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西安交大能动学院热流科学与工程教育部重点实验室在 Chemical Reviews发表质子交换膜燃料电池多孔流场综述文章
本综述首先从材料、制备方法、表征方法等方面对多孔流场进行了全面介绍；之后，对多孔流场中的气液两相流动以及多孔流场对燃料电池在正常工况和冷启动工况下的性能进行了深入讨论。
西安交通大学
2023-02-02
科技创新2030-“脑科学与类脑研究”重大项目2021年度项目第一批视频答辩评审专家公告
按照工作安排，中国生物技术发展中心于2021年12月15～17日完成了科技创新2030-“脑科学与类脑研究”重大项目2021年度项目第一批视频答辩评审工作。此次评审采取视频答辩的方式，评审专家共计168人，现将评审专家名单予以公告。
科技部
2021-12-21
市科技局关于对《2023年天津市自然科学基金项目指南（征求意见稿）》征求意见的通知
为落实市委、市政府科教兴市人才强市行动部署，按照《天津市科技创新“十四五”规划》工作要求，进一步加快我市基础研究和应用研究融通发展，提升创新驱动源头供给能力，为我市高质量发展提供科技支撑。
基础研究处
2023-07-05
安徽大学材料科学与工程学院在金属镍掺杂碳点实现高效稳定的尿素电氧化研究方面取得新进展
基于上述挑战，安徽大学材料科学与工程学院毕红教授课题组首次采用金属镍掺杂碳点（Ni-CDs）作为尿素电氧化的催化剂。
安徽大学
2022-11-07
中山大学生命科学学院李文均教授团队在热泉来源绿弯菌功能多样性研究取得进展
绿弯菌门因具备独特的3-羟基丙酸双循环（3-hydroxypropionate bicycle, 3-HP）途径来固定CO2而为人们所熟知，也是一个代谢多样且处于深度分支的细菌门类，在地球生物地球化学循环中扮演着重要的角色。
中山大学
2022-05-30
关于印发《国家自然科学基金委员会主责国家重点研发计划重点专项管理实施细则（试行）》的通知
为规范国家自然科学基金委员会主责国家重点研发计划重点专项管理，保障专项组织实施，根据党中央、国务院关于国家科技计划管理改革的有关要求，按照科技部、财政部《国家重点研发计划管理暂行办法》（国科发资〔2024〕28号），现将《国家自然科学基金委员会主责国家重点研发计划重点专项管理实施细则（试行）》印发给你们，请遵照执行。
国家自然科学基金委员会
2025-01-13
技术需求：机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。
机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。电气方面;电气工程及其自动化、机电一体化系统、电气控制与PLC，电机与电器、电力工程等学科。
山东赛瓦特动力设备有限公司
2021-08-19
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法；提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术；提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数，进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法，并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证，并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍，准确率提高到95%；定位技术误差一般不超过30cm；总体运算时间在秒级，Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白，对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项，发表SCI、EI论文14篇，并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。
华北电力大学
2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10