效节能，减少污染排放。在超重力旋转床 内气体呈连续相均匀分布，液体被分散成大量的液滴、液丝和液膜，具有极大 的比表面积。研究表明：在超重力环境下相间传质速率比传统塔器提高1～3 个数量级，微观混合和传质过程得到极大强化。超重力过程强化技术已被大量 用作需要对相间传递过程进行强化的多相过程，和需要对相内或拟均相内微观 混合强化的混合与反应过程，并达到了工业化水平或中试水平。目前还没有出 现过将超重力技术应用在石墨领域的例子。 本项目要解决的技术问题是提供一种超重力法制备石墨烯的方法；通过对 石墨进行预处理，使石墨的层间距增大，之后在超重力旋转床中剥离预处理石 墨，得到石墨烯；该制备方法简单易行，低成本、高产量，适合大规模生产， 具有广泛的应用前景，该方法制备的石墨烯具有很高的导电率和极少的缺陷。 本发明提供一种超重力法制备石墨烯的方法，包括以下步骤： 1）以石墨为原料，对石墨进行预处理，使石墨的层间距增大，得到预处 理石墨； 2）在超重力旋转床中剥离预处理石墨，得到石墨烯。

石墨电极在是冶金化工领域的大宗消耗材料，尤其是在钢铁冶金、铝电解、镁电解、多晶 硅、稀土冶金等高能耗产业，电极石墨的电阻率是影响产品能耗的关键因素之一，仅以镁电解 为例，以目前最大的430kA金属镁电解槽来计算，阳极石墨电阻率每降低1Ωμ. m，将使每吨镁 直流能耗下降375kWh，其节能效果十分明显。目前我国电极石墨的电阻率一般在8-12Ωμ. m， 国外最先进指标为5Ωμ. m，我国的产品与国外相比差距较大，是造成冶金行业高能耗的原因之 一。本课题组开发了新型电极石墨制造工艺与配方，产品电阻率已经达到5.02Ωμ. m,与国际最 好水平相当，对促进节能降耗具有重要价值。 该技术主要是优化了新型石墨配方与制备工艺，大大降低石墨电阻率，同时提高了石墨电 极强度，经过表面处理的石墨电极，抗氧化强度提高了188倍，大大延长石墨电极高温腐蚀条 件下的使用寿命。

石墨烯因 其 优异 的性质而 被 誉为 “ 材料之王 ” ， 在诸多 领域有着广阔的应用前景， 但 距离 真正实现产业化 还存在诸多 问题和挑战 。制备决定 未来， 高品质 石墨烯薄膜的 可控 制备 一直是学术界和业界关注的 重点 。 化学 气相沉积法（ CVD ） 以 其优良 的 可控性和可放大性被 公认 为最具前景的石墨烯 薄膜 制备方法， 经过 近十年的发展， 虽然 在单晶尺寸上 取得 了诸多突破性进展， 但 CVD 石墨烯的性能 和 理想 水平 仍然有不 小 的差距 ， 这一问题已经困扰石墨烯领域很久 。 该研究首次 揭示了 CVD石墨烯 的本征污染问题，提出气相反应调控的方法，分别使用泡沫铜辅助催化和含铜碳源实现了超洁净石墨烯的制备（ Nat ure   Commun .  2019 ,  10 , 1912 ； J. Am. Chem. Soc.   2019 ,  141 , 7670 ）。 对于已存在 本征污染的石墨烯薄膜，他们 巧妙地 使用 二氧化碳 对其进行刻蚀 ，而不引入额外缺陷，从而成功 制备出大面积的超洁净石墨烯薄膜，该 方法与普通CVD工艺完全兼容 （ Angew . Chem.  2019 ,10.1002/ange.201905672 ）。 同时 ，他们探究 了本征污染物与石墨烯之间的相互作用，发展了基于活性炭的界面力调控方法，成功实现了石墨烯的表面清洁（ Adv.  Mater.  2019 , e1902978 ） 。